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公开(公告)号：CN110006309B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910218577.2
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： G01B5/02
摘要： 本发明公开了可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：可移动调节的晶体测距检验装置，包括底座，底座上设置有切割板，切割板上设置有可滑动的U型座，U型座上方设置有支撑板，支撑板与U型座相互垂直，支撑板上设置有旋转杆，旋转杆与底座相互平行，旋转杆一端与支撑板相连，另一端设置有测距控制杆，测距控制杆与旋转杆相互垂直，测距控制杆一端与旋转杆相连，另一端设置有测距表；本发明可广泛应用于半导体加工领域。
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公开(公告)号：CN113772675A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111337818.9
申请日：2021-11-12
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明公开了一种半导体级硅粉的纯化方法，属于半导体材料加工技术领域；该方法是先将待纯化的硅粉置于感应加热炉内，在真空状态下升温至1000‑1300℃；真空度为4.5‑5.5×10‑6mbar；之后在炉腔中注入高纯H2至700‑900mbar；随后再抽真空至原始真空度；将氯化氢与氩气以流量比7‑9:1.5‑2.5通入腔体内，通气至压力为700‑900 mbar，保持4‑6 h，之后将炉体内压力降至＜10 mbar；本发明有效提高硅粉的纯度，纯化后的硅粉满足生产高纯碳化硅粉料的纯度要求；同时也降低了整个纯化过程的危险性。
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公开(公告)号：CN112853491A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011621835.0
申请日：2020-12-31
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提供了一种掺杂碳化硅单晶及其制备方法，属于晶体生长技术领域，本发明提供的制备方法，将碳化硅结晶物料在籽晶、混合气氛下进行结晶生长；所述混合气氛包括载气和掺杂气体；所述混合气氛的流量为10～500sccm；所述载气和掺杂气体的体积比为(1～50)：1。在本发明中，碳化硅结晶物料在结晶生长的过程中会分解为气相组分，这些气相组分在温度梯度及浓度梯度的驱动下传输至籽晶表面，在籽晶表面冷却沉积；在此过程中，载气和掺杂气体的通入，能够使掺杂气体同生长组分一起生长，进而使掺杂元素进入晶体的晶格中，实现均匀可控掺杂。
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公开(公告)号：CN112845086A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011627031.1
申请日：2020-12-31
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： B07B9/00
摘要： 本发明属于碳化硅分选技术领域，特别涉及一种同时分选碳化硅粉料密度和粒径的装置和方法。本发明提供的装置，包括主管线，沿水平分选方向，所述主管线依次划分为连通的进气‑进料部1、沉降部2和降尘部3；所述进气‑进料部1包括并列设置的进气口1‑1和进料口1‑2；所述主管线的沉降部2位置设置有向下的沉降口，所述沉降口连通有分级沉积‑振动腔4，沿垂直分选方向，所述分级沉积‑振动腔4包括由上至下的多级分选腔4‑1和振筛机4‑3；所述多级分选腔4‑1中设置有分选筛网4‑2，所述多级分选腔4‑1与所述沉降部2连通。采用本发明提供的装置可以高效的实现不同密度、不同粒径的碳化硅粉料的筛分，且无扬尘出现。
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公开(公告)号：CN112813494A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011627014.8
申请日：2020-12-31
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提供了一种大直径碳化硅单晶及其制备方法，属于结晶生长技术领域。本发明提供的方法：将结晶物料，在籽晶、保护气氛下进行结晶生长；结晶生长结束后，将所得单晶进行原位退火处理，得到所述大直径单晶；所述结晶生长在坩埚中进行；采用2个加热线圈分别对所述坩埚的顶部和底部进行加热；对所述坩埚顶部进行加热的加热线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上。本发明采用两个感应加热线圈分别对坩埚的顶部和底部进行加热，保持坩埚的顶部和底部温度差；结晶生长过程中，保持上线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上，维持生长界面温场稳定性，减小结晶生长过程引入热应力；结晶生长结束后，对晶体进行原位退火处理，消除晶体内部热应力。
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公开(公告)号：CN116815318B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202310668650.2
申请日：2023-06-07
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备高纯度S i C多晶粉体的装置和方法，装置包括底板和连接在底板上的多个门型石墨棒，每个门型石墨棒中间设置有石墨隔板，每个门型石墨棒的外部还罩设有石墨坩埚，石墨坩埚的外部罩设有外罩，外罩底部与底板相连接，底板上开设有第一进气孔，外罩的顶部开设有第一出气孔，石墨坩埚的底部边缘开设有第二进气孔，第一进气孔与第二进气孔相连通。本发明采用上述结构的一种制备高纯度S i C多晶粉体的装置和方法，制备效率高，生长周期短，单炉产量可达200kg以上，碳化硅纯度达到99.99％以上，低投入，高产出，从根本上降低了制备S i C粉体的成本。
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公开(公告)号：CN116288733A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310012618.9
申请日：2023-01-05
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，属于碳化硅晶体材料技术领域；方法为：将碳化硅晶体衬底进行研磨、机械抛光工艺；之后将衬底表面覆盖一层碳膜之后进行退火处理或将衬底在氩气气氛中进行退火处理，释放厚度去除时所残留的加工应力；所述退火处理的保温时间为3‑4小时；退火后，覆盖碳膜的衬底将碳膜去除之后进行化学机械抛光；在氩气气氛中退火处理的衬底直接进行化学机械抛光；化学机械抛光之后进行外延；退火后的衬底经过外延基平面位错转化率达到100%，解决了外延后晶圆中心的基平面位错密度较高，外延过程中心基平面位错转化率低的问题。
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公开(公告)号：CN115200497B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211107280.7
申请日：2022-09-13
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： G01B11/16
摘要： 本发明提供了一种晶圆盒形变量的检测装置及方法，属于半导体晶圆检测技术领域；解决现有技术中对晶圆盒形变检测准确性差、效率低的问题；解决该技术问题采用的技术方案为：包括检测平台，检测平台上设置有用于放置晶圆盒的限位基台，限位基台的两端分别装配在两个第二导轨上，垂直于第二导轨的方向上设置有第一导轨，第一导轨上设置有激光发射系统和激光光斑接收系统，通过激光发射系统和激光光斑接收系统可兼容对4inch、6inch、8inch标准晶圆盒的检测，同时可对晶圆盒各个表面的形变量进行检测；本发明应用于晶圆盒形变检测。
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公开(公告)号：CN115200497A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211107280.7
申请日：2022-09-13
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： G01B11/16
摘要： 本发明提供了一种晶圆盒形变量的检测装置及方法，属于半导体晶圆检测技术领域；解决现有技术中对晶圆盒形变检测准确性差、效率低的问题；解决该技术问题采用的技术方案为：包括检测平台，检测平台上设置有用于放置晶圆盒的限位基台，限位基台的两端分别装配在两个第二导轨上，垂直于第二导轨的方向上设置有第一导轨，第一导轨上设置有激光发射系统和激光光斑接收系统，通过激光发射系统和激光光斑接收系统可兼容对4inch、6inch、8inch标准晶圆盒的检测，同时可对晶圆盒各个表面的形变量进行检测；本发明应用于晶圆盒形变检测。
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公开(公告)号：CN113668064A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110867806.0
申请日：2021-07-29
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明属于半导体材料加工技术领域，是一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法；步骤包括：采用电子加速器对晶片进行辐照；先水平辐照晶片的小面区域；之后将晶片顺时针旋转90°，以晶片中轴线为界依次辐照中轴线一侧没有小面区域的区域和中轴线另一侧存在小面区域的区域；同时限定了电子加速器的输出功率、直流高压、电流、电子束流强度，以及辐照长度宽度、电子束出束口与辐照晶片的距离、辐照时间；本发明补偿了浅能级的非故意杂质缺陷，有效提升晶片的电阻率及晶片内与晶片间的电阻均匀性。
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