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公开(公告)号：CN117839790A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410263128.0
申请日：2024-03-08
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于粉体破碎及筛分的装置及方法，涉及碳化硅粉料制取技术领域，包括：架体、底座、上压板、下压板、伸缩装置和筛分装置，上压板与需要破碎的粉体的材料相同；下压板与需要破碎的粉体的材料相同，且下压板对应设置于上压板的下方，且下压板的顶部用于放置需要破碎的粉体；伸缩装置的固定端用于与架体固定连接，伸缩装置的活动端与上压板固定连接，且能够的带动上压板靠近或者远离下压板；筛分装置设置于底座上，且筛分装置位于下压板周侧的下方以接收并筛分上压板和下压板挤压破碎后的粉体，能够节约成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN113735110B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111311118.2
申请日：2021-11-08
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
IPC: C01B32/215
Abstract: 本发明公开了一种半导体级石墨粉的纯化方法，属于半导体材料加工技术领域；该方法是将待纯化的石墨粉置于感应加热炉内，在1800‑2200℃的条件下将感应加热炉腔体抽气至真空状态，随后将氯化氢与氩气的混合气体通入腔体，通气至压力为700‑900 mbar，维持2‑4 h，使腔体内氯化氢气体与杂质充分反应，随后抽气将炉体压力降低至近真空状态；本发明解决了石墨粉中高沸点的金属单质及金属化合物杂质去除率较低的问题；降低了整个纯化过程的危险性。
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公开(公告)号：CN113735110A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111311118.2
申请日：2021-11-08
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
IPC: C01B32/215
Abstract: 本发明公开了一种半导体级石墨粉的纯化方法，属于半导体材料加工技术领域；该方法是将待纯化的石墨粉置于感应加热炉内，在1800‑2200℃的条件下将感应加热炉腔体抽气至真空状态，随后将氯化氢与氩气的混合气体通入腔体，通气至压力为700‑900 mbar，维持2‑4 h，使腔体内氯化氢气体与杂质充分反应，随后抽气将炉体压力降低至近真空状态；本发明解决了石墨粉中高沸点的金属单质及金属化合物杂质去除率较低的问题；降低了整个纯化过程的危险性。
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公开(公告)号：CN116288733A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310012618.9
申请日：2023-01-05
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种降低碳化硅外延基平面位错的方法，属于碳化硅晶体材料技术领域；方法为：将碳化硅晶体衬底进行研磨、机械抛光工艺；之后将衬底表面覆盖一层碳膜之后进行退火处理或将衬底在氩气气氛中进行退火处理，释放厚度去除时所残留的加工应力；所述退火处理的保温时间为3‑4小时；退火后，覆盖碳膜的衬底将碳膜去除之后进行化学机械抛光；在氩气气氛中退火处理的衬底直接进行化学机械抛光；化学机械抛光之后进行外延；退火后的衬底经过外延基平面位错转化率达到100%，解决了外延后晶圆中心的基平面位错密度较高，外延过程中心基平面位错转化率低的问题。
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公开(公告)号：CN115200497B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211107280.7
申请日：2022-09-13
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种晶圆盒形变量的检测装置及方法，属于半导体晶圆检测技术领域；解决现有技术中对晶圆盒形变检测准确性差、效率低的问题；解决该技术问题采用的技术方案为：包括检测平台，检测平台上设置有用于放置晶圆盒的限位基台，限位基台的两端分别装配在两个第二导轨上，垂直于第二导轨的方向上设置有第一导轨，第一导轨上设置有激光发射系统和激光光斑接收系统，通过激光发射系统和激光光斑接收系统可兼容对4inch、6inch、8inch标准晶圆盒的检测，同时可对晶圆盒各个表面的形变量进行检测；本发明应用于晶圆盒形变检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115200497A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211107280.7
申请日：2022-09-13
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种晶圆盒形变量的检测装置及方法，属于半导体晶圆检测技术领域；解决现有技术中对晶圆盒形变检测准确性差、效率低的问题；解决该技术问题采用的技术方案为：包括检测平台，检测平台上设置有用于放置晶圆盒的限位基台，限位基台的两端分别装配在两个第二导轨上，垂直于第二导轨的方向上设置有第一导轨，第一导轨上设置有激光发射系统和激光光斑接收系统，通过激光发射系统和激光光斑接收系统可兼容对4inch、6inch、8inch标准晶圆盒的检测，同时可对晶圆盒各个表面的形变量进行检测；本发明应用于晶圆盒形变检测。
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公开(公告)号：CN113772675A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111337818.9
申请日：2021-11-12
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种半导体级硅粉的纯化方法，属于半导体材料加工技术领域；该方法是先将待纯化的硅粉置于感应加热炉内，在真空状态下升温至1000‑1300℃；真空度为4.5‑5.5×10‑6mbar；之后在炉腔中注入高纯H2至700‑900mbar；随后再抽真空至原始真空度；将氯化氢与氩气以流量比7‑9:1.5‑2.5通入腔体内，通气至压力为700‑900 mbar，保持4‑6 h，之后将炉体内压力降至＜10 mbar；本发明有效提高硅粉的纯度，纯化后的硅粉满足生产高纯碳化硅粉料的纯度要求；同时也降低了整个纯化过程的危险性。
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公开(公告)号：CN216272699U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202122933434.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
IPC: B66C1/62
Abstract: 本实用新型涉及一种用于石墨硬毡制品的简易吊装装置，属于石墨硬毡制品吊装技术领域；包括吊环、固定块、螺纹杆、挂杆；所述吊环固定在固定块的上端面中心处，所述螺纹杆数量为三根，分别均匀地水平固定在固定块的外侧面上，三根螺纹杆的轴线全部朝向固定块的轴线处，并且任意两根螺纹杆之间的夹角为120°，螺纹杆上设置有外螺纹段，每根螺纹杆的螺纹段上螺接有两个连接螺母；所述挂杆的数量为三个，均为结构相同的L型片状结构，挂杆的上端设置有固定孔，挂杆通过所述固定孔套接在螺纹杆的螺纹段上，两个连接螺母位于挂杆的两侧并且与挂杆相紧密接触；解决了目前的石墨硬毡筒吊装工具局限性较大的问题。
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公开(公告)号：CN214893894U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202121119056.0
申请日：2021-05-24
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
IPC: G01M3/20
Abstract: 本实用新型涉及一种真空腔体检漏辅助喷枪，属于腔体检漏技术领域；包括控制模块、真空泵、氦气储存腔体、氦气回收腔体、收集罩；氦气储存腔体设置有气体流量计与喷射口，收集罩的上端封闭、下端开放，喷射口设置于收集罩内部，收集罩的端部侧壁内部设置有中空的抽气管道，侧壁下端面设置有若干个抽气口，抽气口与抽气管道相连通，真空泵的进气口通过双通电磁阀分别与抽气管道以及收集罩内部相连通，出气口通过双通电磁阀分别与外界以及氦气回收腔体内部相连通，控制模块与第一双通电磁阀、第二双通电磁阀、气体流量计、真空泵相电性连接；解决了现有氦气质谱仪方法进行检漏时存在漏点位置判断不准确、不同漏点检测时互相影响的问题。
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公开(公告)号：CN216282733U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202122933393.X
申请日：2021-11-26
Applicant: 山西烁科晶体有限公司
IPC: F27B14/10 , F27B14/12 , C01B32/984
Abstract: 本实用新型涉及一种用于制备碳化硅粉料的石墨坩埚，属于碳化硅粉料制备技术领域；包括多个依次上下堆叠的分层坩埚以及设置于最上层的分层坩埚上方的坩埚盖；分层坩埚为圆筒状结构，内部通过水平的坩埚底分为独立的两部分，坩埚底的上端设置有坩埚底，十字挡板将分层坩埚内部分为独立的四个区域，分层坩埚的内壁面上以及十字挡板的侧壁上设置有导热鳞片；分层坩埚的上下端开口处分别设置上部卡接槽和下部卡接槽，下层的分层坩埚的上部卡接槽插接于上层的分层坩埚的下部卡接槽中，坩埚盖的下端开口处设置有下部卡接槽，坩埚盖通过下部卡接槽卡接于最上层的分层坩埚的上部卡接槽上；解决了目前制备碳化硅粉料的坩埚传热效率低、反应均匀度差的问题。
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