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公开(公告)号：CN118499478A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410708285.8
申请日：2024-06-03
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于高温真空热处理设备的中空轴磁流体密封装置，属于密封装置技术领域。本发明包括：具有中空隔热结构的双层中空旋转轴和整体水冷夹套结构。本发明通过将中空轴改进为具有中控隔热结构的双层中空旋转轴，能够减小热端至磁液区域段的热传导系数，阻隔中空旋转轴的热量转递至磁液。同时将现有的高温真空热处理设备的外壳空间改进为整体水冷夹套结构，使冷却水在外壳空间的整个侧面区域通水，能够给轴承外圈和磁环外围区域降温，来提高磁液与轴承的热扩散。本发明能够提高磁流体密封装置的可靠性\耐高温密封性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN117839790A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410263128.0
申请日：2024-03-08
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于粉体破碎及筛分的装置及方法，涉及碳化硅粉料制取技术领域，包括：架体、底座、上压板、下压板、伸缩装置和筛分装置，上压板与需要破碎的粉体的材料相同；下压板与需要破碎的粉体的材料相同，且下压板对应设置于上压板的下方，且下压板的顶部用于放置需要破碎的粉体；伸缩装置的固定端用于与架体固定连接，伸缩装置的活动端与上压板固定连接，且能够的带动上压板靠近或者远离下压板；筛分装置设置于底座上，且筛分装置位于下压板周侧的下方以接收并筛分上压板和下压板挤压破碎后的粉体，能够节约成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN116815318A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310668650.2
申请日：2023-06-07
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，装置包括底板和连接在底板上的多个门型石墨棒，每个门型石墨棒中间设置有石墨隔板，每个门型石墨棒的外部还罩设有石墨坩埚，石墨坩埚的外部罩设有外罩，外罩底部与底板相连接，底板上开设有第一进气孔，外罩的顶部开设有第一出气孔，石墨坩埚的底部边缘开设有第二进气孔，第一进气孔与第二进气孔相连通。本发明采用上述结构的一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，制备效率高，生长周期短，单炉产量可达200kg以上，碳化硅纯度达到99.99%以上，低投入，高产出，从根本上降低了制备SiC粉体的成本。
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公开(公告)号：CN112026024B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010859710.5
申请日：2020-08-24
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种通过导向框多线切割晶锭的方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶锭多线切割的过程中晶锭边缘易损伤，出现断线裂片的现象；具体步骤为：先将晶锭圆柱面外圈粘接一层导向条；使用正方形陶瓷导向框，将晶体粘接至导向框中央凹槽内；再将导向框粘接到切割底座上；将切割底座夹装好后，开始多线切割；本发明通过将晶锭粘结导向框，依附导向框进行切割，可以有效减少切割过程中线震动对晶锭边缘的损伤；降低断线风险；减小裂片风险；将切割工艺近似为一步工艺，降低切割工艺编写难度。
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公开(公告)号：CN112919473A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110438088.5
申请日：2021-04-22
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法，涉及碳化硅合成技术领域；具体是将原料粉体装在有排气孔的坩埚内，将坩埚置于炉中，将炉腔抽真空后升温；之后向炉腔中注入高纯H2至750‑850mbar，然后抽真空至4.5×10‑6‑5.5×10‑6mbar；重复多次后将炉腔升温并将高纯Ar与H2以流量比9‑10.5:1注入炉腔，进行合成反应和转化合成反应，结束后在Ar与H2的保护下降温至室温；本发明可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。
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公开(公告)号：CN112026030A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010779015.8
申请日：2020-08-05
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶体单线调向切割方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶体调向操作复杂，调向效率低的问题；具体步骤为：对晶体的基准面进行测量，找出偏角为零的方向，再测试该方向垂直角度，确定晶体偏角α；将晶体偏角为零的方向垂直固定在切割底座上，将切割底座紧固在单线切割装置上，并使单线切割装置的切割线紧贴晶体基准面；旋转晶体至对应偏角α，将料头截断，之后平移对刀，将料尾截断，得到调向后的晶体；本发明通过确定晶体偏角α和固定基准面的方式进行单线条向，快速确定切割角度，可有效提高晶体调向的效率，同时有效回收晶体多余部分，节约企业成本。
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公开(公告)号：CN110006309B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910218577.2
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： G01B5/02
摘要： 本发明公开了可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：可移动调节的晶体测距检验装置，包括底座，底座上设置有切割板，切割板上设置有可滑动的U型座，U型座上方设置有支撑板，支撑板与U型座相互垂直，支撑板上设置有旋转杆，旋转杆与底座相互平行，旋转杆一端与支撑板相连，另一端设置有测距控制杆，测距控制杆与旋转杆相互垂直，测距控制杆一端与旋转杆相连，另一端设置有测距表；本发明可广泛应用于半导体加工领域。
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公开(公告)号：CN109986705B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201910218622.4
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了多线切割机工作台校正装置，属于线切割机校正领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，使用方便，校正准确，可靠性高的多线切割机工作台校正装置；解决该技术问题采用的技术方案为：多线切割机工作台校正装置，包括底座，底座上设置有滑轨，滑轨上设置有测量架，测量架上设置有测量指针，测量指针数量为3，测量指针呈等腰三角形结构布置；本发明可广泛应用于线切割机校正领域。
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公开(公告)号：CN110006309A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910218577.2
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： G01B5/02
摘要： 本发明公开了可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：可移动调节的晶体测距检验装置，包括底座，底座上设置有切割板，切割板上设置有可滑动的U型座，U型座上方设置有支撑板，支撑板与U型座相互垂直，支撑板上设置有旋转杆，旋转杆与底座相互平行，旋转杆一端与支撑板相连，另一端设置有测距控制杆，测距控制杆与旋转杆相互垂直，测距控制杆一端与旋转杆相连，另一端设置有测距表；本发明可广泛应用于半导体加工领域。
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公开(公告)号：CN112663134A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011373845.7
申请日：2020-11-30
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提供了一种双温区独立控制的碳化硅单晶生长装置和生长方法，涉及晶体生长技术领域。本发明提供的碳化硅单晶生长装置，本发明采用上、下两个感应加热线圈，两个线圈分别连接第一电源和第二电源独立加热，分别连接第一线圈移动电机和第二线圈移动电机可以独立上下移动，利用上感应加热线圈和下感应加热线圈可以分别独立控制碳化硅籽晶处的温度场及碳化硅粉料处的温度场，保证生长过程中以及不同炉次之间温度及温度梯度的稳定性，提高SiC单晶生长的稳定性及重复性，解决了传统单感应线圈加热SiC单晶生长设备不能同时控制上下温度造成的温度梯度无法控制，晶体生长过程不能重复的缺点。
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