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公开(公告)号：CN112026024B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010859710.5
申请日：2020-08-24
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种通过导向框多线切割晶锭的方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶锭多线切割的过程中晶锭边缘易损伤，出现断线裂片的现象；具体步骤为：先将晶锭圆柱面外圈粘接一层导向条；使用正方形陶瓷导向框，将晶体粘接至导向框中央凹槽内；再将导向框粘接到切割底座上；将切割底座夹装好后，开始多线切割；本发明通过将晶锭粘结导向框，依附导向框进行切割，可以有效减少切割过程中线震动对晶锭边缘的损伤；降低断线风险；减小裂片风险；将切割工艺近似为一步工艺，降低切割工艺编写难度。
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公开(公告)号：CN112026030A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010779015.8
申请日：2020-08-05
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶体单线调向切割方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶体调向操作复杂，调向效率低的问题；具体步骤为：对晶体的基准面进行测量，找出偏角为零的方向，再测试该方向垂直角度，确定晶体偏角α；将晶体偏角为零的方向垂直固定在切割底座上，将切割底座紧固在单线切割装置上，并使单线切割装置的切割线紧贴晶体基准面；旋转晶体至对应偏角α，将料头截断，之后平移对刀，将料尾截断，得到调向后的晶体；本发明通过确定晶体偏角α和固定基准面的方式进行单线条向，快速确定切割角度，可有效提高晶体调向的效率，同时有效回收晶体多余部分，节约企业成本。
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公开(公告)号：CN111303772A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010116746.4
申请日：2020-02-25
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/04 , H01L21/306 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及化学机械抛光技术领域，具体为一种超快速低损碳化硅衬底抛光液及其制备方法，包括添加剂和抛光基液，抛光基液包括纳米金刚石微粉、强氧化剂，稳定剂等；添加剂按包括一定重量比的石墨烯、碳化钨、硅胶和二氧化钛；将添加剂各成分研磨成0.1-0.35μm的颗粒，将石墨烯、碳化钨和二氧化钛混合加热后加入硅胶颗粒继续研磨；之后将其加入到温度为30-39℃的抛光基液中混合；本发明所述添加剂对抛光基液具有平衡抛光时摩擦力作用，使碳化硅衬底在高速抛光的过程中，不会因为抛光速度加快而出现划痕或粗糙度加剧的问题，实现高速抛光的同时，降低表面粗糙度，减少划痕的目的，且整个精加工过程，加工精度高、自动化程度高。
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公开(公告)号：CN110006309B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910218577.2
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： G01B5/02
摘要： 本发明公开了可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：可移动调节的晶体测距检验装置，包括底座，底座上设置有切割板，切割板上设置有可滑动的U型座，U型座上方设置有支撑板，支撑板与U型座相互垂直，支撑板上设置有旋转杆，旋转杆与底座相互平行，旋转杆一端与支撑板相连，另一端设置有测距控制杆，测距控制杆与旋转杆相互垂直，测距控制杆一端与旋转杆相连，另一端设置有测距表；本发明可广泛应用于半导体加工领域。
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公开(公告)号：CN111484019A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010342701.9
申请日：2020-04-27
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C30B29/36 , C30B23/00
摘要： 本发明公开了一种用于单晶生长的高纯碳化硅粉体制备方法；属于半导体材料技术领域；技术方案是选择高纯石墨粉、高纯Si粉和聚四氟乙烯粉混合后置于加热炉中，向炉腔内注入高纯H2，保持一定时间后抽真空；加热炉升温至850-990℃，再次注入高纯H2，保持一定时间后再次抽真空，之后再次升温至1000℃-1200℃，进行SiC合成反应得到高纯β-SiC粉体；继续将高纯H2、高纯Ar与高纯HCl注入炉腔，升温至1900℃-2100℃进行转化合成反应得到高纯α-SiC粉体；本发明通过提高环境纯度以及限定工艺参数有效提高最终碳化硅粉体的纯度，适用于高纯半绝缘碳化硅的单晶生长。
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公开(公告)号：CN109986705B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201910218622.4
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了多线切割机工作台校正装置，属于线切割机校正领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，使用方便，校正准确，可靠性高的多线切割机工作台校正装置；解决该技术问题采用的技术方案为：多线切割机工作台校正装置，包括底座，底座上设置有滑轨，滑轨上设置有测量架，测量架上设置有测量指针，测量指针数量为3，测量指针呈等腰三角形结构布置；本发明可广泛应用于线切割机校正领域。
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公开(公告)号：CN110006309A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910218577.2
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： G01B5/02
摘要： 本发明公开了可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：可移动调节的晶体测距检验装置，包括底座，底座上设置有切割板，切割板上设置有可滑动的U型座，U型座上方设置有支撑板，支撑板与U型座相互垂直，支撑板上设置有旋转杆，旋转杆与底座相互平行，旋转杆一端与支撑板相连，另一端设置有测距控制杆，测距控制杆与旋转杆相互垂直，测距控制杆一端与旋转杆相连，另一端设置有测距表；本发明可广泛应用于半导体加工领域。
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公开(公告)号：CN112026024A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010859710.5
申请日：2020-08-24
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种通过导向框多线切割晶锭的方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶锭多线切割的过程中晶锭边缘易损伤，出现断线裂片的现象；具体步骤为：先将晶锭圆柱面外圈粘接一层导向条；使用正方形陶瓷导向框，将晶体粘接至导向框中央凹槽内；再将导向框粘接到切割底座上；将切割底座夹装好后，开始多线切割；本发明通过将晶锭粘结导向框，依附导向框进行切割，可以有效减少切割过程中线震动对晶锭边缘的损伤；降低断线风险；减小裂片风险；将切割工艺近似为一步工艺，降低切割工艺编写难度。
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公开(公告)号：CN110681624A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910824773.4
申请日：2019-09-02
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，包括以下步骤：1）氧化去除表面的有机沾污：用超纯水冲洗碳化硅单晶抛光片；在紫外光照射下，使用O3进行清洗碳化硅单晶抛光片；再使用超纯水冲洗漂洗处理；2）将氧化后的碳化硅单晶抛光片，浸入至氨水、双氧水及超纯水的混合溶液中，加超声波振荡清洗；3）将步骤2）清洗后的碳化硅单晶抛光片，浸入至盐酸、双氧水和超纯水的混合溶液中，加超声波振荡清洗；4）将步骤3）清洗后的碳化硅单晶抛光片，浸入至氢氟酸、双氧水、超纯水的混合溶液中，去除微小颗粒、金属沾污，同时在表面形成钝化层。该方法操作简单，环境污染小、工艺重复性好，适用于规模化生产。
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公开(公告)号：CN109986705A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910218622.4
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了多线切割机工作台校正装置，属于线切割机校正领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，使用方便，校正准确，可靠性高的多线切割机工作台校正装置；解决该技术问题采用的技术方案为：多线切割机工作台校正装置，包括底座，底座上设置有滑轨，滑轨上设置有测量架，测量架上设置有测量指针，测量指针数量为3，测量指针呈等腰三角形结构布置；本发明可广泛应用于线切割机校正领域。
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