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公开(公告)号：CN116815318A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310668650.2
申请日：2023-06-07
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，装置包括底板和连接在底板上的多个门型石墨棒，每个门型石墨棒中间设置有石墨隔板，每个门型石墨棒的外部还罩设有石墨坩埚，石墨坩埚的外部罩设有外罩，外罩底部与底板相连接，底板上开设有第一进气孔，外罩的顶部开设有第一出气孔，石墨坩埚的底部边缘开设有第二进气孔，第一进气孔与第二进气孔相连通。本发明采用上述结构的一种制备高纯度SiC多晶棒的装置和方法，制备效率高，生长周期短，单炉产量可达200kg以上，碳化硅纯度达到99.99%以上，低投入，高产出，从根本上降低了制备SiC粉体的成本。
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公开(公告)号：CN112026024B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010859710.5
申请日：2020-08-24
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种通过导向框多线切割晶锭的方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶锭多线切割的过程中晶锭边缘易损伤，出现断线裂片的现象；具体步骤为：先将晶锭圆柱面外圈粘接一层导向条；使用正方形陶瓷导向框，将晶体粘接至导向框中央凹槽内；再将导向框粘接到切割底座上；将切割底座夹装好后，开始多线切割；本发明通过将晶锭粘结导向框，依附导向框进行切割，可以有效减少切割过程中线震动对晶锭边缘的损伤；降低断线风险；减小裂片风险；将切割工艺近似为一步工艺，降低切割工艺编写难度。
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公开(公告)号：CN112919473A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110438088.5
申请日：2021-04-22
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法，涉及碳化硅合成技术领域；具体是将原料粉体装在有排气孔的坩埚内，将坩埚置于炉中，将炉腔抽真空后升温；之后向炉腔中注入高纯H2至750‑850mbar，然后抽真空至4.5×10‑6‑5.5×10‑6mbar；重复多次后将炉腔升温并将高纯Ar与H2以流量比9‑10.5:1注入炉腔，进行合成反应和转化合成反应，结束后在Ar与H2的保护下降温至室温；本发明可有效降低粉料合成过程中的氮浓度，提升粉料纯度；有效避免混合原料在粉料合成过程中逸出坩埚，提升粉料的反应效率。
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公开(公告)号：CN112760719A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110043756.4
申请日：2021-01-13
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提出一种半绝缘碳化硅单晶晶圆的制备方法，属于单晶硅生产加工技术领域；具体是采用高能粒子辐照碳化硅晶片，在碳化硅晶片引入点缺陷，以补偿碳化硅晶片浅能级缺陷；所述碳化硅晶片中的Al杂质浓度＜1E15cm‑3，B、N两种浅杂质浓度分别＜5E16cm‑3，采用高能粒子辐照剂量为0.3‑25MeV；辐照时间为0.1‑6h；本发明克服了在不使用深能级金属掺杂剂情况下实现半绝缘SiC晶圆片内和片间电阻率分布均匀的实际困难，不仅可以有效提升射频器件性能，同时可以提升产品一致性。
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公开(公告)号：CN112026030A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010779015.8
申请日：2020-08-05
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶体单线调向切割方法，属于晶体材料切割技术领域；解决现有晶体调向操作复杂，调向效率低的问题；具体步骤为：对晶体的基准面进行测量，找出偏角为零的方向，再测试该方向垂直角度，确定晶体偏角α；将晶体偏角为零的方向垂直固定在切割底座上，将切割底座紧固在单线切割装置上，并使单线切割装置的切割线紧贴晶体基准面；旋转晶体至对应偏角α，将料头截断，之后平移对刀，将料尾截断，得到调向后的晶体；本发明通过确定晶体偏角α和固定基准面的方式进行单线条向，快速确定切割角度，可有效提高晶体调向的效率，同时有效回收晶体多余部分，节约企业成本。
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公开(公告)号：CN111303772A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010116746.4
申请日：2020-02-25
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/04 , H01L21/306 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及化学机械抛光技术领域，具体为一种超快速低损碳化硅衬底抛光液及其制备方法，包括添加剂和抛光基液，抛光基液包括纳米金刚石微粉、强氧化剂，稳定剂等；添加剂按包括一定重量比的石墨烯、碳化钨、硅胶和二氧化钛；将添加剂各成分研磨成0.1-0.35μm的颗粒，将石墨烯、碳化钨和二氧化钛混合加热后加入硅胶颗粒继续研磨；之后将其加入到温度为30-39℃的抛光基液中混合；本发明所述添加剂对抛光基液具有平衡抛光时摩擦力作用，使碳化硅衬底在高速抛光的过程中，不会因为抛光速度加快而出现划痕或粗糙度加剧的问题，实现高速抛光的同时，降低表面粗糙度，减少划痕的目的，且整个精加工过程，加工精度高、自动化程度高。
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公开(公告)号：CN110006309B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910218577.2
申请日：2019-03-21
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： G01B5/02
摘要： 本发明公开了可移动调节的晶体测距检验装置，属于半导体加工领域；所要解决的技术问题是提供了一种结构简单，操作方便，测量准确，精度可靠，满足后续需求的可移动调节的晶体测距检验装置；解决该技术问题采用的技术方案为：可移动调节的晶体测距检验装置，包括底座，底座上设置有切割板，切割板上设置有可滑动的U型座，U型座上方设置有支撑板，支撑板与U型座相互垂直，支撑板上设置有旋转杆，旋转杆与底座相互平行，旋转杆一端与支撑板相连，另一端设置有测距控制杆，测距控制杆与旋转杆相互垂直，测距控制杆一端与旋转杆相连，另一端设置有测距表；本发明可广泛应用于半导体加工领域。
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公开(公告)号：CN112853491A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011621835.0
申请日：2020-12-31
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提供了一种掺杂碳化硅单晶及其制备方法，属于晶体生长技术领域，本发明提供的制备方法，将碳化硅结晶物料在籽晶、混合气氛下进行结晶生长；所述混合气氛包括载气和掺杂气体；所述混合气氛的流量为10～500sccm；所述载气和掺杂气体的体积比为(1～50)：1。在本发明中，碳化硅结晶物料在结晶生长的过程中会分解为气相组分，这些气相组分在温度梯度及浓度梯度的驱动下传输至籽晶表面，在籽晶表面冷却沉积；在此过程中，载气和掺杂气体的通入，能够使掺杂气体同生长组分一起生长，进而使掺杂元素进入晶体的晶格中，实现均匀可控掺杂。
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公开(公告)号：CN112845086A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011627031.1
申请日：2020-12-31
申请人： 山西烁科晶体有限公司
IPC分类号： B07B9/00
摘要： 本发明属于碳化硅分选技术领域，特别涉及一种同时分选碳化硅粉料密度和粒径的装置和方法。本发明提供的装置，包括主管线，沿水平分选方向，所述主管线依次划分为连通的进气‑进料部1、沉降部2和降尘部3；所述进气‑进料部1包括并列设置的进气口1‑1和进料口1‑2；所述主管线的沉降部2位置设置有向下的沉降口，所述沉降口连通有分级沉积‑振动腔4，沿垂直分选方向，所述分级沉积‑振动腔4包括由上至下的多级分选腔4‑1和振筛机4‑3；所述多级分选腔4‑1中设置有分选筛网4‑2，所述多级分选腔4‑1与所述沉降部2连通。采用本发明提供的装置可以高效的实现不同密度、不同粒径的碳化硅粉料的筛分，且无扬尘出现。
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公开(公告)号：CN112813494A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011627014.8
申请日：2020-12-31
申请人： 山西烁科晶体有限公司
摘要： 本发明提供了一种大直径碳化硅单晶及其制备方法，属于结晶生长技术领域。本发明提供的方法：将结晶物料，在籽晶、保护气氛下进行结晶生长；结晶生长结束后，将所得单晶进行原位退火处理，得到所述大直径单晶；所述结晶生长在坩埚中进行；采用2个加热线圈分别对所述坩埚的顶部和底部进行加热；对所述坩埚顶部进行加热的加热线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上。本发明采用两个感应加热线圈分别对坩埚的顶部和底部进行加热，保持坩埚的顶部和底部温度差；结晶生长过程中，保持上线圈中心与晶体生长界面在同一水平面上，维持生长界面温场稳定性，减小结晶生长过程引入热应力；结晶生长结束后，对晶体进行原位退火处理，消除晶体内部热应力。
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