-
公开(公告)号：CN118778164A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411274142.7
申请日：2024-09-12
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，属于光学元件制备技术领域，包括：S1、在衬底上表面涂正胶a，正胶a上表面涂负胶b；正胶a的临界剂量为Da，负胶b的临界剂量为Db，Da Dt>Db；S2、在需要刻蚀最深台阶的区域曝光剂量为D1；在需要保留衬底的区域曝光剂量为D2；其他区域不做曝光处理；Da Dc；S3、用负胶显影液去除负胶；S4、用正胶显影液去除正胶；S5、刻蚀，刻蚀时间大于下层正胶a被全部刻蚀所需时间；S6、去除衬底上表面的光刻胶；本发明更稳定、更精确、加工难度更低且无套刻误差。
-
公开(公告)号：CN114883907B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210783937.5
申请日：2022-07-05
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种可实现端面低粗糙度的激光器结构及其制作方法，属于集成光学技术领域，从下到上依次包括：第二陪片、下黏着固定层、下涂覆缓冲层、下电施加层、衬底层、过渡层、功能层、上包层、上电施加层、上涂覆缓冲层、上黏着固定层和第一陪片；衬底层用于支撑晶圆，过渡层是衬底层和功能层之间的过渡层；功能层通过激励层、谐振层、导光层，产生并增强输出光信号；上电施加层和下电施加层配合为施加电场提供金属信号通路；上涂覆缓冲层、下涂覆缓冲层在磨抛过程中起到保护和支撑作用；上黏着固定层和下黏着固定层将芯片与第一陪片、第二陪片固定，第一陪片、第二陪片使得在夹具中，芯片受力均匀，避免芯片表面局部应力过大导致芯片碎裂。
-
公开(公告)号：CN114706275A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210151780.4
申请日：2022-02-18
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，属于半导体加工技术领域，包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、在晶圆上沉积过渡层；S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，最后进行烘烤坚膜；S4、刻蚀晶圆过渡层；S5、对晶圆进行去胶；S6、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；S7、沉积目标金属；S8、对晶圆进行剥离；S9、去除过渡层，得到目标结构。本发明能够防止光刻胶漂胶和裂胶。
-
公开(公告)号：CN114089457A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111361056.6
申请日：2021-11-17
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种电子束光刻制备亚微米闪耀光栅压印模板及其方法，属于半导体技术领域，其特征在于，包括：S1、在片源上涂胶；S2、电子束曝光；S3、显影；S4、SEM表征；S5、制作曝光版图；S6、Beamer软件模拟曝光剂量；S7、二次涂胶；S8、二次电子束曝光；S9、二次显影；S10、坚膜；S11、ICP刻蚀；S12、去胶。本发明提出一种可以制备周期
-
公开(公告)号：CN113299541A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110370199.7
申请日：2021-04-07
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种集成大面积二维材料器件制备工艺，属于半导体加工技术领域，其特征在于，至少包括：S1、预处理；S2、涂胶；S3、电子束曝光；S4、显影；S5、刻蚀；S6、涂胶；S7、套刻；S8、蒸镀；S9、剥离。本发明通过选择合适的光刻胶和显影液，采用光刻胶直接做套刻标记，以及刻蚀二维材料后不去胶直接再涂胶的巧妙方法解决了二维材料吸附力不强、二维材料在显影和剥离等工艺过程容易脱落的技术问题。另外采用电子束光刻的方式，相对于紫外光刻的方式，省去光刻掩模版的制作步骤，非常灵活和便捷，具有非常高的加工效率，同时具有纳米级的加工精度。
-
公开(公告)号：CN111537533A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010215865.5
申请日：2020-03-24
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
IPC分类号： G01N23/2005 , G01N1/28
摘要： 本发明公开了一种尖晶石微米颗粒的球差矫正TEM样品制备方法，属于材料加工技术领域，其特征在于，包括如下步骤：S1、制样和筛选颗粒，其中，制样过程：首先准备一片1cm×1cm硅片，用牙签或棉签蘸取适量粉末样品，将粉末样品蹭在上述硅片上；然后用高压氮气枪间断的吹5～10次；最后用双面碳胶带将硅片固定在样品台上；筛选颗粒过程：首先，进样后，移动样品台，在SEM下寻找单独的、无磨损的、待观察的截面垂直于硅片表面的颗粒；然后，通过旋转样品台，将要提取的颗粒截面方向转平；S2、沉积pt保护层；S3、挖大槽；S4、U形切，S5、提取薄片；S6、放样；S7、减薄和低电压清洗。
-
公开(公告)号：CN115016063A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210582973.5
申请日：2022-05-26
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
IPC分类号： G02B6/136
摘要： 本发明公开了一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，属于光芯片加工技术领域，包括：一、准备LNOI片；二、旋涂HSQ/ZEP：在LNOI片上旋涂HSQ/ZEP双层胶，ZEP为底层胶；对ZEP的厚度进行调控；三、光刻显影HSQ：利用电子束曝光波导图形，显影去除未曝光的HSQ；四、干法刻蚀ZEP：对刻蚀参数进行调控；五、分步刻蚀LN：首先利用CHF3和Ar等离子体进行短时间的常规刻蚀，然后利用CHF3等离子体进行更短时间的刻蚀，即利用化学刻蚀的各向同性减小LN波导的侧壁起伏，然后重复步骤五，直至完成刻蚀；六、去除HSQ/ZEP：采用丁酮溶液去除HSQ/ZEP掩膜。
-
公开(公告)号：CN114839716A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210780612.1
申请日：2022-07-05
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种可实现端面低粗糙度的光学调制器结构及制备方法，属于集成光学技术领域，其特征在于，从下到上依次包括：衬底层、光学过渡层、光学功能层、电光互联层、涂覆缓冲层、黏着固定层和陪片；其中：所述光学过渡层的材料折射率不高于光学功能层的材料折射率；所述光学功能层为导光层；所述电光互联层为电信号传输通路。本发明为解决不同材料的光学调制器封装过程中端面粗糙的问题；采用优化的结构配合加工工艺得到低粗糙度的端面，可适用于各种类型材料的光学调制器的封装工艺。
-
公开(公告)号：CN113299541B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110370199.7
申请日：2021-04-07
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种集成大面积二维材料器件制备工艺，属于半导体加工技术领域，其特征在于，至少包括：S1、预处理；S2、涂胶；S3、电子束曝光；S4、显影；S5、刻蚀；S6、涂胶；S7、套刻；S8、蒸镀；S9、剥离。本发明通过选择合适的光刻胶和显影液，采用光刻胶直接做套刻标记，以及刻蚀二维材料后不去胶直接再涂胶的巧妙方法解决了二维材料吸附力不强、二维材料在显影和剥离等工艺过程容易脱落的技术问题。另外采用电子束光刻的方式，相对于紫外光刻的方式，省去光刻掩模版的制作步骤，非常灵活和便捷，具有非常高的加工效率，同时具有纳米级的加工精度。
-
公开(公告)号：CN113448004A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110798895.8
申请日：2021-07-15
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种在二维材料上加工光栅的方法，属于半导体材料加工技术领域，其特征在于，包括如下步骤：S1、FIB加工套刻标记；S2、SEM拍照；S3、制作加工版图；S4、片源预处理；S5、涂胶；S6、EBL套刻；S7、显影；S8、RIE刻蚀；S9、去胶。本发明通过FIB在待加工位置周边直接刻蚀标记，然后将包括标记和待加工位置的SEM照片导入画图软件，根据SEM照片可以直观的判断出待加工位置的相对坐标和方向，然后通过EBL自动套刻的方式，将图形曝光在待加工区域。该方法可以实现加工位置误差小于500nm，角度误差小于0.1°；并且该方法工艺步骤较少，成本低，出错率低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
56 条记录 (耗时 0.042 秒)
