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公开(公告)号：CN118899261A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410991238.9
申请日：2024-07-23
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种高效制备高精度孔径尺寸玻璃通孔的方法，将激光改性后的玻璃晶圆浸没在酸性腐蚀液中，加超声并搅拌循环第一时间，在第一温度下腐蚀改性区域成为玻璃通孔；在第二温度下超声清洗，取出烘干，测量玻璃通孔孔径，获得玻璃通孔孔径测量值1；将玻璃晶圆浸没在碱性腐蚀液中，加超声并搅拌循环第二时间，在第三温度下腐蚀玻璃通孔，使玻璃通孔直径尺寸增加到目标值；在第二温度下超声清洗第二预设时间后，取出烘干，完成玻璃通孔制备。本发明通过利用酸性刻蚀液高刻蚀速率和碱性刻蚀液低刻蚀速率的特性，根据需要灵活选择，在保证玻璃通孔孔径高精度尺寸的前提下，大大提高制备的效率。
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公开(公告)号：CN118890045A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410966341.8
申请日：2024-07-18
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本申请提供一种基于双路径相位选择插值器的四分之一速率时钟恢复电路，属于高速集成电路领域，包括输入信号均衡器、多相采样时钟比较器、数字滤波器、相位选择/插值电路以及时钟锁定环路等多个电路模块。相较于传统基于全速率的相位选择/插值电路，本发明描述的数据时钟恢复电路时钟工作的最高频率为高速信号速率的一半，且实际使用的采样恢复时钟为高速信号频率的四分之一，有效降低了时钟系统的设计难度。同时通过额外引入一条基于DLL延时链锁定环路，提高系统锁定的稳定性，弥补由多相采样电路比较器、数字滤波器和相位选择/插值电路组成的反馈单环路失锁问题，有效的提供系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN118868830A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411044684.5
申请日：2024-08-01
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明公开一种高效电流复用型折叠共源共栅运算放大器，属于模拟集成电路领域，包括第一NMOS管～第十四NMOS管、第一PMOS管～第十二PMOS管、第一输出电容和第二输出电容；本发明在输入差分对处引入交叉耦合结构，通过短接交叉耦合结构中适当的节点和对交流小信号电流的复用实现将最终输出端处等效跨导的放大，最终电路可在相同偏置电流下实现更高的直流增益和环路带宽。此外因采用交叉耦合结构所构成的有源电流镜负载代替了输入差分对处的恒定电流源负载，所以当电路输入状态发生转换时其输出端可具有更大的动态电流和输出摆率。
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公开(公告)号：CN110061484B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201910463792.9
申请日：2019-05-30
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人： 王金刚
IPC分类号： H02H9/02
摘要： 本发明公开了一种过流保护电路模块，电流采样电路和过流保护延迟电路，电流采样电路包括采样电路、基准电路和比较器，采样电路、基准电路的输出端与比较器的输入端电连接，采样电路用于侦测电路中电流的大小，比较器将采样值与基准值进行比较，在采样值大于基准值时发出过流信号；过流保护延迟电路包括过流保护时间设置单元和过流回路MOS管控制单元，用于控制过流回路中的MOS管及保护时间。本发明解决电源的过流、短路等问题，该电路简单，保护时间可自由设定，不需增加辅助电路等优点，提高了电源电路的安全性及稳定性。
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公开(公告)号：CN118507395B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410924436.3
申请日：2024-07-11
申请人： 江南大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L21/67 , G06F30/23 , G06F113/18 , G06F119/02 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及自动化控制技术领域，尤其涉及一种基于芯片自动封装的多物理量协同控制方法。该方法包括以下步骤：获取芯片封装数据并进行多物理场参数化，获得物理场参数集；基于物理场参数集进行有限元失效模式预测，获得失效预测数据；根据失效预测数据进行芯片封装危险结构划分，获得芯片封装危险结构数据；对封装工艺数据进行最低失效风险参数优化，从而获得优化工艺参数集；基于优化工艺参数集进行低维物理参数相对密度计算，从而获得低维物理参数相对密度数据，并进行分析，从而获得种群顺序选择策略；根据种群顺序选择策略以及优化工艺参数集进行群体针对性生产控制策略分析，获得群体生产控制策略。本发明能降低封装过程的风险性。
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公开(公告)号：CN118625103A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410810810.7
申请日：2024-06-21
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开一种提高金手指老炼板兼容性的方法，属于集成电路领域。将老炼板侧转接板与老炼板通过金手指槽进行连接；驱动板侧转接板与驱动板通过金手指槽进行连接；将DB37高温连接线分别连接两侧转接板。将老炼板放入卧式老炼箱，驱动板放置于老炼箱顶部置板架上。本发明通过设计转接板，不需要大量信号源，可以有效减少卧式老炼箱资源闲置，故降低了老炼成本，提高了老炼箱使用率；在转接板的设计上进行创新，有效降低其成本，提高其可正常使用的次数；同时，减少其存在对老炼箱空间及产线人员操作的影响。
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公开(公告)号：CN114335139B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111424854.9
申请日：2021-11-26
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开一种基于FDSOIMOSFET的ESD结构及其制备方法，属于导体器件制备及ESD防护领域，隔离结构和沟道区均位于SOI衬底的上表面；绝缘介质层形成于沟道区的外部上表面；栅极形成于绝缘介质层的外部上表面；离子注入一区为借助栅极进行自对准注入形成；一次侧墙结构形成于栅极和绝缘介质层的两侧；离子注入二区为借助一次侧墙结构进行自对准注入形成；二次侧墙结构形成于一次侧墙结构的两侧；源漏区为借助二次侧墙结构进行自对准注入形成。本发明通过调整多级结构掺杂类型和浓度，能够有效的调整开启电压和维持电压，进而有效调整ESD窗口，达到2000V及以上的抗ESD能力，满足多种ESD需求场景。
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公开(公告)号：CN118535497A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410603506.5
申请日：2024-05-15
申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： G06F13/16 , G06F12/14 , G06F15/173
摘要： 本发明公开一种面向片上网络与NANDFLASH控制器的内存管理通信接口，属于集成电路领域。该内存管理通信接口在原通信接口的基础上，增加了内存管理单元，该内存管理单元由内存划分单元、访存校验单元及内存块信息缓存单元组成；其中内存划分单元对NANDFLASH存储颗粒分成不同大小的内存块进行管理，记录内存块的占用释放状态；内存块信息缓存单元记录已被占用的内存块的主机信息；访存校验单元校验主机访存请求操作的合法性。该种面向片上网络与NANDFLASH控制器的内存管理通信接口在保证多芯粒互联网络传输时，可接收多主机的访存请求，同时，缩短了共享数据访存的路径，降低了访存延迟，提高了多芯粒互联网络系统的性能。
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公开(公告)号：CN118520227A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410986735.X
申请日：2024-07-23
申请人： 江南大学 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要： 本发明属于微电子检测技术领域，涉及一种微电子产品异物缺陷检测方法、装置及可读存储介质；获取待检测微电子产品的异物缺陷碰撞信号，为异物缺陷碰撞信号的GMC稀疏去噪模型的惩罚项中各个稀疏系数设置权重，得到目标惩罚项；基于保真项和目标惩罚项，得到目标GMC稀疏去噪模型；并对目标GMC稀疏去噪模型迭代求解，得到异物缺陷碰撞信号的稀疏编码矩阵；利用稀疏编码矩阵对异物缺陷碰撞信号进行稀疏表示，得到目标异物缺陷碰撞信号，从而对待检测微电子产品进行异物缺陷检测；本申请尽可能地保留由于异物缺陷在腔体内发生滑动和碰撞而产生的碰撞信号，去除异物缺陷碰撞信号中的环境噪声，从而提高异物缺陷检测结果的准确性。
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