公开(公告)号：CN113178478A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110275040.7

申请日：2021-03-15

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 田国良 ,  许高博 ,  殷华湘 ,  刘金彪

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11585 ,  H01L29/78 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本发明涉及一种铁电薄膜及其沉积方法。一种铁电薄膜的沉积方法，包括：在半导体载体沉积HfO2基薄膜；在所述HfO2基薄膜上沉积顶电极；向所述顶电极注入离子；退火。或者，一种铁电薄膜的沉积方法，包括：向半导体载体注入离子；沉积HfO2基薄膜；在所述HfO2基薄膜上沉积顶电极；退火。本发明能够有效地减少氧化铪基铁电薄膜中的氧空位缺陷，从而提升其可靠性。

公开(公告)号：CN113174632A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110386117.8

申请日：2021-04-12

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 郭尔佳 ,  金桥 ,  荣东珂 ,  林珊 ,  陈爽 ,  陈盛如 ,  祁明群 ,  金奎娟

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/38 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本发明提供一种氮化铬薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：(1)制备多晶氮化铬靶材：将氯化铬粉末与氨基钠粉末混合，预烧后压成块状靶材，并再次烧结，得到多晶氮化铬靶材；(2)薄膜制备：将所述多晶氮化铬靶材置于脉冲激光沉积设备的真空腔体中，利用脉冲激光沉积在衬底上生长氮化铬薄膜。得到的CrN薄膜结晶质量高且化学组分配比均一。本发明操作简单，可重复性强，不受外界环境影响。可根据器件需要，制备不同厚度及反铁磁转变温度的氮化铬薄膜。

公开(公告)号：CN113161478A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110251717.3

申请日：2021-03-08

申请人： 湖北大学

发明人： 余昌昊 ,  刘耿硕 ,  孙晨 ,  郭冬迎 ,  王瑞龙 ,  杨昌平 ,  梁世恒

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G10L25/51

摘要： 本发明公开了一种基于人工智能的自旋电子声音识别器件及制备方法与应用。本发明利用自旋电子器件模拟人工神经网络器件，比基于CMOS的人工神经网络器件相比，具有非挥发、低功耗、高速和高集成度的优点。而同时，与磁性隧道结所做自旋器件相比，本发明器件主要利用自旋轨道转矩原理，在器件外侧，无需额外增加磁场进行驱动。此外，本发明器件可以表现出四种不同阻态,且无需设置中间态。通过转换后的激励微波电压调制，可以实现四个电阻间的转换，在单个器件即可实现两个比特的存储功能。

公开(公告)号：CN107771348B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201680035985.9

申请日：2016-05-23

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 李夏 ,  朱小春 ,  鲁宇

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 一种互补位单元包括第一磁隧道结(MTJ)器件，其具有耦合到第一存取晶体管的自由层并且具有耦合到位线的钉扎层。互补位单元还包括第二MTJ器件，其具有耦合到相同位线的自由层并且具有耦合到第二存取晶体管的钉扎层。

公开(公告)号：CN113113444A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110650247.8

申请日：2021-06-11

申请人： 南京南机智农农机科技研究院有限公司

发明人： 郑翔宇 ,  李梓漪

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G06F30/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明的一种内存内计算的金属基可编程逻辑电路及其制备方法，属于微电子技术领域，包括可编程逻辑门，可编程逻辑门由磁性材料构成，磁性材料的宽度处处相同，可编程逻辑门是由两根带有磁尖端的纳米线A与纳米线C组成的三接线端装置，两根带有磁尖端的纳米线A与纳米线C的一段重合构成带磁的易反转板的单根纳米线B，可以消除存储和计算之间的物理间隔，从而打破存储壁垒的限制，大大提高计算机的处理性能，集合了多种逻辑门于一体，实现了磁可编程逻辑器件的设计，未来可大大减少集成电路复杂逻辑门规模。

公开(公告)号：CN107958953B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201610898368.3

申请日：2016-10-14

申请人： 中电海康集团有限公司 ,  浙江驰拓科技有限公司

发明人： 刘鲁萍 ,  简红 ,  蒋信

IPC分类号： H01L43/12

摘要： 本发明提供了一种磁性隧道结的自由层的制备方法及磁性隧道结的制备方法。该磁性隧道结的自由层的制备方法包括采用沉积工艺设置自由层的各膜层，采用第一等离子体处理各膜层中的一层或多层，以及对第一等离子体处理后的各膜层中的一层或多层进行第一退火处理。利用第一退火处理对第一等离子体处理之后的一层或多层膜层进行原位热处理，进而减少或者消除第一等离子体处理可能造成的损伤或缺陷，改善自由层的表面特性，进而提高具有该自由层的磁性隧道结的综合性能，比如提高磁性隧道结的TMR值，降低其RA值。

公开(公告)号：CN113097379A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110361581.1

申请日：2021-04-02

申请人： 西安交通大学

发明人： 闵泰 ,  杜艳 ,  周雪 ,  柴正 ,  郭志新

IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本发明提供包括磁耦合的自旋振荡器阵列的振荡器装置及其制造方法。自旋转移矩纳米振荡器是一种利用自旋极化电流流过自由磁层时引起的磁矩进动来产生振荡信号的磁器件，其相对于传统的电子振荡器具有体积小、频率高等优点，但是单个自旋振荡器的输出功率较低。当使用自旋振荡器的阵列以提高输出功率时，阵列同步是一个难题。本发明利用共振增强单元将相邻的自旋振荡器彼此磁性耦合，使自由磁层的自旋进动彼此共振耦合到相同频率和相位，实现了阵列的同步输出，提高了输出功率。本发明具有结构简单，耦合强度大，耦合性能显著，易于制造等优点。

公开(公告)号：CN113078256A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010010415.2

申请日：2020-01-06

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 李晓华 ,  李煜

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

摘要： 一种磁随机存取存储单元及磁随机存取存储器的形成方法，磁随机存取存储单元包括：衬底，所述衬底包括若干有源区和位于有源区之间的隔离区；位于所述有源区上的栅极结构；位于所述有源区上和隔离区上的字线结构，所述字线结构的侧壁与所述栅极结构的侧壁相接触。所述磁随机存取存储单元的性能得到了提升。

公开(公告)号：CN112993151A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911215888.X

申请日：2019-12-02

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 周鸣

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部铁磁结构；在所述底部铁磁结构上形成缓冲材料层和非磁绝缘层；在所述非磁绝缘层上形成顶部铁磁结构。本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法中，底部铁磁结构和顶部铁磁结构的材料通常均包括FeCoB，缓冲材料层能够阻挡底部铁磁结构中的B离子扩散至非磁绝缘层中，缓冲材料层能够阻挡顶部铁磁结构中的B离子扩散至非磁绝缘层中，非磁绝缘层不易受到B离子的影响，具有较高的磁阻比，后续对底部铁磁结构、缓冲材料层、非磁绝缘层和顶部铁磁结构图形化后形成多个磁隧道结单元，使得磁隧道结单元的隧道磁阻效应较强。

公开(公告)号：CN112993150A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911305678.X

申请日：2019-12-18

申请人： 中国科学院金属研究所

发明人： 陈春林 ,  姚婷婷 ,  马秀良

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00

摘要： 本发明涉及二维铁电导电材料领域，具体为一种具有可调控、性质稳定及晶体取向均匀稳定的SrNbO3.5/SrNbO3二维铁电一维导电材料及其制备方法，适于多尺寸、高质量的集铁电性和导电性于一体的功能材料及器件的制备。首先采用钙钛矿陶瓷材料作为生长基体，在高温下通过脉冲激光沉积技术生长出SrNbO3.5薄膜，然后率先借助电子束辐照进一步在SrNbO3.5薄膜中诱发相变，生成贯穿薄膜的SrNbO3纳米线，从而制备出SrNbO3.5/SrNbO3二维铁电一维导电薄膜。本发明解决目前研究中铁电性与导电性难共存及导电性影响铁电性等问题，为新型铁电导电材料在光电器件、热电器件、压电器件等领域的研究和应用奠定基础。