发明公开
- 专利标题： 磁随机存取存储单元及磁随机存取存储器的形成方法
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申请号： CN202010010415.2申请日： 2020-01-06
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公开(公告)号： CN113078256A公开(公告)日： 2021-07-06
- 发明人: 李晓华 , 李煜
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 徐文欣
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; H01L43/12 ; G11C11/16
摘要：
一种磁随机存取存储单元及磁随机存取存储器的形成方法，磁随机存取存储单元包括：衬底，所述衬底包括若干有源区和位于有源区之间的隔离区；位于所述有源区上的栅极结构；位于所述有源区上和隔离区上的字线结构，所述字线结构的侧壁与所述栅极结构的侧壁相接触。所述磁随机存取存储单元的性能得到了提升。
IPC分类:
