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公开(公告)号：CN115148842A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210729723.X
申请日：2022-06-24
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种三端晶体管器件，所述三端晶体管器件包括自下而上依次设置的：位于沟道层下方的衬底；生长于衬底上的沟道层；完全覆盖沟道层的电极层；和离子液体层；还提供了其制备方法及紫外辐照计。本发明的三端晶体管器件由于其紫外光诱导的非易失性相变，能够感知、记忆紫外光激励。得益于与紫外光计量线性相关的相位转换比，该器件具有线性写入和良好的保持性能，并与输入的紫外光强度呈线性相关使得其在紫外光辐照计的应用方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114380340A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111438410.0
申请日：2021-11-30
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供一种无限层镍基超导体前驱物Nd1‑xSrxNiO3的制备方法，其包括如下步骤：(1)将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升温并置于富氧环境中，以进行退火处理；(2)对步骤(1)中退火处理后的产品进行降温，制得无限层镍基超导体前驱物Nd1‑xSrxNiO3，其中x为大于0小于等于0.33。本发明的方法操作简洁方便并且能够提高样品性质稳定，以及保证生长样品的重复性高。
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公开(公告)号：CN106997908A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610044188.9
申请日：2016-01-22
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L27/1443 , H01L31/101
摘要： 本发明提供了一种可见盲紫外光探测器单元及阵列，其中可见盲紫外光探测器单元包括：氧化物基片，所述氧化物基片的禁带宽度为3～5电子伏特；设在所述氧化物基片的表面上的第一电极和第二电极，所述第二电极具有通孔。本发明的可见盲紫外光探测器单元的电极材料可以是金属、石墨或其它导电材料。本发明的可见盲紫外光探测器阵列包括上述多个可见盲紫外光探测器单元，且所述多个可见盲紫外光探测器单元的第二电极电连接形成网状结构。可见盲紫外光探测器阵列能实现在可见光和红外光环境下对目标进行扫描探测、成像和跟踪。
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公开(公告)号：CN102909382A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110218950.8
申请日：2011-08-01
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： B22F9/04
摘要： 一种在有机溶剂中制备金属纳米颗粒的装置，包括有：一激光器，该激光器的光路上设置有一分束镜，将激光器的光路分成烧蚀光路和辐照光路；其中：烧蚀光路经过聚焦后通过一全反镜垂直照射在有机溶剂中的金属靶材上；辐照光路经过激光扩束器成为非聚焦激光对有机溶剂进行辐照；一吸收光谱仪，测量有机溶剂中金属纳米颗粒的大小和含量。本发明制备的金属纳米颗粒大小可控，颗粒度均一，且不含表面活性剂等化学杂质，可以广泛应用于生物、物理、化学等研究领域。
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公开(公告)号：CN101532944B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810101699.5
申请日：2008-03-11
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种光反射差法检测生物芯片装置中的小孔部件及检测方法，所述的小孔部件为一块不透明的金属或塑料平板上开一个小孔，该小孔的大小根据检测需要的探测光光斑大小和形状设计，并安装在可旋转90-360度的调节座上。检测方法：将小孔部件，设置在光反射差法的装置的入射光路中，入射光从小孔透过，小孔可绕垂直于光束的中心线和光的入射平面旋转，用改变入射光束形状的方法调节入射到被检测生物芯片表面的光斑形状，因此可以探测到仅为几十微米的生物样品点，真实地记录它们的信息，克服了斜入射光反射差法使入射到样品表面的光斑被拉长变大，难以高通量检测生物样品芯片的缺点和不足，实现对生物芯片的高通量检测。
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公开(公告)号：CN100594621C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200710175924.5
申请日：2007-10-16
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/109
摘要： 本发明提供一种高灵敏度光电位置探测器，包括：Si衬底、电极和电极；利用制膜的方法，把TiN薄膜外延生长在Si衬底上；利用镀膜或焊接的方法，在Si衬底的两边处制备电极电极和电极。当一个光点照射在探测器的表面时，用电压表测量电极和电极之间的电压，或在电极和TiN之间连接一个电压源，使TiN和Si构成的肖特基二极管工作在反偏压状态下，测量电极和电极之间的电流，即可按所测量的电压或电流来辨别其光点的位置。本发明提供的光电位置探测器，结构简单、线性好和具有灵敏度高，不需要额外的放大电路就可直接探测，而且可探测纳秒级的快脉冲信号。
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公开(公告)号：CN101651151A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810118114.0
申请日：2008-08-12
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/267 , H01L29/51 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种具有功能特性的异质结场效应管，包括在n型或p型衬底1上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极，在源极、漏极和槽上沉积栅绝缘材料，并且在源极和漏极之上的栅绝缘材料部分分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制备源电极，在漏电极引线孔内制备漏电极，在栅绝缘材料上制备栅电极7。源极和漏极还可以由两层或两层以上的钙钛矿氧化物p-n异质结材料组成。本发明提供的硅和氧化物场效应管不仅把钙钛矿氧化物和硅电子学结合起来，具有功能特性。
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公开(公告)号：CN101651150A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810118113.6
申请日：2008-08-12
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/267 , H01L29/51 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及全氧化物异质结场效应管，包括在n型或p型衬底上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极，在源极、漏极和槽上沉积栅绝缘材料层，并且在位于源极和漏极之上的栅绝缘材料层上分别刻蚀一源电极引线孔和漏电极引线孔，在该源电极引线孔内制备源电极，在漏电极引线孔内制备漏电极，在栅绝缘材料上制备栅电极。由于本发明提供的全氧化物场效应管不仅具有功能特性，而且，由于钙钛矿氧化物材料的禁带宽度比较大，熔点也比较高，因而该全氧化物异质结场效应管也可工作在较高温度等特殊环境条件下。
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公开(公告)号：CN101546087A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910008646.3
申请日：2009-02-09
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供了一种固态非线性体材料，所述的材料是含有贵金属纳米颗粒的聚合物材料，所述的材料的厚度至少1mm，优选1cm－80cm，最优选1cm－50cm，并且所述的材料三阶非线性系数为10－6－10－9esu，本发明还提供了该材料的制备方法。通过本发明方法制得的光学材料性质稳定，无毒无害，适合在光学器件方面的应用。并且该材料的制备工艺简单、易于操作、成本低。
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