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公开(公告)号：CN117832346A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311858101.8
申请日：2023-12-29
申请人： 天津工业大学 , 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本发明公开了一种InGaN基红黄光LED外延薄膜结构，包括：从下到上依次设置的衬底、缓冲层、第一uGaN层、第一应力释放层、第二uGaN层、第二应力释放层、第三uGaN层、nGaN层、第三应力释放层、多量子阱发光层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、P型GaN接触层和ITO透明导电薄膜层，还包括穿过所述ITO透明导电薄膜层与所述P型GaN接触层相接的P‑Pad，以及与nGaN层的露出部分相接的N‑Pad。本发明显著提升了GaN外延整体的垒晶质量，同时有效地解决了应力释放问题，获得了一种高质量的红黄InGaN基LED外延垒晶薄膜层。
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公开(公告)号：CN117832342A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410234218.7
申请日：2024-03-01
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种LED外延片及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长复合缓冲层；所述复合缓冲层的生长步骤包括：采用PVD工艺在所述衬底上溅射多晶AlN溅射层；采用MOCVD工艺在所述多晶AlN溅射层上以三维模式生长三维AlN过渡层；采用MOCVD工艺在所述三维AlN过渡层上以三维模式生长三维单晶AlGaN层；采用MOCVD工艺在所述三维单晶AlGaN层上以二维模式依次生长二维单晶AlGaN层及二维单晶GaN层。有效降低GaN外延材料与异质衬底之间的晶格失配和热失配，并充分释放GaN外延材料的应力，从而减少GaN外延材料在生长过程中缺陷的产生，降低位错密度，显著改善外延片材料的质量，提高发光二极管的良率和亮度等性能。
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公开(公告)号：CN117374177A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311534272.5
申请日：2023-11-17
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种LED外延片、制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供一蓝宝石衬底，于蓝宝石衬底上沉积外延层；于外延层上蒸镀Au金属层；提供一单晶Si衬底，以惰性气体为离子束，对单晶Si衬底的上表面进行离子束轰击，以将单晶Si衬底自上而下区隔为无定型Si层及单晶Si层；将Au金属层压合于无定型Si层上，并于预设键合条件下完成键合，以形成中间材料；剥离中间材料中的蓝宝石衬底，以形成LED外延片。通过离子束轰击使单晶Si衬底的上表面的单晶结构转变为无定型结构，键合时，无定型Si层被均匀溶解，使得Au‑Si共熔液中的Si含量己接近饱和点，进而在单晶Si层中只能形成小坑，降低了大的空洞的产生概率。
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公开(公告)号：CN117219709A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311378786.6
申请日：2023-10-24
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种提升ESD性能的LED正极性外延结构及其制备方法，属于光电子技术领域，从下至上依次包括：衬底、缓冲层、分布式DBR层、N型半导体层、多量子阱有源区、P型半导体层及P型电流扩展层；分布式DBR层从下至上依次包括A型分布式DBR层、过渡层和B型分布式DBR层，A型分布式DBR层为AlAs层和AlGaAs层交替排列的周期性结构，过渡层为As/P比例渐变结构，B型分布式DBR层为AlAsP层和AlGaAsP层交替排列的周期性结构。DBR层采用AlAsP层和AlGaAsP层交替排列的周期性结构，具有更好的晶格适配度且结构容易精准控制，提高了芯片的ESD性能。
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公开(公告)号：CN117174797A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311389961.1
申请日：2023-10-25
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述电子阻挡层包括Mn/Zn共掺的AlxInyGa1‑x‑yN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN116779736A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310883170.8
申请日：2023-07-18
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应变调控层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述应变调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的InAlN层、MgN纳米岛层、二维AlGaN层和InxGa(1‑x)N/GaN超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能够缓解现有技术中存在的晶体质量差，发光效率低且波长亮度均匀性偏低的问题。
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公开(公告)号：CN116490984A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180074339.4
申请日：2021-10-29
申请人： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
发明人： 亚德里恩·阿夫拉梅斯库 , 诺温·文马尔姆 , 彼得·施陶斯
IPC分类号： H01L33/16
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体本体的方法，其中提供辅助载体。在所述辅助载体上产生层序列，其包括具有掺杂的半导体材料的第一层和在其上施加的第二层，所述第二层具有未掺杂的半导体材料。将层序列的第一层电化学地多孔化，其中孔隙度为至少20体积％。然后在经多孔化的第一层和第二层中构成台地结构并且产生具有至少一个平坦的第三层的功能性的层序列，所述第三层施加在设有台地结构的第二层上。至少一个平坦的第三层具有与第二层不同的晶格常数。
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公开(公告)号：CN116325190A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067477.X
申请日：2021-08-04
申请人： 波拉科技有限公司
IPC分类号： H01L33/16
摘要： 一种制造LED装置的方法包括步骤：在III族‑氮化物材料的多孔区域上方形成III族‑氮化物材料的n掺杂连接层；在该n掺杂连接层上形成第一电绝缘掩模层；移除该第一掩模层的一部分以暴露该n掺杂连接层的第一暴露区域；在该n掺杂连接层的该第一暴露区域上形成配置成以第一发射波长发光的第一LED结构；在该第一LED结构及该n掺杂连接层上方形成第二电绝缘掩模层；移除该第二掩模层的一部分以暴露该n掺杂连接层的第二暴露区域；及在该n掺杂连接层的该第二暴露区域上形成被配置成以与第一发射波长不同的第二发射波长发光的第二LED结构。本文还提供了LED装置、LED的阵列及三色LED装置。
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公开(公告)号：CN116072789A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211017892.7
申请日：2022-08-24
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/16 , H01L33/04 , H10K50/844 , H10K59/124 , H01L27/15
摘要： 提供了一种发光元件和包括该发光元件的显示装置。所述发光元件可以包括：发光元件芯，包括第一半导体层、第二半导体层和在第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；以及单晶绝缘层，在发光元件芯的侧表面周围。
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公开(公告)号：CN115210885A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180019222.6
申请日：2021-01-22
申请人： 波拉科技有限公司
IPC分类号： H01L33/16
摘要： 一种红色发光二极管(LED)包括：n掺杂部分；p掺杂部分；以及位于n掺杂部分与p掺杂部分之间的发光区域。发光区域包括：发光氮化铟镓层，其在跨越其的电偏压下发射峰值波长在600nm至750nm之间的光；III族氮化物层，其位于发光氮化铟镓层上；以及III族氮化物势垒层，其位于III族氮化物层上，并且发光二极管包括III族氮化物材料的多孔区域。还提供了红色小型LED、红色微型LED、微型LED阵列、以及制造红色LED的方法。
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