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公开(公告)号：CN106019192B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201610326248.6
申请日：2016-05-16
Applicant: 浙江大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了种用于校准无源互调测试系统相位的方法。在无源互调测试系统中,使用磁性材料垫片作为校准件进行测量,用两路相干信号源通过注入端口输入到磁性材料垫片中产生无源互调信号,通过测试电路或测试仪器测量注入端口获得系列合成源互调信号的幅度和相位;使用获得带有校准件的相位信息对待测器件的相位信息进行校准,测量出待测器件基于扫频间隔相对于注入端口的相位信息。本发明方法可准确测量出待测器件基于扫频间隔相对于注入端口的相位信息,以便应用于无源互调性质,无源互调定位等方面的研究。
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公开(公告)号：CN105959069B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610247524.X
申请日：2016-04-20
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于多因素的用于接触无源互调性能的测试装置，包括金属背板、连杆、加力装置、开放式微带结构、PIM测试系统、加热器、温湿度传感器、加湿器、以及用于振动连杆的振动系统；所述开放式微带结构包括自下到上依次设置的接地底板、分离式介质层及导体层。本发明能够实现待测镀层无源互调值与多室外环境因素之间协同评估。
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公开(公告)号：CN105200390B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510603381.7
申请日：2015-09-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/26 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，并通过对工艺过程进行改进和优化设计，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，同时工艺稳定性高，在室温大气下放置半年，基片二次电子发射系数变化小于10％，本发明在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105071048B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510519735.X
申请日：2015-08-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种网状反射面天线无源互调量的确定方法，步骤如下：建立网状反射面天线等效模型；对网状反射面天线等效模型分别加载载波信号，求出面电流分布；计算网状反射面天线等效固面天线模型搭接电压；建立金属丝搭接处的无源互调分析模型，并得到各阶互调电流；选取网状反射面上ml个空间采样点，并计算等效固面天线模型上对应的ml个空间坐标采样点的无源互调量。本发明解决了电大尺寸网状反射面天线无源互调量无法通过计算分析获得的技术难题。
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公开(公告)号：CN107154826A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710292990.4
申请日：2017-04-28
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B17/29
Abstract: 一种确定大功率微波部件高阶无源互调电平的方法，(1)预先给定载波频率分别为f1和f2，互调频率为fp(|m|+|n|)＝m*f1+n*f2且为正值，其中，m，n均为非零整数且符号相反并且二者的绝对值差值为1；(2)预先给定N个功率的3阶无源互调电平测量值Pmea3(i),i＝1…N，其中无源互调测量时输入的两路载波信号总功率为Ps(i)，两路载波功率相等，Pc(i)为第i个测试用单路载波功率；(3)获得最小时对应的无源互调输入对数和输出对数之间非线性关系的系数，其中PIM3(i)为载波频率为f1和f2，载波功率相等且均为Pc(i)时在频率fp3处的互调电平；(4)根据(3)获得的系数，确定|m|+|n|阶的无源互调电平PIM(|m|+|n|)(i)，PIM(|m|+|n|)(i)为载波频率为f1和f2，载波功率相等且均为Pc(i)时在频率fp(|m|+|n|)处的互调电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107104332A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710179476.X
申请日：2017-03-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种无源互调抑制同轴连接器，该电连接器阴头内导体的内侧或者阳头内导体外侧上均匀平整镀覆内导体介质层，使得阳头内导体与阴头内导体之间不存在金属接触；阴头外导体和/或阳头外导体端部从内至外镀覆有外导体介质层，使阴头外导体与阳头外导体之间不存在金属接触。所述内导体介质层和外导体介质层材料为硅、硅类化合物、聚碳酸酯类材料或者聚合物材料。该连接器可以实现无源互调抑制，具有稳定性高、无源互调抑制效果显著等特点，满足航天器及地面通信系统的低无源互调要求，具有广泛的工程应用前景。
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公开(公告)号：CN106835077A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710042283.X
申请日：2017-01-20
Applicant: 陕西科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
CPC classification number: C23C18/04 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , C23C18/1648 , C23C18/165 , C23C18/44 , C23F1/14 , C23F1/20 , C23F1/30
Abstract: 本发明公开了一种抑制微放电效应的多孔Au涂层的制备方法，首先在镀银铝合金表面构筑多孔结构，然后通过溶胶凝胶法在多孔结构表面随形沉积TiO2薄膜，最后采用化学镀法在TiO2薄膜表面制备Au薄膜，从而在镀银铝合金表面形成一种抑制微放电效应的多孔Au涂层，可极大提高镀银铝合金表面的孔隙率和孔数量，从而提高镀银铝合金表面的微放电抑制特性及其环境稳定性。
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公开(公告)号：CN106353562A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610850495.6
申请日：2016-09-26
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用交流激励测量微弱非线性电流-电压特性的方法，包括步骤：按照测量电路图连接信号源、待测件、谐波分析仪和采样电阻；设定交流正弦激励电压信号频率；调节激励电压信号的振幅，测量各阶谐波信号的振幅；根据测量数据计算待测件电流-电压关系中各项的系数；根据获得的系数计算待测件非线性电流-电压关系；本发明通过采用交流电压信号激励待测件，实现了强的线性项和微弱非线性项在频率空间的分离，从而获得比线性背景低1～3个数量级的非线性电流-电压特性；解决了传统的直流方式和测试设备通用性较差的问题。
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公开(公告)号：CN104091050B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410286017.8
申请日：2014-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种确定非均匀场分布多载波微放电二次电子数目的方法，首先对非均匀电场分布区域的横截面进行等分，对每个细分区域进行多载波二次电子统计累积，获得每个细分区域的电子数目后，以二次电子的扩散特性对不同的区间进行二次电子数目的重新分配，以分配后的二次电子数目为初始数目对每个区间再进行二次电子数目统计累积，从而获得非均匀场分布时多载波微放电二次电子数目。
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公开(公告)号：CN106044757A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610378294.0
申请日：2016-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2004/04
Abstract: 一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构：在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5至0.9的可控调节。该技术简单方便，稳定性高，表面无损的状态下涂覆纳米级厚度的导电镀层对器件表面插入损耗影响较小。此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
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