公开(公告)号：CN118176591A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280073151.2

申请日：2022-10-28

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置包括：具有主面的芯片；包覆上述主面的主面电极；空出间隔地配置在上述主面电极之上的多个柱状电极；以及使多个上述柱状电极的一部分露出的方式，在上述主面电极之上包覆多个上述柱状电极之间的区域的封固绝缘体；以及在上述封固绝缘体之上包覆至少一个上述柱状电极的至少一个端子膜。

公开(公告)号：CN118176578A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072953.1

申请日：2022-10-28

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装体，包含：裸片焊盘；半导体装置，其配置在所述裸片焊盘之上，并具有：芯片，其具有主面；主面电极，其配置在所述主面之上；端子电极，其配置在所述主面电极之上；以及密封绝缘体，其包含第一基质树脂和多个第一填料，并以使所述端子电极的一部分露出的方式在所述主面之上覆盖所述端子电极的周围；封装体主体，其包含第二基质树脂和多个第二填料，并以覆盖所述密封绝缘体的方式密封所述裸片焊盘和所述半导体装置。

公开(公告)号：CN117747547A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311784018.0

申请日：2020-05-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  山本兼司 ,  森诚悟

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: SiC半导体装置包括：具有主面的第一导电型的SiC半导体层；形成于上述主面且具有侧壁以及底壁的源极沟槽；埋设于上述源极沟槽且具有在上述源极沟槽的上述侧壁与上述源极沟槽的开口侧的区域相接的侧壁接触部的源极电极；在上述主面的表层部中形成于沿上述源极沟槽的区域的第二导电型的主体区域；以及在上述主体区域的表层部中与上述源极电极的上述侧壁接触部电连接的第一导电型的源极区域。

公开(公告)号：CN117423733A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311324980.6

申请日：2014-03-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。

公开(公告)号：CN110226234B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880008179.1

申请日：2018-01-25

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含：半导体层，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；单位单元，其包含：在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成的第一导电型的二极管区域、在所述半导体层的所述第一主面的表层部沿着所述二极管区域的周缘形成的第二导电型的阱区、以及在所述阱区的表层部形成的第一导电型区域；栅极电极层，其隔着栅极绝缘层与所述阱区及所述第一导电型区域对置；以及第一主面电极，其在所述半导体层的所述第一主面上包覆所述二极管区域和所述第一导电型区域，并在与所述二极管区域之间形成肖特基接合，且在与所述第一导电型区域之间形成欧姆接合。

公开(公告)号：CN116783715A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180092319.X

申请日：2021-11-18

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 山本兼司 ,  中野佑纪

IPC: H01L29/872

Abstract: 一种SiC半导体装置，其包含：具有主面的SiC芯片、以及形成于上述主面的表层部且具有被至少两种5价元素调整了的杂质浓度的n型漂移区域。

公开(公告)号：CN116314289A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211546791.9

申请日：2014-03-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。

公开(公告)号：CN115917757A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180042653.4

申请日：2021-07-16

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 森诚悟 ,  山本兼司 ,  白神弘章 ,  中野佑纪 ,  美浓出圭悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: SiC半导体装置包括：SiC芯片，其具有主面；沟槽栅极构造，其形成于上述主面；沟槽源极构造，其在一方方向上从上述沟槽栅极构造分离地形成于上述主面；绝缘膜，其在上述主面之上包覆上述沟槽栅极构造以及上述沟槽源极构造；栅极主面电极，其形成于上述绝缘膜之上；以及栅极配线，其以在上述一方方向上横穿上述沟槽栅极构造以及上述沟槽源极构造的方式，从上述栅极主面电极被引出至上述绝缘膜之上，贯通上述绝缘膜而与上述沟槽栅极构造电连接，且隔着上述绝缘膜而与上述沟槽源极构造对置。

公开(公告)号：CN107004714B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201580062793.2

申请日：2015-11-13

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明的半导体装置，包含：半导体层；在所述半导体层中划分第1导电型的源极区域的栅极沟槽；所述源极区域的下部的第2导电型的沟道区域；贯通所述源极区域及所述沟道区域的源极沟槽；所述源极沟槽的底部及侧部的第2导电型的杂质区域；所述半导体层上的源极电极；以及具有比所述杂质区域高的浓度的第2导电型的高浓度杂质区域，其在所述半导体层的表面具有与所述源极电极连接的接触部，并且贯通所述源极区域而延伸到比所述源极区域深的位置。

公开(公告)号：CN107431094B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201680019148.7

申请日：2016-02-08

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中野佑纪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明的半导体装置包含：半导体层，包含有源部和栅极指状物部；MIS晶体管，被形成于所述有源部，并且，包含栅极沟槽、以及依次沿着所述栅极沟槽的侧面的源极区域、沟道区域和漏极区域；多个第一栅极指状物沟槽，在所述栅极指状物部中由所述栅极沟槽的延长部构成；栅极电极，埋入到所述栅极沟槽和所述第一栅极指状物沟槽中；第二导电型的第一底部杂质区域，被形成于所述第一栅极指状物沟槽的至少底部；栅极指状物，横穿过所述多个第一栅极指状物沟槽，电连接于所述栅极电极；以及第二导电型的电场缓和区域，在相邻的所述第一栅极指状物沟槽之间形成得比所述第一栅极指状物沟槽的底部深。