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公开(公告)号：CN103094025B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310015533.2
申请日：2013-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/24 , H01J23/027 , H01J23/54
Abstract: 本发明公开了一种大功率毫米波与太赫兹辐射源装置，包括第一低频段慢波结构、第二低频段慢波结构和高频段慢波结构，所述第一低频段慢波结构一端设有低频信号接口和电子束接口，所述第二低频段慢波结构一端设有信号接口，所述高频段慢波结构设有输出端口；所述第一低频段慢波结构与第二低频段慢波结构之间连接有第一漂移管，所述第二低频段慢波结构与高频段慢波结构之间连接有第二漂移管。本发明能够获得稳定的大功率太赫兹辐射源，同时具有技术成熟、结构简单、成本低的特点。
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公开(公告)号：CN103065226B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310001901.8
申请日：2013-01-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为水电站水库长期优化调度决策水位的确定方法，已知水库上游水位Z(m,t)，入库流量Qin(m,t)，二者关系Q(Z)，m为控制期，t为控制时段。本法为：Ⅰ,以当前时刻的水位值Z(m0，t0′)为初始水位值，m0为当前控制期，当前时刻t0′所属时段为t0。Ⅱ,求取与初始水位值最接近的历史时段水位值Z(mi,t0)；Ⅲ,求取t0+1时段水位值Z(mi,t0+1)＝Z1(m1,t0+1)。Ⅳ-1,由Z(mi,t0)查取t0+1时段入库流量Qin(mi,t0+1)；Ⅳ-2,由Qin(mi,t0+1)在Q(Z)得对应的水位Z'(t0+1)。Ⅳ-3,由Z'(t0+1)求取t0+1时段水位值Z2(m2,t0+1)。Ⅴ,求下一控制期的初始时段水位水库优化调度决策水位值[Z1(m1,t0+1)+Z2(m2,t0+1)]/2。本法只需水库的水位、流量历史数据，易于使用，计算快，有利提高发电量。
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公开(公告)号：CN102820305B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210244462.9
申请日：2012-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种混合晶面应变Si垂直沟道CMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备一片SOI衬底，上层基体材料为（100）晶面，下层基体材料为（110）晶面；在600～800℃，在PMOS有源区刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（110）的多层结构的应变Si PMOS有源层，在该有源层上制备垂直沟道的压应变PMOS；在NMOS有源区刻蚀出深槽，选择性生长晶面为（100）的多层结构的应变SiNMOS有源层，在该外延层上制备平面沟道的张应变NMOS，构成导电沟道为22～45nm的应变Si混合晶面CMOS集成电路；本发明充分利用应变Si材料迁移率高于体Si材料和应变Si材料应力与迁移率各向异性的特点，基于SOI衬底，制备出了性能优异的应变Si混合晶面CMOS集成器件及电路。
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公开(公告)号：CN104200232A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410443591.X
申请日：2014-09-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于滑动窗融合的两次稀疏表示的图像处理方法，主要解决现有技术中乳腺肿块检测精确度低的问题，其实现步骤是：(1)读入图像；(2)预处理；(3)提取训练集图像和目标图像的灰度特征；(4)第一次稀疏表示：；(5)滑动窗融合；(6)区域生长；(7)提取ROI区域灰度特征；(8)第二次稀疏表示。本发明既可以提高乳腺肿块的检测率，精确的表示出乳腺肿块的方位信息，又可以降低乳腺肿块检测的假阳性率，提高了检测的精确度，本发明可用于从乳腺钼靶X线图像中快速地检测出可疑肿块区域，并且将可疑肿块区域标示出来。
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公开(公告)号：CN103440501A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310392891.5
申请日：2013-09-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非参数空间判决隐狄利克雷模型的场景分类方法。主要解决现有的分类方法中不包含场景空间信息的缺点。其实现步骤是：（1）输入图像；（2）提取图像块特征；（3）初始化非参数空间判决隐狄利克雷模型参数；（4）建立非参数空间判决隐狄利克雷模型；（5）图像场景分类。本发明利用了含有空间信息的图像块，可以更为丰富的描述图像场景，提高了图像场景分类的准确率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102810568A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210244400.8
申请日：2012-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种用微米级工艺制备应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法，该方法通过外延材料制备步骤、隔离制备步骤、漏连接区制备步骤和PMOS形成步骤，形成PMOS器件；最后通过构成PMOS集成电路步骤构成导电沟道长度为22～45nm的PMOS集成电路，本发明利用压应变Si空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在微米级Si集成电路加工工艺平台上，在低温下制造出性能优异的应变Si垂直沟道PMOS集成器件及电路。
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公开(公告)号：CN102751279A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210243597.3
申请日：2012-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/8249
Abstract: 本发明公开了一种基于晶面选择的双应变BiCMOS集成器件及制备方法，包括：在Si衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区区域，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，制备发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；在NMOS器件区域刻蚀出深槽，沿（100）晶面选择性生长应变Si外延层，在该区域制备应变Si沟道NMOS器件；在PMOS器件有源区，沿晶面（110）选择性生长应变SiGe外延层，在该区域制备PMOS器件等。本发明充分利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料空穴迁移率高于体Si材料特点，以及晶面对迁移率的影响，制备出了性能增强的双应变BiCMOS集成器件及电路。
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公开(公告)号：CN102738160A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210244288.8
申请日：2012-07-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L21/8249
Abstract: 本发明公开了一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，制备深槽隔离，形成集电极、基极以及发射极接触区，形成SiGe HBT器件；光刻PMOS器件有源区，在该有源区连续生长7层材料，制备漏极和栅极，形成PMOS器件；光刻NMOS器件有源区沟槽，在该有源区连续生长4层材料，制备栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件，光刻引线孔，合金，光刻引线，构成CMOS导电沟道为22～45nm的基于回型沟道工艺的混合晶面SOI BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点，在600～800℃，制备出了性能增强的混合晶面SOI BiCMOS集成电路。
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公开(公告)号：CN102129576A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110047076.6
申请日：2011-02-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全天空极光图像占空比参数的提取方法，主要解决现有技术只能对具有明显形状和边界的光斑进行分割导致占空比参数误差较大的缺陷。其特定是根据极光在天空所呈现的不同形态采用相应分割方法，即首先对全天空极光图像进行预处理；然后确定光斑区域最优分割阈值，对光斑区域进行分割；接着根据光线区域与背景天空区域纹理结构的差异，对光线区域进行分割；最后根据光斑和光线区域的分割结果，计算占空比参数。本发明通过灰度特征确定光斑分割阈值，对无明显形状或边界的光斑也能精确分割，并根据纹理特征实现光线区域的成功分割，有效降低了占空比参数的误差，可用于复杂形态的极光区域从天空背景区域的分割。
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公开(公告)号：CN101958000A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010289330.9
申请日：2010-09-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏表示的人脸画像-照片生成方法，主要解决现有方法生成的伪画像和伪照片清晰度低细节模糊的问题。其实现过程是：用现有的伪画像和伪照片生成方法生成初始伪画像和伪照片；对所有的图像分块后，利用训练样本集训练出画像块字典和照片块字典；利用这两个字典根据输入的测试照片块或测试画像块，合成高清晰度特征信息；将得到的高清晰度特征信息和对应的初始伪画像块或伪照片块相加得到最终的高清晰度的伪画像块或伪照片块；对所有的高清晰度的伪画像块或伪照片块进行融合即可得到一幅完整的伪画像或伪照片。本发明方法与现有方法相比，生成的伪画像和伪照片具有清晰度高细节明显的优点，可用于人脸识别和人脸检索。
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