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公开(公告)号：CN117600734A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311372015.6
申请日：2023-10-20
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种定位治具。该定位治具包括：定位底座和定位盖板以及顶升机构，所述定位底座用于放置基板，所述定位盖板盖设在所述定位底座上，所述基板位于所述定位盖板与所述定位底座之间；其中，所述顶升机构包括驱动部和顶升部，所述驱动部与所述顶升部连接，所述顶升部设于所述定位底座中，所述驱动部用于驱动所述顶升部竖直顶升所述定位盖板。通过本发明，相对于现有的手工脱模，采用顶升机构顶升脱模，实现了施加力均匀平行于脱模方向，避免了由于人工施力不均导致定位盖板倾斜而造成的部件损伤，提高焊接质量，提高脱模的便捷性。
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公开(公告)号：CN117594634A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311691512.2
申请日：2023-12-08
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底、外延层、栅极结构、第一掺杂结构以及第二掺杂结构；第一掺杂结构包括第一掺杂部、第二掺杂部以及第三掺杂部，第二掺杂部和第三掺杂部分别位于第一掺杂部远离衬底的一侧，在第一方向上第二掺杂部位于第三掺杂部远离栅极结构的一侧，第一掺杂部的掺杂类型和第三掺杂部的掺杂类型不同；第二掺杂结构包括第四掺杂部、第五掺杂部以及第六掺杂部，第五掺杂部和第六掺杂部位于第四掺杂部远离衬底的一侧，在第一方向上第六掺杂部位于第五掺杂部远离栅极结构的一侧，第四掺杂部的掺杂类型和第五掺杂部的掺杂类型不同。上述半导体器件解决了现有技术中半导体器件的沟槽栅底部高电场集中的现象。
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公开(公告)号：CN117558650A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311350539.5
申请日：2023-10-17
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆快速热退火用导热载具，包括：基板，基板为两个，两个基板相对地设置；连接结构，连接结构设置于两个基板之间，连接结构的两端分别与两个基板连接，连接结构和两个基板之间形成用于容纳碳化硅晶圆的容纳空间，至少部分的连接结构形成将外界与容纳空间连通的导流通道，基板用于对碳化硅晶圆进行辅助加热作业。采用本申请的技术方案，有效地解决了现有技术中导热载具结构设计不合理导致的碳化硅晶圆成品质量差的问题。
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公开(公告)号：CN117492379A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311789255.6
申请日：2023-12-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
IPC: G05B15/02 , G05B19/418
Abstract: 本申请公开了一种电器设备功能推荐方法、装置和电子设备及电器设备，属于电器设备领域；在接收到用户请求时，确定第二功能集合以及确定第三功能集合，最终取交集得到第四功能集合。其中，第二功能集合内为电器设备由第一功能可以直接进入的功能，无需多次改变电器设备的功能状态，第三功能集合内为当前时刻电器设备适合使用的功能。历史使用次数越少说明用户可能不知道在当前情况下使用该功能，因此将历史使用次数最少的目标第四功能作为目标功能，并推荐给用户。本申请方案能够向用户推荐用户使用次数最少的功能，且推荐的功能由当前功能切换时转换次数少且转换后最适合当前情形，避免了电器设备具有相应功能却无法为用户提供的情况的发生。
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公开(公告)号：CN117334196A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311403990.9
申请日：2023-10-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种控制方法、装置、设备及存储介质，通过获取用户的意图信息、区域内的设备信息、环境信息和回复语格式；将所述意图信息、所述设备信息、所述环境信息和所述回复语格式输入至大语言模型中确定目标设备的控制指令和回复语格式对应的回复语；基于所述目标设备的控制指令控制对应的目标设备工作，并输出所述回复语，能够帮助用户确定合适的控制指令，且能够实现对设备进行更高效地控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316840A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311349115.7
申请日：2023-10-17
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆快速热退火用载具及其制造方法，碳化硅晶圆快速热退火用载具包括：托盘(10)，托盘(10)具有承载碳化硅晶圆的支撑部(40)；导热衬片(20)，导热衬片(20)位于托盘(10)的内侧并与托盘(10)连接，导热衬片(20)与碳化硅晶圆相对设置，导热衬片(20)用于对碳化硅晶圆执行辅助加热作业。本申请解决了现有技术中的由于碳化硅晶圆快速热退火用载具的结构设计不合理导致的碳化硅晶圆的成品质量差的问题。
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公开(公告)号：CN117238971A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311503264.4
申请日：2023-11-13
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件中，基底具有沟槽；第一阱区位于基底中且与沟槽的底部接触，第二阱区位于沟槽至少一侧的基底中，第一阱区与第二阱区的掺杂类型相同；第一掺杂区位于第一阱区中，第二掺杂区位于第二阱区中，第一掺杂区、第二掺杂区和基底的掺杂类型相同，且不同于第一阱区，第一掺杂区和第一阱区的部分表面构成沟槽的部分底壁，第二掺杂区和第二阱区的部分表面构成沟槽的部分侧壁；栅极结构至少覆盖沟槽的侧壁、沟槽的底壁中第一阱区的部分表面和第一掺杂区的部分表面；第一金属层位于基底远离沟槽的表面上，第二金属层位于第一掺杂区和第二掺杂区远离第一金属层的表面上。本申请的半导体器件的导通阻抗低。
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公开(公告)号：CN117194645A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311351919.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海联云科技有限公司
IPC: G06F16/332 , G06F16/33 , G06F16/35 , G06F40/194 , G06F40/30
Abstract: 本申请涉及语音控制及数据挖掘领域，公开了一种数据挖掘方法、装置、存储介质及智能设备。所述方法包括：通过预设情感分析模型对初始数据进行处理获得处理后的数据，从处理后的数据中删除情感极性为正面情绪的数据以获得待挖掘数据；对待挖掘数据进行向量化获得向量化结果，并根据向量化结果从标准语料向量化数据库中进行相似度匹配，获得相似度匹配结果；在相似度匹配结果位于预设阈值区间的情况下，保存向量化结果对应的待挖掘数据，并根据待挖掘数据确定待挖掘的功能需求。结合情感分析和语义相似度来挖掘用户语音交互数据，可定位一些不完善的功能、未能正常支持的请求以及从用户的交互中挖掘新功能。
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公开(公告)号：CN117102621A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311266429.0
申请日：2023-09-27
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: B23K3/08 , B23K1/012 , B23K101/36
Abstract: 本申请涉及焊接治具技术领域，尤其涉及一种定位治具，该定位治具用于定位基板和插针，基板设置于底板上；定位治具包括：定位框，设置于底板上，用于定位底板上的基板；以及定位组件，活动设置于定位框上，定位组件上设置有用于定位插针的定位通道，定位组件与定位框保持随动，以使定位通道垂直于基板的表面，该定位治具可以针对不同拱度的底板进行插针的定位，降低开模成本。
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公开(公告)号：CN116936622A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310900854.4
申请日：2023-07-20
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L21/285
Abstract: 本申请公开了一种欧姆接触电极、其制备方法及碳化硅半导体器件。该欧姆接触电极包括：欧姆接触层，具有第一表面；阻挡结构，位于欧姆接触层的具有第一表面的一侧，且阻挡结构包括沿第一方向顺序层叠的多层阻挡层，多层阻挡层中位于最外侧的阻挡层的体积密度大于其余阻挡层的体积密度，第一方向为背离第一表面的方向；电极层，位于阻挡结构背离欧姆接触层的一侧。采用本申请的电极结构，通过两侧高致密性的阻挡结构设计，能够分批次阻挡欧姆接触层和电极层中材料的相互扩散，实现了应力的逐层释放，提高了膜层质量，从而保证了电极结构的稳定性。
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