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公开(公告)号：CN103264394A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310011408.4
申请日：2013-01-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种化学机械抛光传输机器人晶圆抓取自适应控制方法，包括以下步骤：红外传感器检测工位上的晶圆位置，获得工位上的晶圆位置值并存储；对存储的工位上的晶圆位置进行修正补偿，获得第一位置值；将第一位置值与上次的工位上的晶圆位置值进行相加，获得工位上的晶圆位置的准确值，即第二位置值；红外传感器将第二位置值作为输入值，传输给I/O板；I/O板再将输入值送到主控器，执行抓取晶圆，并将输入值存储。本方法实现实时化学抛光传输机器人的机械手对工位上的晶圆抓取的自适应能力，且具有高效性，精确性与适用性。本发明还公开了一种化学机械抛光传输机器人晶圆抓取自适应控制装置。
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公开(公告)号：CN103197654A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310134292.3
申请日：2013-04-17
Applicant: 清华大学
IPC: G05B19/418 , H01L21/66
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明提出一种基于OPC标准的半导体装备的监控系统，包括：下位机组，下位机组与半导体装备相连，用于控制半导体装备的运行，并监测半导体装备的运行状态及过程参数；上位机，上位机与下位机组相连，用于向下进行监控和管理，并从下位机组获取半导体装备的状态信息和过程参数，以及向下位机组发送控制半导体装备运行的控制指令、工艺配方及工艺参数。该系统具有安全可靠且操作方便的优点，并以统一的方式实时访问控制半导体装备各个单元模块的下位机组，并将各个下位机组集成在一起，完成各个单元模块的统一管理以及晶圆加工的生产调度。
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公开(公告)号：CN102172886B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110039127.0
申请日：2011-02-16
Applicant: 清华大学
IPC: B24B39/06
Abstract: 本发明公开了一种抛光头，所述抛光头包括盖板；基座，所述基座固定在所述盖板的下表面上，所述基座的下表面形成有环形凹槽；柔性膜，所述柔性膜固定在所述基座的下表面上且覆盖在所述环形凹槽上以形成与外界连通的下腔室；传递板，所述传递板固定在所述柔性膜的下表面上且与所述环形凹槽相对应，其中所述传递板的上表面的面积小于所述传递板的下表面的面积；和保持环，所述保持环固定在所述基座的下表面上用于保持晶圆。根据本发明实施例的抛光头可以提供更低的抛光压力。
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公开(公告)号：CN102591205A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210050640.4
申请日：2012-02-29
Applicant: 清华大学
IPC: G05B13/00
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光传输机器人的递归优化控制系统，包括：上位机控制器、主控制器、运动控制器、检测器、多个伺服驱动器、多个电机和编码器，其中，检测器用于检测传输机器人的工作状态参数以生成检测信息；上位机控制器用于接收用户输入的操作指令；编码器用于检测传输机器人的当前运动位移和当前运动角度；主控制器用于根据操作指令和运动控制器发送的检测信息生成传输机器人的运动指令，运动控制器用于以递归LQ优化控制模式计算电机控制量；多个伺服驱动器，每个伺服驱动器用于根据相应的电机控制量计算相应电机的控制转矩；多个电机，每个电机用于在相应的控制转矩的控制下驱动传输机器人运动。
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公开(公告)号：CN102581745A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210050639.1
申请日：2012-02-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种化学机械抛光传输机器人系统，包括：执行机构包括机器人本体和支撑装置，机器人本体包括爪、手爪翻转机构、小臂体、大臂体和套筒，支撑装置包括：直线导轨滑台和导轨丝杠；检测器用于检测执行机构的工作状态参数以生成检测信息；控制装置用于控制手爪的运动位移和运动角度，包括：上位控制器、主控制器、运动控制器、伺服驱动器、电机和编码器，上位机控制器用于接收用户输入的操作指令；编码器用于检测相应的电机的状态信息；主控制器用于生成执行机构的运动指令，运动控制器用于按照预设控制算法计算电机控制量；伺服驱动器用于计算相应电机的控制转矩；电机用于在相应的控制转矩的控制下驱动执行机构运动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102564287A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110421573.8
申请日：2011-12-15
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种利用晶圆台测量晶圆的膜厚度的方法。所述方法包括：A)所述晶圆台的升降装置向上移动至高位，利用机械手将晶圆传输到所述升降装置上，然后所述机械手移出；B)利用真空产生器对所述晶圆台的通气孔和凹槽抽真空，然后所述升降装置向下移动至低位以便所述晶圆吸附在所述晶圆台的非金属盘上；C)利用电涡流传感器对所述晶圆进行全局膜厚测量；D)向所述通气孔和所述凹槽内通入气体，随后所述升降装置向上移动至所述高位以便将所述非金属盘上的所述晶圆抬起；和E)利用所述机械手将所述晶圆取走。根据本发明实施例的利用晶圆台测量晶圆的膜厚度的方法具有自动化程度高的优点。
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公开(公告)号：CN102513301A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110452447.9
申请日：2011-12-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆的兆声清洗装置。所述用于晶圆的兆声清洗装置包括：机架，所述机架内限定有容纳腔；支撑组件，所述支撑组件设在所述容纳腔内用于可旋转地支撑沿竖直方向定向的晶圆；第一兆声喷头和第二兆声喷头，所述第一兆声喷头和所述第二兆声喷头在所述晶圆的轴向上间隔开地设在所述容纳腔内以分别用于清洗所述晶圆的两个表面；和兆声喷头驱动件，所述兆声喷头驱动件设在所述机架上且与所述第一和第二兆声喷头相连以驱动所述第一兆声喷头和所述第二兆声喷头沿所述晶圆的径向平移。利用根据本发明实施例的用于晶圆的兆声清洗装置可以全面地、快速地清洗晶圆，并且可以将晶圆上的颗粒和化学药剂全部清洗掉，从而达到更好的清洗效果。
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公开(公告)号：CN102496587A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110382233.9
申请日：2011-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种晶圆在位检测装置以及晶圆在位检测方法。所述晶圆在位检测装置包括：真空产生器；多个检测气孔，每个所述检测气孔均通过管路与所述真空产生器相连，其中所述多个检测气孔并联；第一过滤器，所述第一过滤器设在所述管路上且位于所述真空产生器和所述多个检测气孔之间；真空压力检测器，所述真空压力检测器设在所述管路上且位于所述真空产生器和所述多个检测气孔之间以便检测所述管路中的压力；和控制器，所述控制器与所述真空压力检测器相连以便根据所述真空压力检测器的压力检测值判断晶圆是否在位。根据本发明实施例的晶圆在位检测装置可以精确地判断出晶圆是否在位。
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公开(公告)号：CN102049732B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010266786.3
申请日：2010-08-30
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G01B7/06 , B24B37/013 , B24B49/105 , G01B7/105 , G06F17/10
Abstract: 一种硅片边缘膜厚测量方法属于化学机械抛光膜厚测量技术领域。通过本发明中的数学模型可以对边缘膜厚测量曲线进行修正，使其尽可能与真实边缘膜厚曲线一致，使用本发明后测量得到的边缘膜厚值可作为真实边缘膜厚值。本发明解决了电涡流测量硅片膜厚存在的所测边缘膜厚失真的问题，优点在于不用改变硬件设施，只需对数学模型进行修改；使用时，仅需进行简单的离线标定，不会影响化学机械抛光的产量。
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公开(公告)号：CN102248477A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110205780.X
申请日：2011-07-21
Applicant: 清华大学
IPC: B24B37/00
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：利用抛光头夹持晶圆以在抛光盘上对所述晶圆进行化学机械抛光，其中在所述化学机械抛光过程中，所述抛光头自转且沿所述抛光盘的径向往复平移，所述往复平移覆盖所述抛光盘的半径。根据本发明实施例的化学机械抛光方法，在所述化学机械抛光过程中，所述抛光头自转且沿所述抛光盘的径向往复平移，所述往复平移覆盖所述抛光盘的半径，由此可以充分使用整个抛光盘的表面，可以提高了抛光垫的利用率，可以减轻抛光垫沿径向的中间部分的过度磨损，从而可以延长抛光垫的使用寿命。
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