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公开(公告)号：CN115895649A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211727159.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGdYGa1‑X‑Y)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.05，Y的取值范围为0.01≤Y≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽、硝酸钆和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值，然后将混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料。本申请的制备方法较为简单，所制备的荧光材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光强度远远高于稀土铽掺杂氧化镓荧光材料，可广泛应用于发光领域。
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公开(公告)号：CN115820246A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211459965.8
申请日：2022-11-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽掺杂氧化镓荧光材料的制备方法及其应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGa1‑X)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值为8～9，然后将溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽掺杂氧化镓荧光材料。本申请的制备方法制备工艺较为简单，所制备材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光效果较好，可广泛应用于发光领域。
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公开(公告)号：CN115697034A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211448231.X
申请日：2022-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供一种阻变选择器及其制备方法，通过磁控溅射法在硅衬底上依次生长形成底电极、阻变层和顶电极，其中，底电极用于接地，阻变层作为介质层，在外加电场的作用下，薄膜材料能表现出两个不同的阻值，顶电极在电流作用下，通过氧化还原反应在薄膜内部形成导电细丝，从而使器件电阻发生跳变。本申请的制备方法简单，易操作，且所制备的器件具有循环次数高、开启电压低、散布性低、无电铸等优点。
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公开(公告)号：CN115684028A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211348266.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双金属和双偏振的多通道SPR光纤传感器。所述传感器对光纤四周进行抛磨，形成对称四通道，在所抛平面分别涂覆上金属膜(金膜或银膜)，并在所抛平面和金属膜之间加入TiO2层或Ta2O5层。本发明利用偏振控制器来控制产生双偏振(X偏振或Y偏振)光，偏振光与不同金属之间产生的SPR效应用来检测待测介质折射率，从而实现四通道传感检测。本发明的优点是：双偏振可以减少不同偏振下各通道间的检测干扰，双金属可以减少同一偏振下各通道之间的检测干扰，从而整体实现低干扰的多通道同时检测；TiO2层和Ta2O5层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，可同时检测多种待测介质，抗干扰性强，灵敏度高，具有良好传感特性。
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公开(公告)号：CN113913184A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110338689.9
申请日：2021-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种稀土共掺杂的氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，属于无机荧光材料技术领域，该荧光材料采用稀土Eu和Ce共掺杂氧化镓，利用水热法制得具有发光性能且发光性能良好的荧光材料。该方法制备工艺简单，成本低廉，对设备要求不高，反应条件温和、绿色环保，使用表面活性剂可避免纳米粒子团聚，制得的产物具有粒度分布均匀，分散性良好，形貌易于控制等优点。其中稀土作用分别是，铕作为发光中心，是激活剂，铈的作用是增强发光，是助激活剂。本发明制备的荧光材料具有发光特点，有较好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108550628B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201810399461.9
申请日：2018-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构，表面电荷区产生界面电荷，增强了电荷区内电场，提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压，降低了漏极附近电场，防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构，工艺简单可行，工艺容差较好，与常规CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN113483792A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752013.4
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了可见光到近红外双波段内嵌椭圆谐振腔传感器，该传感器由输入输出的波导，矩形腔和椭圆环形谐振腔组成，其中波导的宽度为w，矩形谐振腔与输入输出波导之间的耦合距离为g，矩形谐振腔的宽度和高度分别为q和h，矩形谐振腔和椭圆环形谐振腔的耦合距离为g1，椭圆环形谐振器的外椭圆长轴长度和短轴长度为A1，B1，内部椭圆长轴长度和短轴长度为a1，b1。光波在波导中传输时，通过矩形腔与椭圆环形谐振腔的耦合，产生Fano共振，改变结构中的几何参数和介质的折射率后，使Fano共振谱线偏移。本发明可以实现从可见光到近红外波段的双通道调控，并且可以获得较高的灵敏度和品质因数(FOM),计算的灵敏度和品质因数最高为1075nm/RIU和91914。该发明提供的结构易与其他光子器件集成，研究结果可以为这种结构的未来应用提供指导。
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公开(公告)号：CN107257242B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710312585.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种惯性传感器动态信号的实时处理方法，首先，利用随机采样技术充分降低信号的采样数据；然后，通过对采样后的信号进行压缩测量，获得相应的测量值，进而利用重构算法完成对原始信号的准确重构，以提高惯性传感器动态信号输出精度。与传统方法相比，本发明能够在大大降低信号采样数据的同时，有效改善输出信号精度，从而实现惯性传感器动态信号的实时处理。
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公开(公告)号：CN108821331B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111916558A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010746740.5
申请日：2020-07-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种以六方氮化硼(h-BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h-BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h-BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质层和所述低空位介质层之间，能够充分发挥h-BN的材料特性提高忆阻器整体性能，并且凭借传统忆阻器介质材料以及二维材料h-BN的特性，可以提高忆阻器的整体性能。
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