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公开(公告)号：CN106876441B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710087046.5
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种具有固定界面电荷场限环的功率器件，包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上。场氧层内设有至少1个固定界面电荷区，该固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。本发明能够克服现有功率器件的FLR区中的杂质扩散而导致的击穿电压下降和器件失效的问题，并有效提高了器件的击穿电压和改善了有源层表面的电场分布，使得电场分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN111293187A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010112026.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/054 , H01L31/0445 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池，所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层，所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面，所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面，所述吸收层位于所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅之间，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅具有不同侧壁轮廓，所述晶硅表面纳米结构光栅和所述背金属纳米结构光栅中的纳米结构按照自组装AAO模板的排列方式，降低成本，提高效率。
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公开(公告)号：CN110888189A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911291223.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微纳集成光学器件技术领域，公开了一种超薄无衬底颜色可调谐的表面等离子体滤波器。所述滤波器结构包括：波导层，缓冲层和矩形金属纳米盘阵列。其中波导层上覆盖有缓冲层，缓冲层上刻蚀有均匀排布的矩形金属纳米盘阵列，矩形金属纳米盘阵列x方向周期为Px，y方向周期为Py。当x与y相等，通过改变x(y)方向周期，可实现对滤出颜色的静态调制，当x与y不相等，可通过改变周期以实现对滤出颜色的静态调制，改变光的偏振以实现对滤出颜色的动态调制。本专利有着体积小，传输效率高，结构设计简单，能够同时实现对颜色的静态调制以及动态调制，可固定TE(TM)偏振滤出颜色，单独调制TM(TE)偏振下滤出的颜色等优点。本发明在未来光电器件集成，超高分辨率成像，LCD液晶显示系统等领域都有重要的应用。
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公开(公告)号：CN110579826A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910820221.6
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于MIM矩形腔阵列结构的表面等离子体滤波器。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成，整体为矩形的金属薄膜，主要包括金属膜以及开设在金属膜上的矩形阵列结构。该矩形腔阵列由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔由单元结构为矩形的阵列构成，每个矩形腔可以形成一个F-P腔。通过调控矩形个数n、波导的宽度W、矩形腔的长度L等几何参数，实现对光波进行一个或者多个不同波长的光波滤波，和阻带宽度的有效调节。对比与其他结构的SPPs滤波器而言，这个结构拥有着更简洁的工艺以及较小的能量损耗，可以作为简单的光学设备应用于高集成的光电集成电路中。
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公开(公告)号：CN110361798A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810252883.3
申请日：2018-03-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种基于表面等离子激元波导带阻滤波器，主要由金属膜、波导管、谐振腔组成；波导管呈长条形的矩形孔，谐振腔呈方形U字形，即由一个水平方向延伸孔和两个垂直方向延伸孔组成。水平方向延伸孔与两个垂直方向延伸孔相接，两个垂直方向延伸孔的形状和尺寸完全相同，水平方向延伸孔与两个垂直方向延伸孔均为长条状的矩形孔，该矩形孔为规则的矩形。该滤波器具有结构简单、封装尺寸小、多模式、透射率高、通带平滑、阻带较窄、可调节性以及良好的品质因数。可以通过改变结构参数可以调节阻带带宽。结果表明，其阻带透射比可低至于0.01，通带最大透射比高达0.98，且顶部分布平滑。该滤波器在微纳光学集成器件具有着良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109932775A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910205522.8
申请日：2019-03-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/28
Abstract: 本发明提供的是一种基于MIM结构的内嵌对称耦合金属块组滤波器，属于微纳光电子领域，滤波器包括金属膜和空气层，在金属膜上刻蚀有波导管1，在该波导管1内侧对称刻蚀两个金属块3，这两个金属块3在波导管1的上下两侧成对称耦合分布。在波导管1与金属块3间填充空气形成空气层2。本发明可以提高微纳集成光学器件在集成光电路中的集成密度，同时提高此滤波器的耦合效率,从而改变它的滤波特性获得较小的半波宽。
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公开(公告)号：CN109100331A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810704120.8
申请日：2018-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明提供一种正六边形晶格结构的金属孔阵列等离激元光纤传感器，主要是在光纤体端面上设置高灵敏度的传感体，其中传感体包括衬底介质和金属孔阵列组成，而金属孔阵列N个正六边形晶格结构均匀排布金属膜上，这些多个圆孔狭缝贯通开设在金属膜上下表面；每个圆孔狭缝单元尺寸和形状完全相同且内部均填满了外界介质。所述金属薄膜、衬底介质层以及金属孔阵列构成统一整体传感结构。本发明的光纤传感器结构在近红外频段内具有较良好灵敏度性能，并且通过改变传感体相关结构参数可以有效调整光谱的带宽和共振峰的位置。结果表明，该传感器的灵敏度可达到486±6nm/RIU。其中该传感器结构简单、检测精度高及兼容性好等优点，能为环境检测和食品安全等领域提供了一个新的传感器件。
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公开(公告)号：CN108821331A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811035848.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓纳米棒的制备方法及产品，属于纳米材料技术领域，该方法主要利用化学气相沉积法，通过控制各工艺条件，最终制得直径均匀的氧化镓纳米棒。该方法制备工艺简单，易操作，不需要添加催化剂，且原料成本低廉，对设备要求不高，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108550628A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810399461.9
申请日：2018-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列横向且等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区。本发明由于在漂移区表面设置一系列等间距的N+电荷区表面电荷区结构，表面电荷区产生界面电荷，增强了电荷区内电场，提高了器件横向耐压；界面电荷同时增强埋层纵向电场和纵向耐压，降低了漏极附近电场，防止器件表面过早击穿；由于采用等间距N+的表面电荷区结构，工艺简单可行，工艺容差较好，与常规CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN108231902A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810010047.4
申请日：2018-01-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种能够提高器件耐压，降低比导通电阻的具有串联槽栅结构的多叠层功率器件；该结构的栅极采用了槽型结构，槽栅一直延伸到埋氧层，与p阱形成了纵向导电沟道，同时，槽栅与漂移区形成了纵向电子积累层，使电流传导区域在纵向得到显著扩展，降低了器件比导通电阻；漂移区包含多个与纵栅相连接P型的埋层，器件上部采用表面多晶硅氧化层结构，形成级联栅多个器件并联结构；采用该具有串联槽栅结构的多叠层功率器件,有效提高了器件的击穿电压和降低比导通电阻,使得电场分布更加均匀，形成多个级联导通电流。
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