基板保持装置和抛光装置
    84.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101096077B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200710136812.9

    申请日:2002-12-06

    Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

    抛光设备
    85.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100466191C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200580037559.0

    申请日:2005-10-31

    Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30,32,38,42)。

    抛光方法
    86.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101327573A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810131155.3

    申请日:2003-04-17

    Abstract: 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。

    衬底保持装置以及抛光装置

    公开(公告)号:CN1748293A

    公开(公告)日:2006-03-15

    申请号:CN200480003897.8

    申请日:2004-02-04

    Abstract: 本发明涉及一种在将衬底抛光至平整光面的抛光装置中用于保持衬底(W)、例如半导体晶片的衬底保持装置。该衬底保持装置包括一个可垂直移动部件(6)和一个用于限定一腔室(22)的弹性部件(7)。所述弹性部件(7)包括一与所述衬底(W)接触的接触部分(8)和一从所述接触部分(8)向上延伸并与所述可垂直移动部件(6)相连的周壁(9)。所述周壁(9)具有一可垂直伸展和收缩的可伸缩部分(40)。

    半导体晶片研磨用弹性膜
    89.
    外观设计

    公开(公告)号:CN301625514S

    公开(公告)日:2011-07-27

    申请号:CN201130019361.8

    申请日:2011-01-26

    Abstract: 1.该外观设计产品的名称:半导体晶片研磨用弹性膜,也称作膜片;2.该半导体晶片研磨用弹性膜的用途:在半导体等的制造中的晶片研磨工序中,安装在研磨装置的基板保持环内侧,从装置侧向本物品的背面侧供给空气等气体,使膜面朝正面侧膨胀,将配置于正面侧的晶片的一面向研磨垫推压,此外,通过小孔进行真空吸引而保持晶片;3.该半导体晶片研磨用弹性膜的设计要点:请参考各个视图所示的形状;4.最能表明设计要点的图片或者照片:设计1的B部放大图;5.本申请包含同一产品“半导体晶片研磨用弹性膜”的3项相似外观设计,其中设计1为基本设计;6.在各设计中,由于仰视图与俯视图对称,且左视图与右视图对称,因此省略仰视图和左视图。

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