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公开(公告)号:CN101096077A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200710136812.9
申请日:2002-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。
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公开(公告)号:CN1541151A
公开(公告)日:2004-10-27
申请号:CN03800759.2
申请日:2003-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/30625 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
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公开(公告)号:CN101096077B
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN200710136812.9
申请日:2002-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。
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公开(公告)号:CN101327573A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200810131155.3
申请日:2003-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/30625 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
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公开(公告)号:CN100423203C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN02824391.9
申请日:2002-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b);和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。
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公开(公告)号:CN100415447C
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN03800759.2
申请日:2003-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L21/30625 , Y10S438/977
Abstract: 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
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公开(公告)号:CN1698185A
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN02824391.9
申请日:2002-12-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(topring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206),在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209),相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b):和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c),连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。
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