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公开(公告)号：CN106209007A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610512603.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供能对应高频且能提高Q值的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)中，在支撑基板(2)上层叠有进行传播的体波声速比在压电膜(5)传播的弹性波声速高的高声速膜(3)，在高声速膜(5)传播的体波声速低的低声速膜(4)，在低声速膜(4)上层叠有上述压电膜(5)，且在压电膜(5)的一面层叠有IDT电极(6)。(3)上，层叠有进行传播的体波声速比在压电膜
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公开(公告)号：CN103891138B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201280047258.6
申请日：2012-09-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/17 , H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/02574
Abstract: 提供不管压电体的厚度偏差如何都难以产生频率特性的偏差且能提高机电耦合系数k2的弹性波装置。弹性波装置(1)在支承基板(2)上层叠介质层(3)、压电体(4)以及IDT电极(5)，所述介质层(3)由包含低速介质和高速介质的介质构成，其中低速介质是与在压电体中传播、利用的弹性波的传播速度相比与该弹性波的主振动分量相同的体波的传播速度低的介质，高速介质是与该弹性波的主振动分量相同的体波的传播速度高于该弹性波的传播速度的介质。
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公开(公告)号：CN106105031A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012779.1
申请日：2015-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/6489 , H03H9/02574 , H03H9/02818 , H03H9/54 , H03H9/6483 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供一种在通带内不易产生梳型电容电极中的弹性波的各模式的寄生成分且生产率优异的弹性波滤波器装置。一种声表面波滤波器装置，是具有依次层叠有高声速部件(5)、低声速膜(6)、压电膜(7)以及IDT电极(8)的构造的滤波器，其中，在上述压电膜(7)上设置有与滤波器电连接的梳型电容电极(10)。将由所述梳型电容电极(10)的电极指间距决定的波长设为λc，在所述梳型电容电极(10)中产生的声表面波的模式中，将P+SV波的声速设为VC‑(P+SV)，将SH波的声速设为VC‑SH，将SH波的高阶模中的位于最低的频率侧的高阶模的声速设为VC‑HO，此时，Vc‑(P+SV)＜VC‑SH＜Vc‑HO，将所述滤波器的低频侧的截止频率设为fF‑L，将高频侧的截止频率设为fF‑H，将在所述梳型电容电极(10)中产生的声表面波的传播方向用相对于压电膜的结晶的欧拉角表示为(0°，θ，ψ)，此时，对于任意的θ和ψ，设为VC‑(P+SV)/λC＜fF‑L且VC‑SH/λC＞fF‑H，或者设为VC‑SH/λC＜fF‑L且VC‑HO/λC＞fF‑H。
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公开(公告)号：CN105814794A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480066958.9
申请日：2014-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/6496 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/081 , H01L41/18 , H03H9/02574 , H03H9/14532 , H03H9/14576 , H03H9/14579 , H03H9/14594
Abstract: 提供能有效果地抑制横模脉动的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在压电薄膜上层叠IDT电极(11～14)，IDT电极(11)具有多条第1电极指(11c)、多条第2电极指(11d)，将第1电极指(11c)的前端彼此或第2电极指(11d)的前端彼此连结的线相对于弹性波传播方向倾斜，成倾斜角度(v)，该倾斜角度(v)为0.4°以上、10°以下。
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公开(公告)号：CN119422329A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049295.9
申请日：2023-05-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
Abstract: 提供一种弹性波装置，能够不使分数带宽的值过大并且抑制瑞利模式的杂散。弹性波装置（1）具备支承基板（3）、设置在支承基板（3）上的氧化硅层（4）、设置在氧化硅层（4）上的铌酸锂层（5）和设置在铌酸锂层（5）上的IDT电极（6）。在将由IDT电极（6）的电极指间距规定的波长设为λ时，氧化硅层（4）的厚度为0λ以上。在将IDT电极（6）的厚度设为TIDT[λ]、将IDT电极（6）的密度设为ρ[g/cm3]、将IDT电极（6）的占空比设为duty、将铌酸锂层（5）的切割角设为LNcut[°]、将铌酸锂层（5）的厚度设为TLN[λ]、将氧化硅层（4）的厚度设为TSiO2[λ]、将SH模式的分数带宽设为BW[%]、将瑞利模式的机电耦合系数设为ksaw2[%]时，TIDT、ρ、duty、LNcut、TLN以及TSiO2为由式1导出的BW成为12%以下且由式2导出的ksaw2成为0.1%以下的范围内的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119422327A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380052132.6
申请日：2023-06-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种弹性波装置，在IDT电极以及覆盖IDT电极的层之间不易产生剥离。弹性波装置（1）具备：支承基板（3）；中间层（4），设置在支承基板（3）上；压电体层（5），设置在中间层（4）上，具有位于中间层（4）侧的第一主面（5a）、以及与第一主面（5a）对置的第二主面（5b）；第一IDT电极（7），设置在压电体层（5）的第一主面（5a），且埋入中间层（4）中；和第二IDT电极（27），设置在压电体层（5）的第二主面（5b）。第一IDT电极（7）具有多个电极指。各电极指分别包含在电极指的厚度方向上相互对置的第一面（7a）以及第二面（7b）、和与第一面（7a）以及第二面（7b）连接的侧面（7c）。第一IDT电极（7）中的电极指的侧面（7c）具有第一部分（7d）以及第二部分（7e），在至少一根电极指中，第一部分（7d）以及第二部分（7e）的相对于电极指的厚度方向倾斜的角度相互不同。
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公开(公告)号：CN118487575A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311810156.1
申请日：2023-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明能够提供一种能够在不导致大型化的情况下容易地调整相对带宽的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承基板(3)；压电体层(7)，设置在支承基板上，具有相互对置的第1主面(7a)和第2主面(7b)；第1IDT电极(9A)，设置在压电体层的第1主面；第2IDT电极(9B)，设置在第2主面；以及电介质膜(8A)，设置在压电体层的第1主面与第1IDT电极之间以及第2主面与第2IDT电极之间中的至少一者。电介质膜以及压电体层分别具有包含Li、Ta以及O的结构、和包含Li、Nb以及O的结构中的一种结构。在电介质膜和压电体层中，极化方向、材料包含的元素、以及材料的组成中的至少任一者相互不同。
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公开(公告)号：CN112655150B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201980058308.2
申请日：2019-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种不易产生其它带通型滤波器的通带中的纹波的弹性波装置。弹性波装置具备一端被公共连接的、通带不同的N个(其中，N为2以上的整数)带通型滤波器，其中，至少一个带通型滤波器具有多个弹性波谐振器，所述多个弹性波谐振器具有欧拉角为( 的范围内，θLT，ψLT＝0°±15°的范围内)的钽酸锂膜硅支承基板(12)之间的氧化硅膜(13)、IDT电极(15)、以及保护膜(18)，在所述多个弹性波谐振(n)器中的至少一个弹性波谐振器中，频率fh1_t 对于m＞n的全部的m满足下述的式(3)或下述的式(4)。式(3)：fh1_t(n)＞fu(m)。式(4)：fh1_t(n)＜fl(m)。其中在式(3)以及式(4)中，fu(m)以及fl(m)表示m个带通型滤波器中的通带的高频侧端部以及低(14)、硅支承基板(12)、层叠在钽酸锂膜(14)与
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公开(公告)号：CN111066245B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880054965.5
申请日：2018-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够容易地调整相对带宽且能够有效地封闭弹性波的能量的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：半导体基板(2)，具有第一主面(2a)以及第二主面(2c)；压电薄膜(5)，直接或间接地设置在半导体基板(2)的第一主面(2a)上；以及IDT电极(6)，设置在压电薄膜(5)上。构成半导体基板(2)的半导体是传播的体波的声速比在压电薄膜(5)传播的弹性波的声速高的高声速材料。半导体基板(2)由包含第一主面(2a)的第一区域(2b)和包含第二主面(2c)且为第一区域(2c)以外的区域的第二区域(2d)构成。第一区域(2c)的电阻比第二区域(2d)的电阻低。
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公开(公告)号：CN116599494A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310681761.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种声表面波滤波器以及多工器。滤波器(15)具备切割角为θ°的LiTaO3压电层(227)、高声速支承基板(228)、低声速膜(226)以及IDT电极(22)，根据IDT电极(22)的波长λ、IDT电极(22)的膜厚TIDT、IDT电极(22)的比重ρ、电极占空比D、压电层(227)的厚度TLT以及低声速膜(226)的膜厚TVL求出瑞利波的杂散成为极小的压电层(227)的最佳切割角θB，压电层(227)的切割角θ(°)满足θB‑4≤θ≤θB+4的关系。
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