腔室的内压控制装置和内压被控制式腔室

    公开(公告)号:CN100487620C

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200480029178.3

    申请日:2004-09-14

    Abstract: 本发明提供一种腔室内压控制装置,通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降,并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制,来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说,向腔室供给气体的装置,由并列状连接的多台压力式流量控制装置,和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成,一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体,其中,把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10%的气体流量范围的装置,把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置,进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值,调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量,由此来控制腔室内压。

    耐蚀金属制热式质量流量传感器及采用它的流体供给设备

    公开(公告)号:CN100406854C

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200480009852.1

    申请日:2004-02-12

    CPC classification number: G01F1/6845

    Abstract: 本发明旨在提供提高热式质量流量传感器的耐蚀性,同时能够提高响应性、除颗粒以及防止产品质量上的偏差等的耐蚀金属制热式质量流量传感器和采用该传感器的流体供给设备。具体说,热式质量流量传感器由传感器部1和传感器底座13构成,该传感器部1由电解蚀刻耐蚀性金属材料W背面侧而形成为薄片的耐蚀性金属基片2以及形成设于该耐蚀性金属基片2的背面侧的温度传感器3和加热器4的薄膜F构成;在所述传感器底座13上,通过激光焊接密封固定嵌入安装沟13a内的所述传感器部1的耐蚀性金属基片2的外周缘。

    旋转式硅晶片清洗装置
    89.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100359641C

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN03801601.X

    申请日:2003-09-11

    CPC classification number: H01L21/67034 H01L21/02052

    Abstract: 本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置,通过使清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更完全,可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此,本发明作为一种旋转式硅晶片清洗装置,设置有硅晶片干燥装置,该硅晶片干燥装置包括:附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol%以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等,通过将含有氢自由基的混合气体喷射到清洗后的硅晶片上,对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。

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