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公开(公告)号：CN113646265A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080026420.0
申请日：2020-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种锂离子二次电池的正极活性物质的制造方法。本发明的一个方式是一种正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：在加热炉中配置装有锂氧化物、氟化物及镁化合物的混合物的第一容器且在第一容器的外部配置氟化物；以氟化物挥发或升华的温度以上对加热炉进行加热。更优选的是，氟化物为氟化锂且上述镁化合物为氟化镁。
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公开(公告)号：CN107403731B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201710327978.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。
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公开(公告)号：CN111933909A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010788736.5
申请日：2017-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/48 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供正极活性物质、正极活性物质的制造方法及二次电池。本发明提供一种循环特性良好且容量大的锂离子二次电池用正极活性物质。在正极活性物质的表层部上设置包含铝的覆盖层、包含镁的覆盖层。包含镁的覆盖层存在于比包含铝的覆盖层更接近粒子表面的区域。包含铝的覆盖层可以通过使用铝醇盐的溶胶-凝胶法形成。可以对起始材料混合镁及氟，在溶胶-凝胶法之后进行加热而镁偏析，由此形成包含镁的覆盖层。
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公开(公告)号：CN111900358A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010845282.0
申请日：2018-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M4/131 , H01M10/0525 , H01M10/0566
Abstract: 本发明提供一种大容量且循环特性优良的正极活性物质。该正极活性物质的充电状态和放电状态间的结晶结构变化小。例如在放电状态下具有层状岩盐型结晶结构，并且在以4.6V左右的高电压充电的状态下具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质的起因于充放电的结晶结构及体积的变化比现有的正极活性物质少。
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公开(公告)号：CN111509199A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201911346364.4
申请日：2017-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/02 , H01M10/0525 , H01G11/50 , H01G11/30
Abstract: 本发明提供一种便携式信息终端，其包括具有正极、负极和电解液，所述正极具有正极活性物质层，所述正极活性物质层具有正极活性物质粒子，所述正极活性物质粒子具有第一区域、以及覆盖所述第一区域的至少一部分的第二区域，所述第一区域具有钴和铝，所述第二区域具有镁，所述钴、铝、镁的至少一种在所述第一区域和所述第二区域具有浓度梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111446425A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201911410550.X
申请日：2017-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525 , H01G11/50 , C01G45/12 , C01G51/00 , C01G53/00
Abstract: 提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
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公开(公告)号：CN104733540B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510102867.2
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/34 , H01L27/12
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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公开(公告)号：CN109390215A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811108754.3
申请日：2010-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN102891182B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201210252613.5
申请日：2012-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/24 , H01L29/78618
Abstract: 本发明涉及半导体装置，提供一种实现常截止的开关元件的晶体管结构及其制造方法。提供一种提高晶体管的导通特性而实现半导体装置的高速响应、高速驱动的结构及其制造方法。提供一种可靠性高的半导体装置。在按顺序层叠有半导体层、源电极层或漏电极层、栅绝缘膜及栅电极层的晶体管中，作为该半导体层使用至少包含铟、镓、锌及氧这四种元素，在由原子百分率表示所述四种元素的组成比时，铟的比例是镓的比例及锌的比例的两倍以上的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN103229304B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180057486.7
申请日：2011-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/06 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0259 , H01L29/36 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 通过对将氧化物半导体膜用作沟道的晶体管给予稳定的电特性来制造高可靠性半导体装置。形成可通过热处理具有第一晶体结构的氧化物半导体膜及可通过热处理具有第二晶体结构的氧化物半导体膜而加以层叠，并接着进行热处理，由此通过将具有第二晶体结构的氧化物半导体膜作为晶种而发生晶体生长，以形成具有第一晶体结构的氧化物半导体膜。以此方式形成的氧化物半导体膜应用于晶体管的有源层。
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