公开(公告)号：CN101393858B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810133793.9

申请日：1996-12-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供半导体器件、场致发光器件及场致发光显示装置的制法。其中，利用促进硅结晶化的金属元素，获得具有优良特性的薄膜晶体管。在101和102区域，以及108～110区域、选择地把镍元素掺杂在非晶硅膜103的表面上。然后进行热处理，在104～107所示的基片上进行平行的生长(横向生长)。这时，宽度为5μm以下的区域108～110成为停止区，则停止从101～102区域开始进行的横向生长。由此，可能控制横向生长区域的设置。这样可能利用具有相同结晶生长形态的区域构成移位寄存器等的电路。

公开(公告)号：CN1893118B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610099725.6

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明涉及半导体器件的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成一层晶体半导体膜；在所述晶体半导体膜上通过利用四乙氧基硅烷形成包括二氧化硅的栅绝缘膜；形成邻近所述晶体半导体膜的栅电极，其中所述栅绝缘膜插入在所述晶体半导体膜和所述栅电极之间，所述栅电极包括从由钽、钛、钨、钼和硅组成的组中选取的一种材料；以及通过所述栅绝缘膜向所述晶体半导体膜中引入杂质元素，从而在所述晶体半导体膜中形成至少一个杂质区。

公开(公告)号：CN100502054C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610101842.1

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

公开(公告)号：CN101393858A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810133793.9

申请日：1996-12-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供半导体器件、场致发光器件及场致发光显示装置的制法。其中，利用促进硅结晶化的金属元素，获得具有优良特性的薄膜晶体管。在101和102区域，以及108～110区域、选择地把镍元素掺杂在非晶硅膜103的表面上。然后进行热处理，在104～107所示的基片上进行平行的生长(横向生长)。这时，宽度为5μm以下的区域108～110成为停止区，则停止从101～102区域开始进行的横向生长。由此，可能控制横向生长区域的设置。这样可能利用具有相同结晶生长形态的区域构成移位寄存器等的电路。

公开(公告)号：CN100464239C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200610101676.5

申请日：1997-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  福永健司

IPC: G02F1/1362 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13392 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/133388

Abstract: 本发明提供了一种制造高像质液晶显示装置的技术，根据像素间距的宽度限定保持液晶层的单元间距的设定范围，尤其，设定单元间距的宽度为像素间距的十分之一，从而可获得高像质的液晶显示装置，它不会产生由于电场影响而引起的像显示失败，例如畸变。

公开(公告)号：CN100437907C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410069654.6

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN100419948C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN96123913.1

申请日：1996-12-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 利用促进硅结晶化的金属元素，获得具有优良特性的薄膜晶体管。在101和102区域，以及108～110区域、选择地把镍元素掺杂在非晶硅膜103的表面上。然后进行热处理，在104～107所示的基片上进行平行的生长(横向生长)。这时，宽度为5μm以下的区域108～110成为停止区，则停止从101～102区域开始进行的横向生长。由此，可能控制横向生长区域的设置。这样可能利用具有相同结晶生长形态的区域构成移位寄存器等的电路。

公开(公告)号：CN1937255A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610101842.1

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层。其上可制作半导器件。

公开(公告)号：CN1269092C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN99117970.6

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: G09F9/35 ,  G02F1/13 ,  H01L29/78 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

公开(公告)号：CN1779986A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510116317.2

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及半导体器件。它包括半导体岛、第一和第二杂质区、沟道区、栅电极、物质添加区。其中，晶体生长由物质添加区一直延伸至第一和第二杂质区的部分才终止。它还包括至少一种导线。半导体岛包含绝缘表面上形成的结晶硅，含0.01－5原子％的氢。杂质区可以是一对n－型或P－型杂质区。沟道区没有晶粒间界。