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公开(公告)号：CN102534806B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110441637.0
申请日：2011-12-26
Applicant: 南昌大学
Abstract: 大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法，其制备方法步骤如下：1、二氧化钛表面在超高真空中除气处理，2、热处理得到具有高密度氧缺陷的二氧化钛(110)(1×2)表面；3、热处理过程中通入氧气填补二氧化钛(110)(1×2)表面的氧缺陷从而得到大面积的二氧化钛(110)(1×1)表面。本发明的优点：1、能够得到大面积的金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面，尺寸范围：30nm×30nm~70nm×70nm；2、制备程序更加简便，大大缩短了二氧化钛(110)(1×1)表面的制备时间；3、由于制备程序简便，大大延长了二氧化钛单晶的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103746051A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310640318.1
申请日：2013-12-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/20 , H01L29/0657
Abstract: 本发明公开了一种具有边缘隔离结构的硅衬底，包括硅衬底本体，特征是：在硅衬底边缘设有将硅衬底内部完全封闭的隔离带，隔离区为隔离带和硅衬底边界线之间的区域，隔离带和隔离区构成隔离结构。本发明通过在硅衬底边缘设置隔离带，隔离带将硅衬底上生长的氮化物薄膜被分离成相互独立的两部分，使得始发于氮化物薄膜边缘的裂纹不能传递到硅衬底内部，从而有效保障了被隔离带硅包围的衬底内部的氮化物薄膜的质量，且不会损害其有效使用面积。本发明将隔离带和硅衬底边界线之间的隔离区进行图形化，使隔离区成为图形化的隔离区，这样可以进一步减少隔离区内裂纹的产生、限制裂纹的传递，增强本发明的效果。
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公开(公告)号：CN1664165A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510023879.2
申请日：2005-02-02
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/22 , B05B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于化合物半导体材料生长的化学气相沉积设备的喷头及原料输入方法，它包括第一气体供应管1、第二气体供应管2、冷却水供应管3、喷头本体4、第一进气腔5、第二进气腔6、水冷腔7、第一气体注入管8、第二气体注入管9。所述第一气体注入管的横截面积大于第二气体注入管的横截面积，且所述第一气体注入管和第二气体注入管交替地排列。进入量大的元素周期表中的V或VI族原料通过第一气体注入管进入，进入量小的元素周期表中III族或II组原料通过第二气体注入管进入。
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公开(公告)号：CN119923033A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411897170.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长外延层，所述外延层从下至上包括依次层叠的N型半导体层、活性层和P型半导体层；在外延层上刻蚀出通孔，暴露出N型半导体层；制备介质层、反射层、晶圆键合阻挡层和晶圆键合粘结层，将晶圆键合粘结层与基板上的晶圆键合粘结层共晶键合；去除衬底；肖特基电极保护光刻；制备去边层，并光刻外延层形成沟道；制备钝化层，制备肖特基电极；图形化钝化层和去边层，制备N面电极。本发明通过在LED芯片的焊盘下方设置肖特基二极管，在不牺牲光功率的前提下，提高LED的抗静电放电能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119630132A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411495607.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H10H20/01 , H10H20/812 , H10H20/825
Abstract: 本发明公开了一种对P型GaN干法刻蚀损伤修复的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供用于外延生长的衬底；在所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括P型GaN层和N型GaN层；干法刻蚀所述外延结构至暴露所述P型GaN层；去除特定深度的P型GaN层；激活所述P型GaN。使用低直流偏压的刻蚀程序刻蚀至暴露P型GaN层，使用无损伤或微损伤的方式去除P型GaN层的表面损伤层，再高温退火才能达到激活的效果，最终达到P型GaN干法刻蚀损伤修复的目的，从而推进新型结构半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN114199929B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202111358367.7
申请日：2021-11-16
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种虹吸式流体比热容测量方法，该测量方法所采用的装置包括用于容纳混合流体的混合容器、用于盛装待测流体的流体容器、对流体容器进行加热恒温的控温加热机构、雾化喷头、与雾化喷头进口连通的两组进管、各单元的测温元件以及温度显示器。本发明方法利用虹吸效应实现工作流体和待测流体快速、充分混合，测量出工作流体、待测流体和混合后流体的温度及待测流体和混合后流体的质量，根据热力学第一定律实现待测流体比热容的测定。该测量方法中虹吸的待测流体被高速工作流体冲击形成雾化，冷热流体热交换充分，具有装置结构简易，物理原理清晰，数据处理简单，响应时间快和误差小等优点，适用于流体比热容的精确测定。
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公开(公告)号：CN118280818A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410410912.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法，涉及半导体器件制造领域。该复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法具体包括制备：提供Si基GaN外延片，在Si基GaN外延片上进行光刻，在待刻蚀区域表面形成光刻胶层；在所述光刻胶层和非刻蚀GaN窗口区域的表面制备复合掩膜层，复合掩膜层的层与层之间直接接触，制备过程连续；光刻后留下非刻蚀GaN窗口区域表面的复合掩膜层，利用所述复合掩膜层保护非刻蚀区域，将待刻蚀区域的GaN外延片刻蚀到指定深度获得Si基GaN图形阵列结构。本发明能够解决保持刻蚀深度的同时，控制掩膜厚度尽可能薄，提高掩膜图案精度。在刻蚀多种材料时无需要换用不同掩膜，从而减小刻蚀工艺难度及其复杂性，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113921600B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111097152.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法，该n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构包括：n型AlGaN层，金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层；所述的n型AlGaN层和AlN界面层指向金属电极层的面为氮极性面；n型AlGaN层中的Al组分大于50%；AlN界面层的厚度为50‑150nm。该制备方法通过在高Al组分n型AlGaN层上引入AlN界面层，从而达到较低接触电阻的目的。本发明可有效地解决高Al组分n型AlGaN接触电阻较高的问题。
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公开(公告)号：CN118053947A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251588.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有互锁结构的混合键合方法，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺精准调节绝缘介质层的高度；引入牺牲层金属，于其中一侧待键合晶圆上制备金属/介质凹陷结构；另一侧待键合晶圆形成图形化金属焊盘，或制备金属/介质凸起结构；两侧晶圆对准热压，形成具有互锁结构的金属/介质混合键合。该方法中，绝缘介质的填充无需复杂的化学机械抛光（CMP）和光刻工艺，制备工艺简单、成本低，并且实现了键合点的自对准和滑移锁止，可大幅提升键合强度和良率，获得高可靠性的Micro‑LED器件。
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