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公开(公告)号：CN119923033A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411897170.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长外延层，所述外延层从下至上包括依次层叠的N型半导体层、活性层和P型半导体层；在外延层上刻蚀出通孔，暴露出N型半导体层；制备介质层、反射层、晶圆键合阻挡层和晶圆键合粘结层，将晶圆键合粘结层与基板上的晶圆键合粘结层共晶键合；去除衬底；肖特基电极保护光刻；制备去边层，并光刻外延层形成沟道；制备钝化层，制备肖特基电极；图形化钝化层和去边层，制备N面电极。本发明通过在LED芯片的焊盘下方设置肖特基二极管，在不牺牲光功率的前提下，提高LED的抗静电放电能力。
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