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公开(公告)号：CN108054194B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711234307.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P+或N+为中心的曲率结构中掺杂浓度为非线性分布。所述耐压层采用叉指状版图或跑道形版图或圆形版图；所述耐压层采用硅或碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅材料制作；本发明的耐压层能够按照标准的CMOS工艺制备，因此该工艺是一个与标准CMOS工艺完全兼容的工艺方案，工艺制备简单，成本低廉，可以有效抑制版图所带来的三维曲率效应，从而大大增强实际器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN110416288A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910705903.2
申请日：2019-08-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/739
Abstract: 一种双栅隧穿晶体管结构，包括呈阶梯式厚度递增分布的沟道区5，沟道区5的厚度小的一侧设有源区9，其厚度大的一侧设有源区4，源区9远离沟道区的侧边设有源极8，漏区远离沟道区的侧边设有漏极3，沟道区5的上、下表面分别覆盖第一栅介质层2和第二栅介质层6，第一栅介质层2的上表面覆盖第一栅极1，第二栅介质层6的下表面覆盖第二栅极7，第一栅极1和第二栅极7构成双栅结构。本发明所提供的器件结构既能有效地提高开态隧穿几率和开态电流，又能降低双极态隧穿几率和双极电流。
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公开(公告)号：CN118352401B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410456224.7
申请日：2024-04-16
IPC: H01L29/861 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种二极管功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括沿第一方向依次层叠设置的第一金属层、第一重掺杂层、至少两层层叠的掺杂层、第二重掺杂层和第二金属层，第二金属层的一端沿第二方向还依次设置有场氧化层和场板，场氧化层和场板的一端与第二金属层连接、另一端延伸至部分层的掺杂层；掺杂层的掺杂浓度朝向第一金属层的方向逐渐增大，第一方向和第二方向垂直。至少两层掺杂层所在区域的电场重新分布，提升器件的击穿电压；有效降低场氧化层覆盖掺杂层的场板末端由于场板效应形成的电场峰值，提高未被场氧化层和场板覆盖到的掺杂层的掺杂浓度，提高整个掺杂层的掺杂浓度，降低器件比导通电阻，提高器件Baliga’s优值。
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公开(公告)号：CN118352401A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410456224.7
申请日：2024-04-16
IPC: H01L29/861 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种二极管功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括沿第一方向依次层叠设置的第一金属层、第一重掺杂层、至少两层层叠的掺杂层、第二重掺杂层和第二金属层，第二金属层的一端沿第二方向还依次设置有场氧化层和场板，场氧化层和场板的一端与第二金属层连接、另一端延伸至部分层的掺杂层；掺杂层的掺杂浓度朝向第一金属层的方向逐渐增大，第一方向和第二方向垂直。至少两层掺杂层所在区域的电场重新分布，提升器件的击穿电压；有效降低场氧化层覆盖掺杂层的场板末端由于场板效应形成的电场峰值，提高未被场氧化层和场板覆盖到的掺杂层的掺杂浓度，提高整个掺杂层的掺杂浓度，降低器件比导通电阻，提高器件Baliga’s优值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116205195B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310491737.7
申请日：2023-05-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/006 , G06N3/084 , G06N3/08 , G06N3/04
Abstract: 本发明公开了一种平面螺旋电感的参数获取方法、装置、设备及介质，其方法包括获取当前平面螺旋电感，并确定其版图尺寸；将确定的版图尺寸输入预构建的ANN模型中，获取当前平面螺旋电感的T形等效电路的元件参数预测；将元件参数预测代入T形等效电路，对T形等效电路进行等效电路仿真，获取当前平面螺旋电感的基础参数预测；平面螺旋电感的版图尺寸包括线宽、线距、线圈匝数以及外径；平面螺旋电感的基础参数包括电感值、品质元素以及谐振频率；本发明能够根据平面螺旋电感的版图尺寸高效准确的获取其基础参数。
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公开(公告)号：CN114640308B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210268102.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种X波段低功耗宽带电感电容型压控振荡器，包括差分电感电容型压控振荡器、差分输出缓冲器、以及二进制权重的4比特位可变电容阵列，其中，差分电感电容型压控振荡器用于提供振荡信号，可变电容阵列用于调节振荡频率，差分输出缓冲器用于改善输出电压摆幅、以及匹配片外预设大小欧姆电阻；方案采用多路径堆叠电感技术，使得相同占用面积下所集成电感的电感值大幅度得到提升，同时其品质因数无明显恶化，并设计相应控制方法，使得所设计方案下的振荡器可工作在X波段上，输出9.21 GHz~12.5 GHz振荡信号，频率调节范围可达30.3%，1 MHz频偏处相位噪声可达‑112.5 dBc/Hz。
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公开(公告)号：CN116205195A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310491737.7
申请日：2023-05-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/006 , G06N3/084 , G06N3/08 , G06N3/04
Abstract: 本发明公开了一种平面螺旋电感的参数获取方法、装置、设备及介质，其方法包括获取当前平面螺旋电感，并确定其版图尺寸；将确定的版图尺寸输入预构建的ANN模型中，获取当前平面螺旋电感的T形等效电路的元件参数预测；将元件参数预测代入T形等效电路，对T形等效电路进行等效电路仿真，获取当前平面螺旋电感的基础参数预测；平面螺旋电感的版图尺寸包括线宽、线距、线圈匝数以及外径；平面螺旋电感的基础参数包括电感值、品质元素以及谐振频率；本发明能够根据平面螺旋电感的版图尺寸高效准确的获取其基础参数。
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公开(公告)号：CN114640308A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210268102.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种X波段低功耗宽带电感电容型压控振荡器，包括差分电感电容型压控振荡器、差分输出缓冲器、以及二进制权重的4比特位可变电容阵列，其中，差分电感电容型压控振荡器用于提供振荡信号，可变电容阵列用于调节振荡频率，差分输出缓冲器用于改善输出电压摆幅、以及匹配片外预设大小欧姆电阻；方案采用多路径堆叠电感技术，使得相同占用面积下所集成电感的电感值大幅度得到提升，同时其品质因数无明显恶化，并设计相应控制方法，使得所设计方案下的振荡器可工作在X波段上，输出9.21 GHz~12.5 GHz振荡信号，频率调节范围可达30.3%，1 MHz频偏处相位噪声可达‑112.5 dBc/Hz。
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公开(公告)号：CN218335962U
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202222263144.9
申请日：2022-08-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型涉及小数频率综合器用全差分电感电容型压控振荡器，包括可变电容阵列、自偏置型差分输出缓冲器、以及差分无尾电流源式电感电容型压控振荡器，差分无尾电流源式电感电容型压控振荡器用于提供本振信号，可变电容阵列用于实现宽调谐范围，自偏置型差分输出缓冲器用于降低输出阻抗、提升输出信号摆幅；方案采用无尾电流源技术及二次谐波滤波技术，使得小数频率综合器输出的本振信号的相位噪声性能得到提升，所设计方案下的振荡器可工作于UHF频段，输出1.55 GHz~2.07 GHz振荡信号，频率调节范围可达28.7%，100 kHz频偏处相位噪声可达‑106.3 dBc/Hz，1 MHz频偏处相位噪声可达‑126.1 dBc/Hz。
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