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公开(公告)号：CN116542156A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310533964.1
申请日：2023-05-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习算法的射频前端功率放大器线性化方法，包括以下步骤：S1，构建功率放大器的正模型与逆模型；基带信号经过预失真器处理得到输入信号x(n)后，通过功率放大器处理得到输出信号y(n)，构建正模型；通过参数辨识模块对输入信号x(n)与归一化处理后的输出信号y(n)建立映射关系，构建功率放大器逆模型R(xi)；S2，参数辨识模块对逆模型进行提取并引入核函数回归模型与正则化项构建误差函数L；S3，计算误差函数L，通过误差函数L与拟定的预设值之间比较，将完成构建的逆模型R(xi)复制到预失真器内部，对正模型进行补偿。本发明能够提高记忆深度，简化求解过程，信号容错率更强，提取模型更加准确快速，避免过拟合的发生。
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公开(公告)号：CN116633277A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310576876.X
申请日：2023-05-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请涉及一种应用于物联网前端的低噪声放大器。该低噪声放大器包括：第一PMOS管的衬底连接自身的源极，第二PMOS管的衬底连接自身的源极，第一PMOS管的栅极通过第一电阻连接地，通过第二电容连接第三电感和NMOS管的漏极，第三电感与第四电感、第五电感、第三电容连接，第四电感与第一PMOS管的漏极、第四电容相连接，第四电容分别连接到第二PMOS管的栅极、第二电阻，第二PMOS管的漏极连接到输出端，第二PMOS管的漏极连接到第五电感，NMOS管的栅极连接到第六电感、第五电容，第六电感连接第三电阻、第六电容，第五电容连接到第七电感、第七电容、NMOS管的源极，NMOS管的衬底通过第四电阻连接前向体偏置电压，实现了低噪声放大器超低的直流功耗。
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公开(公告)号：CN116131773A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211664179.1
申请日：2022-12-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于包络跟踪和自适应数字预失真的系统，包括预失真器，数模转换器，混合包络放大器和功率放大器；基带信号依次经过预失真器和数模转换器处理后输入混合包络放大器，通过混合包络放大器的动态调制放大供给功率放大器的漏极/集电极进行供电。方法为：1、基带信号依次经过预失真器和数模转换器处理后输入混合包络放大器；2、信号进入混合包络放大器后经过线性稳压器和开关级的动态调制输出作为功率放大器的输入电压。3、反馈路径采样功率放大器的输入电压，经过自适应算法处理后使预失真器能够实时的自适应跟踪放大器特性的变化。本发明提高功放的效率和基于查找表的数字预失真技术的准确性，达到更好的基带线性化放大效果。
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公开(公告)号：CN218335962U
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202222263144.9
申请日：2022-08-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型涉及小数频率综合器用全差分电感电容型压控振荡器，包括可变电容阵列、自偏置型差分输出缓冲器、以及差分无尾电流源式电感电容型压控振荡器，差分无尾电流源式电感电容型压控振荡器用于提供本振信号，可变电容阵列用于实现宽调谐范围，自偏置型差分输出缓冲器用于降低输出阻抗、提升输出信号摆幅；方案采用无尾电流源技术及二次谐波滤波技术，使得小数频率综合器输出的本振信号的相位噪声性能得到提升，所设计方案下的振荡器可工作于UHF频段，输出1.55 GHz~2.07 GHz振荡信号，频率调节范围可达28.7%，100 kHz频偏处相位噪声可达‑106.3 dBc/Hz，1 MHz频偏处相位噪声可达‑126.1 dBc/Hz。
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