公开(公告)号：CN118335806A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410441085.0

申请日：2024-04-12

Applicant: 捷捷半导体有限公司 ,  南京邮电大学

Inventor： 钱清友 ,  姚佳飞 ,  孙启 ,  江林华 ,  管青青 ,  陈勇 ,  孙铭顺

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请公开了一种PIN二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的PIN二极管，包括衬底、P型结构以及设置于衬底上的漂移层，其中，P型结构嵌设于漂移层的顶部，P型结构包括P层级以及环绕设置于P层级外周的结扩散区，P层级包括依次设置于漂移层上的P阱层和P重掺杂层，结扩散区的掺杂浓度小于P重掺杂层的掺杂浓度。本申请提供的PIN二极管及其制备方法，能够提高PIN器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN118352401B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410456224.7

申请日：2024-04-16

Applicant: 捷捷半导体有限公司 ,  南京邮电大学

Inventor： 钱清友 ,  张珺 ,  黄辰阳 ,  江林华 ,  管青青 ,  陈勇 ,  孙铭顺

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/40 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请提供一种二极管功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括沿第一方向依次层叠设置的第一金属层、第一重掺杂层、至少两层层叠的掺杂层、第二重掺杂层和第二金属层，第二金属层的一端沿第二方向还依次设置有场氧化层和场板，场氧化层和场板的一端与第二金属层连接、另一端延伸至部分层的掺杂层；掺杂层的掺杂浓度朝向第一金属层的方向逐渐增大，第一方向和第二方向垂直。至少两层掺杂层所在区域的电场重新分布，提升器件的击穿电压；有效降低场氧化层覆盖掺杂层的场板末端由于场板效应形成的电场峰值，提高未被场氧化层和场板覆盖到的掺杂层的掺杂浓度，提高整个掺杂层的掺杂浓度，降低器件比导通电阻，提高器件Baliga’s优值。

公开(公告)号：CN118352401A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410456224.7

申请日：2024-04-16

Applicant: 捷捷半导体有限公司 ,  南京邮电大学

Inventor： 钱清友 ,  张珺 ,  黄辰阳 ,  江林华 ,  管青青 ,  陈勇 ,  孙铭顺

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/40 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请提供一种二极管功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括沿第一方向依次层叠设置的第一金属层、第一重掺杂层、至少两层层叠的掺杂层、第二重掺杂层和第二金属层，第二金属层的一端沿第二方向还依次设置有场氧化层和场板，场氧化层和场板的一端与第二金属层连接、另一端延伸至部分层的掺杂层；掺杂层的掺杂浓度朝向第一金属层的方向逐渐增大，第一方向和第二方向垂直。至少两层掺杂层所在区域的电场重新分布，提升器件的击穿电压；有效降低场氧化层覆盖掺杂层的场板末端由于场板效应形成的电场峰值，提高未被场氧化层和场板覆盖到的掺杂层的掺杂浓度，提高整个掺杂层的掺杂浓度，降低器件比导通电阻，提高器件Baliga’s优值。