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公开(公告)号：CN118335806A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410441085.0
申请日：2024-04-12
IPC: H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种PIN二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的PIN二极管，包括衬底、P型结构以及设置于衬底上的漂移层，其中，P型结构嵌设于漂移层的顶部，P型结构包括P层级以及环绕设置于P层级外周的结扩散区，P层级包括依次设置于漂移层上的P阱层和P重掺杂层，结扩散区的掺杂浓度小于P重掺杂层的掺杂浓度。本申请提供的PIN二极管及其制备方法，能够提高PIN器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118352401B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410456224.7
申请日：2024-04-16
IPC: H01L29/861 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种二极管功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括沿第一方向依次层叠设置的第一金属层、第一重掺杂层、至少两层层叠的掺杂层、第二重掺杂层和第二金属层，第二金属层的一端沿第二方向还依次设置有场氧化层和场板，场氧化层和场板的一端与第二金属层连接、另一端延伸至部分层的掺杂层；掺杂层的掺杂浓度朝向第一金属层的方向逐渐增大，第一方向和第二方向垂直。至少两层掺杂层所在区域的电场重新分布，提升器件的击穿电压；有效降低场氧化层覆盖掺杂层的场板末端由于场板效应形成的电场峰值，提高未被场氧化层和场板覆盖到的掺杂层的掺杂浓度，提高整个掺杂层的掺杂浓度，降低器件比导通电阻，提高器件Baliga’s优值。
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公开(公告)号：CN118352401A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410456224.7
申请日：2024-04-16
IPC: H01L29/861 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种二极管功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括沿第一方向依次层叠设置的第一金属层、第一重掺杂层、至少两层层叠的掺杂层、第二重掺杂层和第二金属层，第二金属层的一端沿第二方向还依次设置有场氧化层和场板，场氧化层和场板的一端与第二金属层连接、另一端延伸至部分层的掺杂层；掺杂层的掺杂浓度朝向第一金属层的方向逐渐增大，第一方向和第二方向垂直。至少两层掺杂层所在区域的电场重新分布，提升器件的击穿电压；有效降低场氧化层覆盖掺杂层的场板末端由于场板效应形成的电场峰值，提高未被场氧化层和场板覆盖到的掺杂层的掺杂浓度，提高整个掺杂层的掺杂浓度，降低器件比导通电阻，提高器件Baliga’s优值。
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公开(公告)号：CN108538924A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810467692.9
申请日：2018-05-16
Applicant: 捷捷半导体有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件，包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片，其制造方法为：将金属散热底板放置于模具内，在金属散热底板的凸台上表面点上适量焊膏；将SiC肖特基二极管芯片阳极面朝下倒置放置在凸台上表面，并在SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区表面和外引脚焊接区同时点上适量焊膏；将连接桥片焊接A区和B区同时分别放置在阴极区和外引脚焊接区上；将装配好的产品连同模具一起进行一次性真空烧结，待烧结完成后，进行清洗、塑封，完成封装，形成产品，本发明极大的提高了芯片散热效果，缩短工艺流程，提高生产效率，极大的提高了器件的通流能力，充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。
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公开(公告)号：CN111696878A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010714452.1
申请日：2020-07-21
Applicant: 捷捷半导体有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种功率器件的高温高浪涌加固封装方法，包括：将基板设置在散热器上；将纳米银焊膏印刷在基板上；在晶圆级芯片上光刻金属Ag；将光刻金属Ag的晶圆级芯片划片得到分立芯片；将分立芯片贴装在纳米银焊膏上；将纳米银焊膏烧结成型得到纳米银焊层；第一引脚通过引线与分立芯片键合连接，第二引脚与基板键合连接；将分立芯片、纳米银焊层、基板、散热器、第一引脚、第二引脚和引线置于塑封壳内，塑封壳塑封成型得到功率器件芯片。本封装结构具有优良的电性能和热性能，可以承受更高的浪涌电流，进而有效的提升电流传输能力，提高其工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119270018A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411606463.2
申请日：2024-11-12
Applicant: 捷捷半导体有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供了一种稳压二极管老化试验电路及方法，涉及老化试验技术领域，包括第一电源、第二电源、处理单元以及多个待测稳压二极管、加热片和第一电压检测单元。多个待测稳压二极管串联后分别与第一电源和第二电源并联。每个待测稳压二极管上均固定有一个加热片，每个待测稳压二极管均并联有一个第一电压检测单元。处理单元的输入端分别与多个第一电压检测单元连接，处理单元的输出端分别与多个加热片连接。对多个待测稳压二极管进行结温标定时，处理单元用于根据每个实际稳压电压分别计算每个待测稳压二极管的实际结温，并根据每个实际结温分别控制每个加热片的工作状态，以使每个待测稳压二极管的实际结温均稳定至目标结温。
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公开(公告)号：CN222721861U
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202420767649.5
申请日：2024-04-12
Applicant: 捷捷半导体有限公司
Abstract: 一种VDMOS器件，涉及半导体器件技术领域。该VDMOS器件包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层内且与外延层上表面平齐的P阱区、设于P阱区内且与P阱区上表面平齐第一掺杂区和第二掺杂区、位于外延层上且分别与第一掺杂区和第二掺杂区连接的源极、位于衬底背离外延层一侧的漏极，以及栅极；第一掺杂区和第二掺杂区并排设置；栅极包括设于外延层上的第一结构和设于外延层内的第二结构，第一结构和第二结构连接，第二结构沿第一方向呈阶梯状设置，第一方向为衬底和外延层的排布方向。该VDMOS器件能够提高器件击穿性能的同时降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN218497088U
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202222504835.3
申请日：2022-09-21
Applicant: 捷捷半导体有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种防电子干扰的测试治具，涉及测试治具技术领域。防电子干扰的测试治具包括治具平台和屏蔽罩，治具平台的顶部开设有测试槽，测试槽的内部用于安装测试工件，屏蔽罩可拆卸地设置在治具平台的顶部、且封闭测试槽，屏蔽罩包括外壳体和翻转盖板，翻转盖板通过铰链连接于外壳体的顶部。从而在测试的过程中，通过将屏蔽罩安装在治具平台的上方、位于测试工件的外端，通过屏蔽罩能够减小防电子干扰的测试治具中的测试工件受到周围电子设备的电子干扰，同时也能够起到防尘的效果。
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公开(公告)号：CN208271910U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820728127.9
申请日：2018-05-16
Applicant: 捷捷半导体有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件，包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片，金属散热底板顶部中心区域设有凸台，外引脚包括外引脚焊接区、外引脚引出端，SiC肖特基二极管芯片包括朝下的阳极区和朝上的的阴极区，连接桥片包括连接桥片焊接A区、连接桥片焊接B区，SiC肖特基二极管芯片朝下的阳极区通过焊锡料焊接在凸台上方，SiC肖特基二极管芯片朝上的的阴极区通过焊锡料与连接桥片焊接A区接连，连接桥片焊接B区与外引脚焊接区通过焊锡料连接，本实用新型极大的提高了芯片散热效果，缩短工艺流程，提高生产效率，极大的提高了器件的通流能力，充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。
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公开(公告)号：CN218445625U
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202222533620.4
申请日：2022-09-23
Applicant: 捷捷半导体有限公司
Abstract: 本申请提供了一种器件测试夹具与器件测试组件，涉及器件测试技术领域。该器件测试夹具包括第一龙骨结构、第二龙骨结构、第一强制极板、第二强制极板、第一感测极板、第二感测极板、第一接触电极以及第二接触电极，第一龙骨结构与第二龙骨结构通过一支点连接；第一强制极板与第一龙骨结构的内侧连接，第一感测极板与第一龙骨结构的外侧连接；第二强制极板与第二龙骨结构的内侧连接，第二感测极板与第二龙骨结构的外侧连接；当处于检测状态时，第一强制极板与第二强制极板夹持待测器件，且第一接触电极、第二接触电极与待测器件形成开尔文连接。本申请提供的器件测试夹具与器件测试组件具有使用方便，且能够实现开尔文连接的效果。
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