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公开(公告)号：CN109326659A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811121284.4
申请日：2018-09-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高响应度低暗电流PIN结构的4H-SiC紫外探测器及其制备方法，一种高响应度低暗电流PIN结构的4H-SiC紫外探测器，在上电极和上电极4H-SiC欧姆接触层之间设有氧等离子体处理的4H-SiC欧姆接触层。上电极为Ti单层金属或含Ti多层金属复合结构。本发明高响应度低暗电流PIN结构的4H-SiC紫外探测器克服了传统PIN结构4H-SiC紫外探测器响应度低的缺点，在不增加器件的外延技术难度、器件制备复杂程度及成本的前提下，有效提升器件的灵敏度，并保持极低的暗电流水平。
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公开(公告)号：CN107628637A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710691388.8
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种在衬底上用水热法生长III族氧化物与氮化物纳米柱有序阵列，具体步骤如下：将III族硝酸盐或者氯化物(如Ga(NO3)3·nH2O)溶解于去离子水中得到一定X3+浓度的溶液；添加碱性物质或表面活性物质，调节PH值在6.5-9之间；将衬底和溶液放入到具有聚四氟乙烯内衬的高压釜中；将高压釜在85-150℃温度下水浴加热，反应时间视需要在2-10h之间。待反应完成后，将衬底取出，用去离子水洗涤吹干；将衬底置于高温管式炉中空气或氧气气氛下退火一定时间(1-10h)，温度范围800-1000℃；经上述过程，通过控制工艺条件，即衬底上可得到具有一定长径比和密度分布的III族氧化物纳米柱有序阵列；III族X是Ga、In或Al；衬底包括蓝宝石或者硅衬底。
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公开(公告)号：CN105181667A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510738667.6
申请日：2015-11-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种以单个UV-LED为光源的紫外荧光三信号水质传感器及应用，属于环境监测和水处理领域。本发明的紫外荧光三信号水质传感器，包括光路部分和信号控制处理部分，光路部分包括1个UV-LED、样品池、紫外探测器、荧光探测器A和荧光探测器B；信号控制处理部分包括电源模块、信号放大器A、信号放大器B、信号放大器C、模数转换器和微处理器。本发明具有无化学试剂消耗，可以实现对水体中溶解性有机物总体浓度变化的实时监测，同时可以反映蛋白类或腐殖质类等荧光组分浓度的实时变化，可以用于在线预测消毒副产物生成势以及高级氧化工艺中微污染物的降解程度，为水处理提供一种灵敏、快速、高效、经济、简易但信息丰富的在线监测装置。
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公开(公告)号：CN101752430B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010017259.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN101752430A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010017259.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872
Abstract: 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管，肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜，将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜，即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构，所述的场板结构的绝缘介质层包含至少一层具有高介电常数的绝缘材料，其厚度介于0.01-2微米之间，介电常数大于6。欧姆接触层、GaN有源层、绝缘介质场板，肖特基金属电极和欧姆接触电极。使用本发明所述设计的具有高介电常数材料场板的GaN肖特基二极管整流器件，比传统结构器件有着更均匀的电场分布和更大的反向击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100532638C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810098864.6
申请日：2008-05-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 非极性面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中生长，通过选择[1120]的R面蓝宝石做衬底材料，首先，在MOCVD系统中对生长的R面蓝宝石衬底在900-1100℃温度下进行材料热处理，时间为5-60分钟；或然后通入氨气进行表面氮化，在900-1100℃温度下时间为10-120分钟；再在900-1100℃温度范围通入H2和/或N2作为载气、氨气和金属有机镓源作为生长气源；通过控制载气，生长气源气体流量以及生长温度参数，在选择的衬底某晶面的蓝宝石衬底上合成生长非极性面的a面或m面GaN材料。
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公开(公告)号：CN101431017A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810235279.6
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善蓝宝石衬底上GaN厚膜完整性的方法，采用HVPE工艺，包括下述步骤：1)采用的衬底是蓝宝石或Si，2)将上述衬底经过清洗、吹干后，放入HVPE生长系统中，先生长低温GaN缓冲层，缓冲层生长温度550－750℃，生长时间30－300s；3)将生长温度升高至850－950℃，在该温度下进行GaN生长，时间30－300s；4)维持步骤3生长条件开始升温生长，直到生长温度提升至1050－1100℃，继续进行GaN的HVPE生长，直到得到所需厚度的GaN薄膜；5)生长完成后缓慢降温至室温，降温速率不高于10℃/分钟。
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公开(公告)号：CN101429650A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810235277.7
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 原位制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用HVPE生长方式在蓝宝石上生长GaN缓冲层薄膜，反应源材料为金属镓，高纯HCl或三甲基镓或其它有机镓源，载气N2及NH3；生长温度为550－750℃，缓冲层厚度在50nm－1μm；缓冲层生长完成后，关闭HCl气体或三甲基镓气体，在氨气保护下开始升温，升温时间15±4分钟至1000－1100℃生长温度，开始GaN生长直到所需要的厚度；关闭HCl气体，停止生长，在氨气保护下开始降温。降温速率维持在5－20℃/分钟；降温方式温度降至在650－750℃之间时，在该温度区间维持10－30分钟；然后自然降温至室温，即可得到自剥离的自支撑GaN衬底。
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公开(公告)号：CN101315881A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810124323.6
申请日：2008-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/8247 , C23C14/28
Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10－3Torr以上；将衬底温度升至300－900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5－90帕；调整激光器频率设置为5HZ，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3－5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN119936623A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510104344.5
申请日：2025-01-23
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供了一种面向阵列器件连续测试的系统、电子设备及存储介质，包括第一上位机和探针台；第一上位机发送扫描路径至探针台，控制探针台对待测阵列器件进行扫描测试：探针台的托盘按照扫描路径设定的路径点进行移动，到达指定位置后，上移托盘使探针和待测阵列器件的电极连接，通过电子测试设备按照第二上位机发送的测试指令对待测阵列器件进行测试，重复上述过程直到待测阵列器件的所有电极测试完毕。可以对任意阵列器件实现任意测试参数的扫描测试，进而结合检测位置坐标和该位置的测试结果进行数据可视化，为不同形状阵列器件提供全面且有效的测试数据。
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