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公开(公告)号：CN113347736A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110762539.0
申请日：2021-07-06
Applicant: 南京大学
IPC: H04W74/08 , H04W84/18 , H04B7/0413
Abstract: 本发明公开了一种基于MIMO的移动自组织网络多点通信方法，基于传统的点对点信息传输过程,根据侦听到的不同信道状态来判断是预约信道还是刷新NAV值，并且在侦听范围内，根据收到预约信道的RTSi是否是同一目标节点和最大RMAX个数来确定是结束二进制指数退避，进入NAV机制还是结束二进制指数退避进入同节点退避机制；此时同一并行子信道便可预约2个或以上，随后根据不同时刻、不同节点和经过等待时隙T0后的RTS分组个数来发送不同x赋值的CTS‑x分组，在MIMO系统多包接收能力的支持下可以的提高预约次数，实现多点对点通信。
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公开(公告)号：CN110797424B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911117680.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 一种具有暗电流抑制结构的锑化物超晶格甚长波红外探测器，以抑制器件暗电流并提高光生载流子输运。包括以下结构：衬底；缓冲层，外延于所述衬底之上；中长波波段接触层，称为P区，外延于所述缓冲层之上；甚长波波段吸收层，称为π区，外延于所述中长波波段接触层P区之上；中长波波段势垒层，称为M区，外延于所述甚长波波段吸收层π区之上；中长波波段接触层，称为N区，外延于所述中长波波段势垒层M区之上；盖层外延于所述中长波波段接触层N区之上；调整控制各个区域的超晶格结构，吸收层与势垒层的掺杂方式及厚度以设计所述红外探测器器件的能带结构。该结构基于PπMN结构，提出了全新势垒结构设计涉及超晶格、厚度和掺杂。
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公开(公告)号：CN110047996B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910335663.1
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法，以原子束沉积的方法在衬底上生长一层氧化铝绝缘层，然后利用反溶剂辅助结晶法在室温下制备一层超薄的铁电聚合物晶态薄膜，然后利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法同时生长一层超薄聚甲基丙烯酸甲酯和一层超薄二辛基苯并噻吩苯并噻吩，最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到二辛基苯并噻吩苯并噻吩层上作为源极和漏极。本发明以准二维铁电聚合物晶态薄膜为介电层和二维有机分子晶体C8‑BTBT材料作为半导体层制备快速晶体管存储器，可以大幅度降低铁电有机场效应晶体管存储器的功耗，同时具有低压操作能力以及快速存储能力。
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公开(公告)号：CN111987577A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010505174.9
申请日：2020-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 重复频率灵活倍增的全光纤激光器，所述激光器由一个锁模光纤激光振荡器(a)与一个基于时域泰伯效应的重复频率倍增模块(b)构成；其中锁模光纤激光振荡器先输出一定重复频率的稳定锁模脉冲，并通过光纤跳线头对准的方式注入基于时域泰伯效应的重复频率倍增模块，在倍增模块中的色散可调谐光纤器件中激发时域泰伯效应实现重复频率倍增；重复频率倍增模块由光纤环形器(5)与色散可调谐光纤器件(6)构成，锁模光纤激光振荡器输出的超短脉冲从光纤环形器1号口输入，2号口输出并注入色散可调谐光纤器件，激发色散介质中的时域泰伯效应实现激光器重复频率倍增，重复频率倍增后的周期性脉冲最终从环形器3号口输出。
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公开(公告)号：CN111711058A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010546163.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于Mamyshev振荡器差频的紧凑型可调谐红外激光器，包括：高功率Mamyshev振荡器和差频产生模块；高功率输出Mamyshev振荡器并设有两个输出端口，所述Mamyshev振荡器包括起振光模块、第一滤波分光模块和第二滤波分光模块；所述高功率输出Mamyshev振荡器的两路输出口；差频产生模块设有两路输入端口，分别为所述高功率输出Mamyshev振荡器的两路输出端口，通过第二合束器合为一束，第二合束器后依次紧接准直器、半波片、聚焦透镜、红外非线性晶体、聚焦透镜和滤波片，形成所述差频产生模块。发明提供的方法简单、可靠，是一种构建可调谐红外光源的理想方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110648922A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910852628.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/683 , H01L21/44 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/786 , C23C14/06 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种二维过渡金属硫属化合物薄膜大面积转移的方法及其应用，该方法为：制备大面积二维过渡金属硫属化合物薄膜；采用范德瓦尔斯外延生长技术和原子层沉积技术在过渡金属硫属化合物薄膜表面依次沉积单层有机染料分子薄膜和介电质薄膜，再涂覆一层聚合物薄膜；利用水渗透分离的原理，分离得到过渡金属硫属化合物/单层有机染料分子/介电质/聚合物复合薄膜，与目标衬底结合，去除聚合物薄膜，即完成转移。转移的二维过渡金属硫属化合物薄膜具有大面积的完整性及无污染的界面。转移的二维过渡金属硫属化合物/单层有机染料分子薄膜-介电质薄膜可用作电子器件的沟道层和介电层，具有极低的漏电和界面态，可有效降低电子器件工作电压。
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公开(公告)号：CN107328838B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710239206.3
申请日：2017-04-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/42
Abstract: 一种双栅极单电子晶体管生物传感器，结构如下，包括SOI绝缘衬底（1）﹑衬底上为硅量子点层（2）﹑介质层（3）﹑源极（4）﹑漏极（5）﹑侧栅极（6）﹑顶栅（7），顶栅包括功能薄膜的样品容器（8）；绝缘衬底（1）上的顶层硅是经过处理减薄到80±20nm左右制备源极﹑漏极﹑侧栅极﹑顶栅；所述的硅量子点沟道层是刻蚀方式在衬底上；硅量子点层上的所述的源极﹑漏极﹑侧栅极通过微加工方法在顶层硅上刻蚀出丁字型且三个极均留有间隙；单电子晶体管上生长出一层Al2O3的高K介质层，所述的顶栅(7)是通过模板在高介质层上面制作一个顶栅。
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公开(公告)号：CN110047996A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910335663.1
申请日：2019-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用基于二维有机功能材料的超低功耗铁电晶体管型存储器及其制备方法，以原子束沉积的方法在衬底上生长一层氧化铝绝缘层，然后利用反溶剂辅助结晶法在室温下制备一层超薄的铁电聚合物晶态薄膜，然后利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法同时生长一层超薄聚甲基丙烯酸甲酯和一层超薄二辛基苯并噻吩苯并噻吩，最后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜转移到二辛基苯并噻吩苯并噻吩层上作为源极和漏极。本发明以准二维铁电聚合物晶态薄膜为介电层和二维有机分子晶体C8-BTBT材料作为半导体层制备快速晶体管存储器，可以大幅度降低铁电有机场效应晶体管存储器的功耗，同时具有低压操作能力以及快速存储能力。
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公开(公告)号：CN106772733B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611214747.2
申请日：2016-12-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种三维狄拉克半金属衍射光栅，使用零带隙、线性能量色散关系的三维狄拉克半金属材料作为衍射光栅刻线材料，该光栅工作波长覆盖2‑6微米的红外区域，多种非线性光学参数可调控；器件包括由三维狄拉克半金属材料构成的衍射光栅功能层和承载该功能层所需的光学元件。所述的三维狄拉克半金属衍射光栅具有高反射率型和低反射率型两种模式一种基于三维狄拉克半金属的衍射光栅器件。本发明还提供了利用该三维狄拉克半金属衍射光栅的可饱和吸收(或超快光学开关)特性产生波长可调谐红外脉冲激光器的具体方案。
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公开(公告)号：CN109023515A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811016833.1
申请日：2018-09-03
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/183 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种制备氮化镓衬底的自分离方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在1‑5微米且分布均匀的氧化镓薄膜；在氨气气氛中对薄膜进行表面层部分氮化，形成多孔网格状结构分布的氮化镓/氧化镓复合薄膜；在该复合薄膜上进行氮化镓厚膜的卤化物气相外延生长，获得低应力高质量氮化镓厚膜；外延完成后，降温至室温，外延氮化镓厚膜与衬底之间自然分离，得到自支撑氮化镓衬底材料。
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