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公开(公告)号：CN215493850U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202120545645.9
申请日：2021-03-16
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC: G01R29/12
Abstract: 本实用新型实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统，属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括：采集模块，与用于静电测试的静电泄放弹性针连接，用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中，采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力，并生成对应的压力信号；控制模块，与所述采集模块连接，用于接收所述压力信号，并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态，以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令；以及告警模块，与所述控制模块连接，用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置，提高测试的效率性和准确性。
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公开(公告)号：CN108846171B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810523411.7
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，包括以下步骤：分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线，其中第一温度是‑40度以下，第二温度是125度以上；根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型；在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型；根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果，调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线。所述仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法可以实现在更宽的温度区间子电路模型仿真的电学特性曲线更加拟合实际情况。
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公开(公告)号：CN108922861B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810456357.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网河北省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。
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公开(公告)号：CN108828430B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201810557233.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/28 , G06K7/10 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统及方法，超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统包括：上位机、读写器、温箱以及远场天线。上位机内置有控制软件；读写器一端与上位机通信连接；温箱内部具有温度，且温箱的一侧具有玻璃窗口；以及远场天线与读写器的另一端通信连接，且远场天线朝向温箱的玻璃窗口；其中，多颗RFID标签芯片放置于温箱内，且上位机的控制软件能够控制读写器通过远场天线透过玻璃窗口对温箱内的多颗RFID标签芯片进行可靠性测试。借此，本发明的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，提高了测试效率，且提升了可靠性测试能力。
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公开(公告)号：CN107132472B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/307 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN110444469A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910797858.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开了一种缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，该芯片顶层具有凸起部位和凹陷部位，该方法包括以下步骤：在芯片顶层涂覆光刻胶；刻蚀所述光刻胶，使被所述凸起部位暴露出来，所述凹陷部位仍然被光刻胶填充；刻蚀所述凸起部位，直至露出顶层金属；再次刻蚀所述凹陷部位所残留的光刻胶；使用化学溶液腐蚀掉所述顶层金属；以及进行化学机械研磨，直至露出芯片下层部位，完成操作；该方法利用光刻胶与芯片顶层金属外氧化层和钝化层很大的刻蚀选择比，来避免干法刻蚀顶层时，不做平坦化导致的落差传递到下层，从而能够成功保护下层电路结构完整。
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公开(公告)号：CN109269451A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811382725.6
申请日：2018-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01B15/02
Abstract: 本发明公开了一种金属镀层厚度的测量方法，所述测量方法是通过聚焦离子束测量方法结合扫描电子显微镜进行测量的，该测量方法能够实现对电子镀层、材料表面的涂层进行精确测量，精度在纳米级，能有效进行鉴别鉴伤。
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公开(公告)号：CN108828430A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810557233.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/28 , G06K7/10 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统及方法，超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统包括：上位机、读写器、温箱以及远场天线。上位机内置有控制软件；读写器一端与上位机通信连接；温箱内部具有温度，且温箱的一侧具有玻璃窗口；以及远场天线与读写器的另一端通信连接，且远场天线朝向温箱的玻璃窗口；其中，多颗RFID标签芯片放置于温箱内，且上位机的控制软件能够控制读写器通过远场天线透过玻璃窗口对温箱内的多颗RFID标签芯片进行可靠性测试。借此，本发明的超高频RFID标签芯片的多同测可靠性的测试系统，提高了测试效率，且提升了可靠性测试能力。
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公开(公告)号：CN108267348A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711479741.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IC产品的样品截面的纳米级高精度制备方法，包括如下步骤：S1.将所述IC产品的样品注塑或者粘贴在陪片上，得到待研磨样品，对待研磨样品进行初步观察，并对待测区域进行标记；S2.采用粗砂纸对待研磨样品进行粗磨处理，得到粗磨样品；S3.确认粗磨样品的最终研磨位置和样品状态；S4.若样品状态不符合试验需求，则采用细砂纸对粗磨样品进行精磨处理；S5.对符合试验需求的细磨样品或粗磨样品进行清洗、吹干处理，得到待FIB处理样品；S6.将待FIB处理样品放置于FIB样品室中，调整FIB设备的样品台高度和旋转角度；S7.调整FIB设备的电压和电流参数进行截面精修处理，完成样品截面制备。本发明的制备方法效率高，精度高，截面样品辨识度可达纳米级。
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公开(公告)号：CN107170663A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610121476.X
申请日：2016-03-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力公司
Abstract: 本发明公开了一种从封装体取出芯片的方法，包括：去除封装体的密封盖板，封装体的底部设有封装框架，且封装框架上通过粘片胶设有芯片，密封盖板设置于封装体的上部；向封装体内注入树脂并固化，对封装体进行塑封并形成铸件；对塑封后的铸件的底部进行研磨处理，去除封装体底部的封装框架；在预设温度范围内对研磨后的铸件进行加热处理，挖取出芯片；对挖取出的芯片进行强酸漂洗，预设时间后取出漂洗后的芯片。该方法不必加热到太高温度，就能从封装体中取出芯片；而且酸处理时间较短，不会腐蚀焊盘，可完好地取出芯片，芯片还可进行二次封装。
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