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公开(公告)号：CN115911105A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211489343.X
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/41 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种基于二维半导体的固态源掺杂方法和二维半导体晶体管，该固态源掺杂方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备二维半导体材料层；对所述二维半导体材料层远离所述基底的表面进行表面改性处理；在所述二维半导体材料层远离所述基底的表面上蒸镀固态活性源金属层；在所述固态活性源金属层上蒸镀常规金属层；对所述固态活性源金属层和所述常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层。根据本发明的固态源掺杂方法避免了常规金属直接蒸镀产生的费米钉扎效应，可以形成欧姆接触，以较低的成本解决高电阻触点的问题。
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公开(公告)号：CN115275011A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210498419.9
申请日：2022-05-09
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种场效应晶体管及其制备方法。本公开的一些实施例中，场效应晶体管包括：衬底层；沟道层，通过在衬底层上沉积碳纳米管而形成；铁电栅介质层，位于沟道层的源漏沟道中间，通过在沟道层之上沉积掺杂氧化铪的铁电栅介质薄膜而形成；栅极，形成于铁电栅介质层之上；源极，形成于沟道层之上；漏极，形成于沟道层之上。本公开的场效应晶体管结构简单、易于制备，存储窗口大，便于大面积制备，与现有硅基产线兼容性好，且具有读写速率块、存储窗口大、高擦写次数、功耗低的优点。
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公开(公告)号：CN112881493A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011226010.9
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: G01N27/414 , C12Q1/6825
Abstract: 本公开提供了场效应晶体管型生物传感器件，包括：生物传感单元，包括沟道区域，修饰有固定的探针分子，固定的探针分子能够与待检测的溶液中的目标分子进行杂交；加热单元，设置在生物传感单元附近，进行加热以改变生物传感单元处的温度；及温度检测单元，用于检测生物传感单元处的温度，加热单元根据温度检测单元所检测的温度值来控制传感单元处的温度，生物传感器件通过被控制的温度来控制固定的探针分子与目标分子的杂交与解杂交，实现生物传感器件多次使用，并且基于探针分子与目标分子杂交后生物传感单元所产生的电学信号来实现对目标分子的快速高灵敏度检测。还提供了生物传感器件制备方法、生物分子检测方法、及生物分子检测系统。
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公开(公告)号：CN110416308B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201910730427.X
申请日：2019-08-08
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种碳纳米管三维鳍状晶体管及其制备方法，其中，所述碳纳米管三维鳍状晶体管是一种以狄拉克二维半金属为源漏极的基于内嵌栅鳍的晶体管结构，这种结构的碳纳米管三维鳍状晶体管在具有较小尺寸的同时，能够降低碳纳米管三维鳍状晶体管的短沟道效应，这是因为狄拉克二维半金属具有二维的超薄结构，将其作为碳纳米管三维鳍状晶体管的源极和漏极材料可以减小源漏极对于栅结构中的栅电极的静电屏蔽作用，从而降低碳纳米管三维鳍状晶体管的短沟道效应。另外，所述碳纳米管三维鳍状晶体管可以通过在内嵌金属栅鳍上施加电压，从而影响沟道内的电势分布，进而实现对器件阈值的分立调控作用，实现动态控制器件阈值的功能。
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公开(公告)号：CN111384361A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811633675.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01M4/137 , H01M4/1399 , H01M4/60 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种二维有机钙钛矿锂离子电池电极及其制备方法。该锂离子电池电极包含二维有机钙钛矿材料或准二维有机钙钛矿材料。该制备方法包括：1)称取二维或准二维钙钛矿材料、导电剂和粘结剂；2)继续称取分散剂溶液，将步骤1)称取的固体分散在该溶液中，以方便之后和成膏状物；3)将步骤2)得到的膏状物进行研磨；4)将研磨得到的浆料涂布在金属箔表面，并烘干；5)将烘干后的金属箔进行压片，即可得到所需的电极片，即锂离子电池电极材料。本发明首次将新型的二维或准二维有机钙钛矿材料应用于锂离子电池，从而在锂电池的应用中提供开放性的结构，有助于锂离子的嵌入和脱嵌，能够提高锂离子电池的性能。
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公开(公告)号：CN105336792B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510729479.7
申请日：2015-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管半导体器件及其制备方法，属于碳纳米管技术领域。本发明提供的碳纳米管半导体器件的制备方法包括步骤：通过碳纳米管溶液形成碳纳米管层；以及对所述碳纳米管层采用酸性溶液进行处理。本发明的方法制备得到的碳纳米管半导体器件的性能均匀性好。
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公开(公告)号：CN106653930A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611186119.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于半导体纳米材料的等离激元增强光电探测器及其制备方法。该光电探测器以半导体纳米材料作为电极之间的导电沟道，至少一端的电极采用等离激元增强电极结构，该等离激元增强电极结构采用斧状周期结构。在制备该光电探测器时，可以先得到沟道材料再制备等离激元增强电极结构在其上，也可以先制备等离激元增强电极结构再覆盖沟道材料。本发明可以有效地提高对特定波长范围(300‑10000纳米)入射光能量的利用率，起到提高量子效率的增强效果；且制作工艺简单，无需掺杂，电极加工与微加工方式兼容，尺寸可灵活设计以满足特定波长范围增强的需求。
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公开(公告)号：CN105655406A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610115033.X
申请日：2016-03-01
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管薄膜晶体管及其制作方法。其中，该碳纳米管薄膜晶体管包括：源极和漏极；对应所述源极和所述漏极之间的沟道区域间隔设置的多个带状凸起，所述多个凸起沿所述沟道的宽度方向依次排列，所述凸起沿所述沟道的长度方向延伸；以及设置在所述多个凸起及相邻凸起之间的间隔区域上的碳纳米管层。通过本发明，可以使网络状碳纳米管在薄膜晶体管中排布更加有序，达到了提高网络状碳纳米管薄膜晶体管的性能的效果。
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公开(公告)号：CN103964413A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410154960.3
申请日：2014-04-17
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C01B31/0253 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种在转移碳纳米管的过程中同时提高其密度的方法。首先将基片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到可沿单一方向收缩的伸缩膜上，如硅橡胶、聚酯、形状记忆合金等具有收缩性的材料；接着沿着垂直于碳纳米管延伸的方向收缩此膜，提高碳纳米管平行阵列的密度；最后利用化学方法将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法效率高，成本低，得到高质量高密度的碳纳米管平行阵列，成功解决现有碳纳米管转移的难题。
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