公开(公告)号：CN118366928A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410449962.9

申请日：2024-04-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  郭睿 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的栅极互连方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，栅极互连方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；对第一晶体管进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管；在形成第一晶体管和/或形成第二晶体管之后，在第一区域内形成互连结构，以连接第一晶体管的第一栅极结构与第二晶体管的第二栅极结构，第一区域位于有源结构与堆叠晶体管一侧的边界之间。

公开(公告)号：CN118352300A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410299534.2

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/764 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向依次堆叠的第一有源结构、牺牲层结构和第二有源结构；第二有源结构相比于第一有源结构靠近半导体衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一伪栅侧墙；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二伪栅侧墙；在形成第一晶体管的第一伪栅侧墙和/或第二晶体管的第二伪栅侧墙之前，采用湿法刻蚀工艺去除牺牲层结构；在被去除的牺牲层结构的位置处形成空气间隙；空气间隙用于隔离第一晶体管和第二晶体管。

公开(公告)号：CN117316770B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311317907.6

申请日：2023-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  王志灏 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：形成沟道；在沟道的侧壁形成牺牲栅极结构；其中，牺牲栅极结构包括栅介质层和牺牲栅极，栅介质层位于沟道和牺牲栅极之间；形成与沟道的顶部连接的第一掺杂区；形成与沟道的底部连接的第二掺杂区；其中，牺牲栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；在形成第二掺杂区之后，去除牺牲栅极，并在牺牲栅极去除的位置形成栅极。

公开(公告)号：CN118116930A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410165142.7

申请日：2024-02-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  刘煜 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/50 ,  H01L23/52 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：堆叠晶体管，堆叠晶体管包括由上至下堆叠的第一晶体管和第二晶体管；电源轨结构，电源轨结构包括第一电源轨和第二电源轨，第一电源轨位于堆叠晶体管之上且耦接第一晶体管的源极，第一电源轨被配置为提供第一电压，第二电源轨位于堆叠晶体管之下且耦接第二晶体管的源极，第二电源轨被配置为提供第二电压；其中，第二电压和第一电压不同；第二电源轨的正投影和第一电源轨的正投影基本重叠。

公开(公告)号：CN118073283A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410178555.9

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H10B10/00 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一介质层上形成第一耦合金属结构，第一耦合金属结构连接第二栅金属结构和第二源漏金属；倒片并去除衬底；在第一半导体结构上形成浅槽隔离层；在浅槽隔离层上形成第二半导体结构；浅槽隔离层中形成有第二耦合金属结构和第三耦合金属结构；第二耦合金属结构连接第一栅金属结构和第四栅金属结构，第三耦合金属结构连接第二栅金属结构和第三栅金属结构；在第二介质层上形成第四耦合金属结构，第四耦合金属结构连接第四栅金属结构和第四源漏金属。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

公开(公告)号：CN117476640B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311295787.4

申请日：2023-10-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  张磊 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请提供一种半导体制备方法、半导体结构和芯片。该方法包括：在衬底上形成第一层叠结构和第二层叠结构，其中，第一层叠结构用于形成第一晶体管，第二层叠结构用于形成第二晶体管，第一层叠结构和第二层叠结构与衬底之间均形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层位于第二层叠结构和衬底之间的部分，以在第二层叠结构和衬底之间形成间隙；在间隙内形成BDI层；形成第一晶体管的第一外延结构和第二外延结构、以及第二晶体管的第三外延结构，其中，第一外延结构和第二外延结构构成第一晶体管的源极和/或漏极，第三外延结构构成第二晶体管的源极和/或漏极，BDI层介于第三外延结构和衬底之间。通过本申请，同时了提供BDI层以及ESD保护。

公开(公告)号：CN118039568A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410034012.X

申请日：2024-01-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底，并刻蚀衬底形成有源结构；有源结构包括第一端和第二端，有源结构的第一端相比于有源结构的第二端远离衬底；在衬底的第一区域上形成第一材料层；在第一材料层上，形成横跨有源结构的第一伪栅结构；对半导体结构进行倒片，并去除衬底，以暴露有源结构的第二端和第一材料层；使用第一材料层作为刻蚀掩膜，对半导体结构进行刻蚀，直至达到预设高度；在半导体结构上沉积半导体材料，形成第二伪栅结构；刻蚀第二伪栅结构，直至暴露源漏区域的有源结构，以形成第三伪栅结构；去除第一伪栅结构和第三伪栅结构，分别形成第一栅极结构和第二栅极结构。

公开(公告)号：CN117995776A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410057642.9

申请日：2024-01-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，刻蚀后的中间牺牲层位于第一有源结构和第二有源结构之间；形成间隔设置在第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹第二有源结构的第一浅槽隔离结构；去除刻蚀后的中间牺牲层，以形成第一间隙；在第一间隙中填充绝缘材料，以形成中间介质隔离层，中间介质隔离层用于隔离第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构和第二有源结构形成第一晶体管和第二晶体管。通过本申请，可以实现第一有源结构和第二有源结构之间的电学隔离。

公开(公告)号：CN117316770A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311317907.6

申请日：2023-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  王志灏 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括：形成沟道；在沟道的侧壁形成牺牲栅极结构；其中，牺牲栅极结构包括栅介质层和牺牲栅极，栅介质层位于沟道和牺牲栅极之间；形成与沟道的顶部连接的第一掺杂区；形成与沟道的底部连接的第二掺杂区；其中，牺牲栅极结构位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；在形成第二掺杂区之后，去除牺牲栅极，并在牺牲栅极去除的位置形成栅极。

公开(公告)号：CN117293090A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311226797.2

申请日：2023-09-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H05K1/18 ,  B82Y10/00

Abstract: 本申请提供一种自对准晶体管的制备方法、自对准晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底的沟道区上形成硬掩模和侧墙结构；基于硬掩模和侧墙结构，刻蚀衬底，以形成第一半导体结构；去除硬掩模，并刻蚀第一半导体结构以及衬底，以形成第一有源结构和第二有源结构；第一有源结构包括与侧墙结构对应的至少两个鳍片；在第一有源结构两端的有源区外延生长第一源极结构或第一漏极结构，以形成第一晶体管，第一晶体管为鳍型场效应晶体管；对衬底进行倒片，并去除衬底，以暴露第二有源结构；在第二有源结构两端的有源区外延生长第二源极结构或第二漏极结构，以形成第二晶体管，第二晶体管为纳米片场效应晶体管或平面晶体管。