公开(公告)号：CN1972552A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610143929.5

申请日：2006-11-03

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  株式会社未来视野

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  堀口贵弘

IPC: H05H1/46 ,  H01P5/04 ,  H01P1/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 本发明能够实现等离子体处理装置长度方向的等离子体均匀性，同时与多重处理对应。具有多个可变耦合器(12)的微波导管(10)设置在真空室(21)中，微波发生器(23中发生的微波通过波导管(24导入微波导管(10)中，该室(21)中的等离子体(22)由导入的微波(25)激发后产生。由未图示的驱动装置，按双向箭头所示的方向上下移动每个可变耦合器(12)，能够改变微波导管(10)中微波(25)的强度分布。

公开(公告)号：CN102792449B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 富士电机株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN103489919A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310334981.9

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/45 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于电源电压的偏差。

公开(公告)号：CN102017161B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200980115221.0

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于由电源电压所决定的偏差。

公开(公告)号：CN103222352A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180054307.4

申请日：2011-11-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  桥本昌和

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0237 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/024 ,  H05K1/181 ,  H05K3/4626 ,  H05K3/4694 ,  H05K2201/09727 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种多层布线基板(100)，其将高密度布线区域和高频传输区域安装于同一基板上，其中，作为至少高频传输区域使用的绝缘层的材料，通过使用介质损耗角正切(tanδ)小于0.01的树脂材料，使得能够在高频传输区域传输40GHz以上的信号频率。绝缘层由聚合性组合物形成，所述聚合性组合物含有：环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物及具有3个亚乙烯基的三官能化合物，且所述双官能化合物和所述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5～1.5。

公开(公告)号：CN103053028A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180037619.4

申请日：2011-07-22

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  熊本拓朗

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/024 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/052 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种具有与以往相比散热特性较优异的散热机构的光电转换构件。本发明的光电转换构件(1)具有第一电极层(20)、发电层叠体(22)、以及在发电层叠体(22)上隔着镍层(24)而成膜的第二电极层(26)。在第二电极层(26)上形成由含有SiCN的材料构成的钝化层(28)。在钝化层(28)上设有散热结构体(31)。散热结构体(31)在至少一种聚合物(S)100质量份中含有膨胀石墨粉(E)40～750质量份。

公开(公告)号：CN101155944B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200680011225.0

申请日：2006-03-28

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  中山尚三 ,  伊藤日艺

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 一种成膜装置及成膜方法。成膜装置具有向喷出容器内喷出有机EL分子气体的结构，具有多个有机EL原料容器、连接多个有机EL原料容器和喷出容器的配管系，多个有机EL原料容器有选择地成为有机EL分子供给状态，该配管系供给输送气体，使得在各有机EL原料容器内，在成膜时和非成膜时成为相同的压力。在非成膜时，输送气体从有机EL原料容器之一流向其它原料容器。

公开(公告)号：CN101379597B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780004105.2

申请日：2007-01-30

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  森永均

IPC: H01L21/304 ,  G01B11/06

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中，为了不向半导体表面照射光而进行遮光并同时利用液体进行表面处理。本发明如果用于半导体表面的清洗、蚀刻、显影等湿式制程(Wet process)的表面处理，则可以减低表面微粗糙度的增大。这样，可以提高半导体器件的电特性或成品率。

公开(公告)号：CN101305451B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200680041735.2

申请日：2006-11-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理用簇射极板，是由多个配管形成的等离子体处理用簇射极板(31)，配管(31A3)由多孔质材料构件(44)和金属构件(41)构成，该多孔质材料构件(44)被沿着配管配置，对于原料气体具有规定的气孔率，朝向外侧呈凸状；该金属构件(41)与多孔质材料构件(44)对向配置，与多孔质材料构件(44)一起形成原料气体流路(43)。可以实现一种喷嘴构造，使原料气体呈扩散状喷出。

公开(公告)号：CN101661871B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910129116.4

申请日：2009-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树 ,  加藤充男 ,  广江昭彦 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置(10)包括：处理容器(100)；在处理容器内设置的、载置基板(G)的基座(105)；在设置在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P1～P3)处与基座接触的3根供电棒(B1～B3)；和与3根供电棒(B1～B3)连接，且经3根供电棒(B1～B3)从3个以上的位置(P1～P3)向基座(105)供给高频电力的高频电源(130)。在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P)处3根供电棒(B1～B3)与基座(105)接触。高频电源(130)与3根供电棒(B1～B3)连接，将从高频电源(130)输出的高频电力经3根供电棒(B)从3个位置(P1～P3)供给到基座(105)。