含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法

    公开(公告)号:CN114594657A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202111466982.X

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的目的是提供于多层抗蚀剂法中,抑制超微细图案崩塌的效果高,可形成图案形状良好的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物,其特征为含有:下列通式(A‑1)表示的化合物及热交联性聚硅氧烷。[化1]R1表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基,R2表示氢原子、乙酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯甲酰基、萘甲酰基、蒽甲酰基,R3表示甲基、乙基、丙基、烯丙基、炔丙基、或下列通式(A‑2)表示的基团。[化2]虚线表示原子键,R1、R2与前述相同。

    抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法

    公开(公告)号:CN108693713B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN201810275797.4

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料、使用了该抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料,其含有:(A1)下述通式(X)表示的化合物中的一种或两种以上;以及,(B)有机溶剂。[化学式1]式中,n01表示1~10的整数,n01为2时,W表示亚硫酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数为2~50的二价有机基团,n01为2以外的整数时,W表示碳原子数为2~50的n01价有机基团。此外,Y表示单键或碳原子数为1~10的可包含氧原子的二价连接基团。

    有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物

    公开(公告)号:CN111948903A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010413700.9

    申请日:2020-05-15

    Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物,其含有碳含量高而有热硬化性的聚合物,会展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性,并提供使用其的图案形成方法及适合其的聚合物。有机膜形成用组成物包含具下列通式(1A)或(1B)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中,Ar1、Ar2表示也可以有取代基的苯环或萘环,X为单键或亚甲基,L为下列中的任一者;上式中的破折线代表价键,R为氢原子或碳数1~20的1价有机基团。 上述通式(1B)中,W1为羟基、碳数1~10的烷氧基或也可以有取代基的具至少1个以上的芳香环的有机基团,Ar1、Ar2、X、L同前所述。

    含金属的膜形成用组成物、图案形成方法

    公开(公告)号:CN119781245A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411366443.2

    申请日:2024-09-29

    Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用组成物、图案形成方法。本发明的课题是提供相对于以往的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性、且兼具高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用组成物、及使用了该组成物的图案形成方法。本发明的解决手段是一种含金属的膜形成用组成物,含有:(A)含有选自于由Ti、Zr、Hf构成的群组中的至少1种的金属的金属化合物、(B)于分子内包含2个以上4个以下的碳数2~13的环状醚结构的交联剂、及(C)溶剂。

    含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法

    公开(公告)号:CN119528965A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411171870.5

    申请日:2024-08-26

    Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供用于形成具有优异的干式蚀刻耐性,且兼具高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜的化合物;包含该化合物的含金属的膜形成用组成物;使用该组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种含金属的膜形成用化合物,其特征为:该化合物是下列通式(M)表示者。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#该通式(M)中,R1、R2各自独立地为有机基团或卤素原子,W为下列通式(W‑1)或(W‑2)表示的2价有机基团。

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