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公开(公告)号：CN116093227A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111316647.1
申请日：2021-11-05
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED结构及其制作方法。所述垂直结构深紫外LED结构包括外延层，该外延层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层等；该外延层具有相背对的第一、第二面，该第二面远离该第一导电半导体层设置，该第二面上还开设有至少一个第二沟槽，第二沟槽的槽底面分布在该外延层的第一面上，第二沟槽的槽底面上覆盖有保护层，同时第二沟槽内还填充有应力匹配材料。本发明可以有效防止或消除在去外延衬底时因外延层应力过大导致外延层脱落等问题，同时还可以显著改善深紫外LED器件水平方向的出光，提升光提取效率，并且还有助于有效降低器件侧壁漏电的风险，大幅提升器件生产良率及改善器件可靠性。
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公开(公告)号：CN116072793A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111285852.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光效发光二极管器件结构及其制作方法。所述高光效发光二极管器件结构包括外延层，所述外延层上依次叠设有导电的第一反射层和保护层；所述保护层的底端面和第一反射层的顶端面完全重合，所述外延层上还覆设有绝缘层，所述绝缘层和第一反射层两者在所述外延层的正投影构成互补图形，并且至少是所述第一反射层的侧壁与所述绝缘层的相应侧壁重合。本发明通过采用第一反射层与其保护层为相同形状和面积，且第一反射层与绝缘层为互补图形结构的设计，可以有效消除因Ag迁移等带来的器件可靠性差等问题，克服因低反射率保护层材料吸光带来的缺陷，显著提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN115172345A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210605362.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种应用于UV固化的光源模块和制作方法，该应用于UV固化的光源模块包括基板和晶圆，基板包括主体以及间隔设置在主体上的第一电极和第二电极；晶圆包括第三电极和间隔设置于第三电极上的多个晶粒，各晶粒均包括相互电连接的第四电极和发光结构，第三电极与发光结构电连接，第三电极背离发光结构的一侧与第一电极电连接，各第四电极均与第二电极电连接，晶粒为垂直结构，第三电极和第四电极分别设置于发光结构相对的两侧，各第四电极均包括子电极以及间隔设置在子电极一侧的至少两个金属件，子电极与发光结构连接，以使晶粒通过金属件与第二电极连接。将晶粒制备成晶圆级的阵列模式，单位面积晶粒密度增多，提升输出的光功率密度。
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公开(公告)号：CN115036220A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110243650.9
申请日：2021-03-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓电子器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构层，所述外延结构层包括依次叠层设置在衬底上的轻掺杂GaN层、含铝的III族氮化物半导体插入层和p型GaN层；对所述p型GaN层表面的指定区域进行加工处理，以在所述p型GaN层表面的指定区域形成凹槽结构，并使所述含铝的III族氮化物半导体插入层的局部自所述凹槽结构内露出；在所述凹槽结构内形成第一电极，该第一电极与所述插入层形成肖特基接触；以及制作与所述外延结构层形成欧姆接触的第二电极和第三电极。本发明实施例提供的氮化镓电子器件可以克服现有技术的缺点，且具有结区稳定可控、正向导通好、反向耐压高、正向电流横向扩展好等优点。
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公开(公告)号：CN114823942A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210764171.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域，该半导体封装结构包括基板、支架、半导体元件、透光部件和连接部，基板包括底板以及围设在底板周围的侧壁，侧壁和底板围成容纳空间，底板的顶面和底面均设置有导电层；支架位于容纳空间内并安装于底板的顶面的导电层上，支架为导电材料制件；半导体元件安装于支架上；透光部件盖设于基板上，透光部件包括透光件以及围设在透光件周围的金属连接件，金属连接件的底面与侧壁的顶面抵接；连接部分别与侧壁和金属连接件连接，连接部位于透光件的径向延长线上，用以封闭容纳空间。采用高能量束焊接，可以不用将基板置于高温环境中，避免了换气通道的产生，确保容纳空间的密封性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203888A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111291300.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 佛山中科产业技术研究院 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外LED封装器件。紫外LED封装器件包括基板、外壳、镜片。基板上设有金属镀层。外壳围设于基板，并连接于金属镀层，基板与外壳围设形成安装槽。外壳背离基板的一侧设有镜片，镜片将安装槽密封。其中，紫外LED设于安装槽内，安装槽内设有反射层。通过基板与外壳的无机连接，以及在安装槽内设置反射层，使得基板、外壳、以及镜片采用无机的连接方式组装形成紫外LED封装器件，加强紫外LED封装器件的抗老化能力，并且在安装槽内设置反射层，提高紫外LED封装器件的光提取效率。
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公开(公告)号：CN113279054A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010103574.7
申请日：2020-02-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料。所述提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法包括：在衬底上生长形成氮化铝底层，在所述氮化铝底层上生长氮化铝孔洞形成层，同时在氮化铝孔洞形成层内形成复数个孔洞；在所述氮化铝孔洞形成层上生长氮化铝合并层，并使形成氮化铝合并层的材料在各孔洞顶部合并而原位形成空洞，且使所述空洞被包裹在氮化铝合并层内部，从而使在所述空洞之上形成的外延层具有平整无裂纹的表面。本发明的提高AlN材料质量的外延生长方法具有降低位错密度效果显著、可以同时抑制裂纹、工艺简单、适应性广等许多优点，从而生长更厚的无裂纹、高质量的AlN材料，完全适合应用于商业化生产。
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公开(公告)号：CN111146314A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811314183.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的 晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面 组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。
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公开(公告)号：CN110034186A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810031021.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及其制作方法。所述HEMT包括分别作为沟道层、势垒层的第一、第二半导体，作为p型层的第三半导体，源极、漏极以及栅极等；其中势垒层上对应于栅极的区域内形成有凹槽结构，其与第三半导体及栅极配合形成p型栅，并且第二半导体包括依次设置于第一半导体上的第一、第二结构层；相对于选定刻蚀试剂，第一结构层较之第二结构层具有更高耐刻蚀性能。本发明的HEMT结构可被更为精确地调控，同时还具有更佳器件性能，如正向栅极漏电和栅阈值电压摆幅被显著改善，器件阈值电压的片内均匀性可以得到保证，同时其更易于制作，适用于规模生产。
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