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公开(公告)号：CN1949508A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610118053.9
申请日：2006-11-08
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L25/18 , H01L27/144 , H01L21/822
摘要： 本发明公开了一种带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法，该探测器，包括：红外光敏元列阵芯片、读出电路、混成互连铟柱和增透会聚微镜列阵。所说的增透会聚微镜列阵是由红外光敏元列阵芯片的衬底背面生长一增透膜，通过常规的等离子体组合刻蚀形成的。微镜制备方法采用了记忆焦平面探测芯片正面图形的光刻方法，获得的背向集成微透镜列阵的各个光轴在空间上与其对应的光敏像元的光敏面中心法线重合。本发明的优点是：由于增透会聚微镜中心区域的增透效果，以及周边区域的会聚作用，既能提高新一代高密度像元红外焦平面探测器的光电流信号，又能减小相邻像元之间的空间串音。
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公开(公告)号：CN1937190A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610117107.X
申请日：2006-10-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法，该方法是在红外光敏感列阵芯片和读出电路在常规的冷压混成互连后，采用甲酸作为还原剂，在金属铟的熔点温度下进行混成互连铟柱的微熔回流加固，以增强混成互连铟柱之间及内部的键合力，以及混成互连铟柱与金属化电极层间的机械接触强度，从而确保红外光敏感列阵芯片与硅读出电路之间的电学连通，并提高红外焦平面混成互连的机械可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN1794437A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030792.8
申请日：2005-10-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/607 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法，该方法的特征是：采用在硅读出电路上制备In球列阵，光敏感列阵芯片上制备焊接压点，并采用单边In球回流振动提拉的倒装焊接方法。本发明的优点是：采用硅读出电路一侧制备In球列阵的单边In球倒装焊接方法，避免了因经受In熔点的高温回流处理给红外光敏感列阵芯片带来性能上的不利影响。在回流倒装提拉焊接过程中，使列阵芯片的焊接压点与读出电路的In球之间产生微小振幅的来回运动，以蹭破In球表面的氧化层，提高了回流状态的In球与焊接压点间的浸润性，从而提高了器件倒装焊接的机械和电学性能。
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公开(公告)号：CN1741259A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510029961.6
申请日：2005-09-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L21/467 , H01L21/469 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO2)材料。SiO2掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜技术在HgCdTe材料表面生长SiO2薄膜，再利用光刻技术和湿化学腐蚀技术将光刻版掩模图形转移到SiO2薄膜上，从而在HgCdTe材料表面形成SiO2掩模层。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
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公开(公告)号：CN113654664B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202110930651.0
申请日：2021-08-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器，在平面结构红外探测芯片的衬底上制备具有光谱分离功能的波段分束阵列，入射的宽谱红外光透过红外波段分束阵列表面微纳结构区域后发生光谱分离，不同波长红外光分别照射至超像素的第一亚像元、第二亚像元和第三亚像元。经过红外波段分束阵列无表面微纳结构区域的全透红外光照射至超像素的第四亚像元。四个亚像元分别输出信号，利用图像合成得到红外彩色图像，同时利用图像增强融合技术获得目标更丰富的细节信息。该探测器具有探测波段丰富、信号利用率高、微型化，利用红外波长分束阵列与平面结构红外探测芯片构建超像素红外探测器的优点。
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公开(公告)号：CN110265492B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910414304.5
申请日：2019-05-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11
摘要： 本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
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公开(公告)号：CN109244176B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811176475.0
申请日：2018-10-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/109
摘要： 本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p‑n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p‑n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。
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公开(公告)号：CN110265492A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910414304.5
申请日：2019-05-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11
摘要： 本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
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公开(公告)号：CN110243779A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910411828.9
申请日：2019-05-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱的计算方法，该方法主要包括入射光在碲镉汞红外焦平面探测器中的传播、碲镉汞吸收层中载流子的输运、碲镉汞吸收层表面态复合模型以及响应光谱的综合设计。设计的响应光谱曲线在干涉条纹以及在短波红外区域量子效率下降的现象与实际的测试结果一致。该设计方法对碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱优化有重要意义。
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公开(公告)号：CN106784133A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611059411.3
申请日：2016-11-25
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1832
摘要： 本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀温度的关系曲线。依照此关系曲线，即可通过控制刻蚀温度控制刻蚀反型层的厚度。本发明方法可以实现在碲镉汞刻蚀过程中就能直接控制p‑n结结构，具有精确工艺控制、工艺集成等特点，为碲镉汞刻蚀反型调控提供了新的控制维度。
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