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公开(公告)号：CN114362719B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111466267.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片集成声波滤波阵列及其制备方法，单片集成声波滤波阵列包括：支撑衬底；支撑衬底包括多个支撑区域，多个支撑区域包括至少一个第一支撑区域，第一支撑区域对应的部分支撑衬底经过局部或整体改性处理；位于支撑衬底上表面的压电层；多个支撑区域中每个支撑区域在对应的区域表面(如压电层内)上能够激发预设声波模式和/或预设声波频率，多个支撑区域对应多个不同的预设声波模式和/或预设声波频率；位于压电层上表面的电极阵列；电极阵列包括多个电极，多个电极与多个支撑区域一一对应。如此，可以实现多频段声学器件的单片集成，解决实际需求中声表面波谐振器、体声波谐振器等协同工作带来的体积大、工艺复杂、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN111431501B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010245302.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。
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公开(公告)号：CN116599481A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN116007484A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211598955.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种微结构测量方法、装置、电子设备及存储介质，包括在待检测样品表面设置声学负载层，声学负载层是胶体形式的物质，基于谐振结构阵列对待检测样品进行测试，得到待检测样品表面的声学负载层的多个厚度数据，从多个厚度数据中确定声学负载层的目标厚度数据，目标厚度数据为多个厚度数据中的最大值，基于目标厚度数据与非目标厚度数据确定待检测样品的表面凸起的厚度数据，非目标厚度数据为多个厚度数据中除去目标厚度数据的厚度数据。本申请实施例基于高阶泛音体声波谐振器的声学负载周期性调制原理，实现对待测表面的厚度信息的测量，这种方法具有可靠性高，对待检测样品表面没有损耗的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115563836A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211379718.7
申请日：2022-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/23 , G06T17/20 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种多物理场耦合谐振器的仿真方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括获取待求解谐振器模型，识别待求解谐振器模型中的多个物理场；对待求解谐振器模型进行立方体网格划分，并将网格划分后的待求解谐振器模型分为多个网格区域，通过有限元法获取所有网格区域的系统矩阵；其中系统矩阵中的自由度向量包含待求解谐振器模型中多个物理场的物理场分量基于对矩阵中相同物理场分量进行耦合的方式，将所有网格区域依次进行拼接，以获取待求解谐振器模型的系统矩阵；对待求解谐振器模型的系统矩阵进行求解，以获取目标求解物理量。本发明实现谐振器中多物理场的仿真结合，减少了求解的时间，同时也减小了需要计算矩阵的内存。
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公开(公告)号：CN115347877A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210909089.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于压电衬底的多模式谐振器和多通带滤波器，其中，多模式谐振器包括：衬底层；单晶压电层，位于所述衬底层上；图案化电极组件，位于所述单晶压电层上；图案化介质膜，位于所述单晶压电层和/或图案化电极组件上，用于实现单个谐振模式到多个谐振模式的变换。本发明通过在压电衬底表面设计覆膜，能够通过单个谐振器激发并利用多个模式的谐振响应，并获得同时对多通带响应的滤波器，而无需大面积的多个滤波器集成，减小了器件面积，优化了散热途径，增大了设计自由度。
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公开(公告)号：CN114465594A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011239226.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：底电极；压电膜结构，形成于所述底电极的上方；顶电极，形成于所述压电膜结构的上方；其中，所述压电膜结构包括叠置的底层压电膜及顶层压电膜，所述底层压电膜及所述顶层压电膜均具有正面及与正面相对的反面；所述底层压电膜与所述顶层压电膜的法线方向均位于其各自压电晶体的XY面内，同时所述底层压电膜与所述顶层压电膜的晶体切型相同且其中一个正面朝上设置、另一个反面朝上设置。通过本发明提供的声波谐振器，抑制或消除了现有声波谐振器在导纳响应中引入的杂散模式。
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公开(公告)号：CN114124022A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111437684.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种增强散热的悬空谐振器及制备方法，包括导热支撑衬底、位于导热支撑衬底上方的单晶压电层、设置于单晶压电层上的图案化电极换能器组件；导热支撑衬底中设置位于单晶压电层下方的悬空腔体，悬空腔体的形状通过图案化离子注入形成，图案化电极换能器组件包括第一区域和第二区域，且悬空腔体的横截面与第一区域的横截面相匹配，以使得第一区域对应的单晶压电层悬空，第二区域对应的单晶压电层不悬空。本发明通过在单晶压电层下方设置部分悬空的悬空腔体，能够激发并利用具有大机电耦合系数的高声速声波模式，避免声波能量向衬底的泄露；同时，在第二区域内与导热支撑衬底紧密接触，大大改善器件的散热性能、功率容量及机械稳定性。
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公开(公告)号：CN110572135B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910876649.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于极低声阻部件的高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器的制备方法包括如下步骤：1)制备极低声阻部件；2)于所述极低声阻部件的上表面上形成压电膜；3)于所述压电膜的上表面形成图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下设置极低声阻部件，增大压电膜与其下方的极低声阻部件的阻抗差，可有效激发高声速弹性波(如S0波)，在加强对其界面反射的同时并将其机械能有效约束在压电膜中，从而在提高声表面波谐振器频率的同时，使其保持较高的Q值；避免了高频声表面波谐振器所激发的高声速弹性波大量向衬底泄露而导致的器件性能严重退化的问题的发生。
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