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公开(公告)号：CN111933649A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010711530.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括：衬底、紫外功能层、红外功能层、紫外探测器和红外探测器；所述紫外功能层和所述红外功能层间隔设置于所述衬底上，所述紫外探测器和所述红外探测器分别位于所述紫外功能层和所述红外功能层上。本发明通过在同一衬底上进行紫外功能层和红外功能层外延，可以在紫外功能层和红外功能层分别制作紫外探测器和红外探测器，实现了紫外探测器和红外探测器的单片式集成，集成后的光电探测器封装简单、体积小、成本低，且能够实现红外波段和紫外波段的同时检测。
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公开(公告)号：CN111599747A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010386841.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法，该方法包括：在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预设位置将所述蓝宝石衬底打通，制备通孔；在制备通孔后的蓝宝石衬底的刻蚀阻止层上完成正面工艺，得到MMIC芯片，将所述MMIC芯片上所述通孔对应的刻蚀阻止层去除，制备完成通孔，这样制备通孔的方法对正面工艺制备的介质层或者器件等不会造成破坏，且制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN111599745A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010484913.0
申请日：2020-06-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧，用于固定所述太赫兹二极管。本发明通过设置在用于装配太赫兹二极管的电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧的多个太赫兹二极管定位桩，有利于太赫兹二极管装配位置的定位，可以将太赫兹二极管准确且牢固地固定到电路基板上，有利于由太赫兹二极管装配构成的最终电路性能的稳定。
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公开(公告)号：CN111599703A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010387498.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/482
Abstract: 本发明适用于半导体器件制备技术领域，提供了一种SiC衬底上GaN器件或电路的梁式引线制备方法，该方法包括：在SiC衬底上生长GaN外延层，将划片道位置上对应的GaN外延层去除；在去除GaN外延层的划片道位置上沉积第一介质层，并在除划片道位置之外的区域的GaN外延层上完成芯片的正面工艺，得到第一样品；采用激光将第一样品上划片道位置对应的SiC衬底刻蚀掉，得到芯片周围的刻蚀槽；采用蜡将刻蚀槽填平，并粘附到预设托片上，在第一介质层上制备梁式引线，制备工艺简单，器件一致性高，且避免了采用价格较高的光刻胶进行回填，使得降低芯片的制备成本，且降低环境污染，降低工作人员的接触危险。
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公开(公告)号：CN111192926A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010013555.5
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，该氧化镓肖特基二极管由下至上包括阴极金属，高掺杂氧化镓衬底，低掺杂氧化镓外延层，阳极金属、围绕阳极金属的钝化介质层，以及，覆盖于阳极金属之上的场板金属；其中，所述钝化介质层内含有氟负离子。本发明可以提高氧化镓肖特基二极管器件的击穿特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111129163A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911231350.8
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层的窗口为待制备的热氧化处理区所对应的区域，其中，所述热氧化处理区包括至少一个第一热氧化区和两个第二热氧化区；对器件正面进行第一高温退火处理，形成热氧化处理区；去除所述第一掩膜层；制备正面的阳极金属层和背面的阴极金属层；其中，所述第一热氧化区位于阳极金属下方，每个第二热氧化区部分位于阳极金属下方。上述方法可以通过热氧化形成终端结构，降低阳极金属下方及边缘区电场，从而降低阳极反向漏电，改善击穿和导通特性。
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公开(公告)号：CN111128746A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911231347.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层制备金属掩膜层；在所述金属掩膜层上制备光刻胶并形成多个第二图形窗口，刻蚀形成凹槽结构；去除光刻胶，并对器件正面进行高温退火处理，形成多个带有凹槽结构的热氧化区；制备正面的阳极金属层和背面的阴极金属层；其中，所述阳极金属层的边缘位于最外侧的金属掩膜层上，且阳极金属层和金属掩膜层正所涵盖的区域下方包括至少一个带有凹槽结构的热氧化区。上述方法可以使阳极金属层和带有凹槽结构的热氧化区完全对齐，优化阳极结处电场，提高器件的耐高压特性并兼顾导通特性。
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公开(公告)号：CN105977147B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610608427.9
申请日：2016-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法，涉及半导体器件制造技术领域；步骤为：对衬底材料进行清洗，利用热氧设备生长氧化物介质层；在氧化物介质层上设置顶部介质层；悬涂第一光刻胶，烘烤、曝光、显影；采用等离子体进行干法过刻蚀；清洗去除第一光刻胶；悬涂第二光刻胶，进行烘烤；悬涂第三光刻胶，进行烘烤；对已经得到的样品进行曝光、显影；蒸发栅金属；剥离第一光刻胶和第二光刻胶；简单方便，能实现刻蚀自动终止，阻挡刻蚀过程中对GaN的刻蚀损伤。
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公开(公告)号：CN110797259A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911013915.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L29/20
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底，所述方法包括：在氮化镓衬底外延生长异质结前，对所述氮化镓衬底进行干法刻蚀工艺处理，且刻蚀角度不等于90度，所述刻蚀角度为所述氮化镓的等离子体加速方向与所述氮化镓衬底的夹角角度。本发明能够通过斜角干法刻蚀工艺，缓解GaN衬底表面不平整特性，减小硅的吸附面积，抑制副沟道效应。
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公开(公告)号：CN110719067A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910837993.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种具有热匹配结构的太赫兹倍频器，属于太赫兹器件领域，包括金属外壳、设于金属外壳内腔中的金刚石基板、设于金刚石基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，金刚石基板的上板面与倍频芯片对应的第一类压点处设有第三热膨胀适配层，金刚石基板的下板面与金属外壳内腔对应的第二类压点处设有第四热膨胀适配层。本发明提供的具有热匹配结构的太赫兹倍频器，第三热膨胀适配层和第四热膨胀适配层均选用具有较低热膨胀系数的材质，有效改善金刚石基板与倍频芯片及金刚石基板与金属外壳之间的热膨胀失配，使金刚石基板能够用于太赫兹倍频器中。
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