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公开(公告)号：CN101795505A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010110083.1
申请日：2010-02-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有网孔结构加热膜的低功耗微型加热器及其制作方法，其特征在于所提供的微型加热器具有特殊形状的网孔按照一定的规则排布形成具有网孔结构的加热膜，加热膜通过支撑悬梁与衬底框架相连，加热电阻丝以折线形式排布在加热膜上并通过支撑悬梁与衬底框架上的引线用电极相连。这种结构不但可以有效减少加热器加热膜区的热量向支撑悬梁的传导，进一步降低器件功耗，而且可以拓展加热器的制作方法。本发明所涉及的加热器特别适合在气体检测领域应用。
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公开(公告)号：CN100440561C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610118474.1
申请日：2006-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微机械红外热电堆探测器结构及其制作方法，其特征在于作为红外吸收层的悬浮膜结构具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面腐蚀衬底形成悬浮膜结构释放器件。探测器的衬底和悬浮于框架中间的红外吸收层分别构成热电堆的冷结区和热结区，支撑臂连接框架和红外吸收区并承载热电堆；中间悬浮的红外吸收层带有不同形状的腐蚀开口，作为干法刻蚀工作气体进入衬底进行反应的通道。采用了标准CMOS工艺中最常见的材料，便于实现和信号处理电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成红外吸收层，相比传统的湿法腐蚀不仅简化了工艺流程，降低了对光刻机的要求；同时不需考虑对其它材料的破坏，拓宽了探测器可用材料的范围。
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公开(公告)号：CN1851950A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610026291.7
申请日：2006-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal－Oxide Semiconductor，CMOS)兼容的微机械热电堆红外探测器结构及其制作方法，其特征为利用(100)单晶硅各向异性腐蚀特性采用正面特定的开口通过正面腐蚀实现大吸收面积微机械热电堆结构，所制作的红外探测器特征在于框架与中间悬浮的红外吸收区构成热电堆的冷结区和热结区；支撑臂连接框架和红外吸收区以及承载热电堆；长条形开口覆盖整个红外吸收区。本发明提供的结构和工艺具有腐蚀时间短、器件占空比大，器件成品率高等特点，特别适合大阵列红外探测器的制作。
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公开(公告)号：CN108305912B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201710018051.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，包括步骤：1)提供一基板；2)于所述基板上形成电极器件，包括测试电极、供电引线、供电电极；3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上，至少覆盖所述测试电极；4)将上述结构置于反应炉中退火；5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜；6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本发明工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN116718639A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310365344.1
申请日：2023-04-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅纳米线传感器的阈值电压标定及定量测试方法，利用硅纳米线传感器表面探针修饰前、后阈值电压的变化量，对目标物的阈值电压响应进行归一化处理，确定目标物响应标准曲线，来获取目标物的阈值电压响应所对应的目标物的浓度；本发明在阈值电压标定前后，测试结果的一致性显著提升，可重复性好，标定过程不需要额外的设备，标定过程和测试过程可使用同一个设备，有效节省了成本，标定过程对硅纳米线传感器是无损的，不影响硅纳米线传感器的后续测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115236021A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210760500.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本发明涉及一种并列式双通道红外气体传感器，包括从上至下依次层叠的反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片；反光罩上设有反射腔和若干透气孔；支撑板上设置有第一通孔和第二通孔，其内分别嵌设有第一滤光片和两第二滤光片；基座的顶面设有红外光源和两红外探测器，红外光源位于第一滤光片的正下方，两红外探测器分别位于两第二滤光片的正下方，两红外探测器相对于红外光源并列排布；红外光源和两红外探测器与ASIC芯片电连接。本发明的并列式双通道红外气体传感器，反光罩、支撑板、基座和ASIC芯片层叠设置，从而缩小体积；反射腔为折叠式反射结构，使光程增长；红外光源和两红外探测器分布在基座两端，可隔绝红外光源对热敏元件的影响。
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公开(公告)号：CN115161177A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210568675.0
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12M1/34 , C12M1/00 , C12Q1/689 , C12Q1/6876 , C12Q1/04 , C12Q1/10 , G01N33/569 , G01N33/543 , G01N33/531 , B01L3/00 , C12R1/19
Abstract: 本发明涉及一种基于尺寸匹配的生物芯片及其检测方法，所述生物芯片为根据检测需求，由数个零维传感器、一维传感器或二维传感器中的一种或几种组成的多维度传感器。本发明利用与待测物尺寸相匹配的多维度传感器进行检测，得到的检测结果具有高灵敏度；使用多维度的传感器对待测物进行并行检测，可提高检测结果的精确度，进而使检测结果更加可靠。
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公开(公告)号：CN110687068B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910875694.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504 , G01N21/03
Abstract: 本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器，包括：滤波结构，用于红外光滤波，使至少一个预设波长的红外光通过所述滤波结构；探测芯片，用于将所述至少一个预设波长的红外光转化为电信号；其中，所述滤波结构为超材料滤波结构。本申请实施例所述的红外探测器，采用超材料作为滤波结构，通过设计超材料的结构和参数，使经过超材料滤波后的红外光，对应待测气体的多个红外特征吸收峰，探测器芯片将多个待测气体的红外特征吸收峰所对应波长的光信号转化为电信号，增强了信号的强度，提高了红外气体传感器的精度和气体识别能力。
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公开(公告)号：CN110203879B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910391545.2
申请日：2019-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括：提供硅片；通过窗口干法刻蚀以形成刻蚀凹槽，该刻蚀凹槽的底壁与埋氧层之间保留有第一剩余顶层硅结构；湿法刻蚀以形成各向异性刻蚀槽，第一剩余顶层硅结构被减薄以形成位于各向异性刻蚀槽的底壁与埋氧层之间的第二剩余顶层硅结构，相邻两个各向异性刻蚀槽之间形成硅间壁；通过对第二剩余顶层硅结构和硅间壁进行氧化，在氧化硅间壁的底部和相邻氧化硅底壁的交界处形成贴附于埋氧层的单晶硅纳米线；去除氧化硅底壁、氧化硅间壁和埋氧层，硅纳米线被悬空而位于腐蚀槽的底部。本发明通过微加工工艺尺寸缩小技术来制备硅纳米线，不仅避免硅纳米线的尺寸偏差，且可以根据需要调整硅纳米线的尺寸且成本低廉。
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公开(公告)号：CN111982323B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910440473.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法，热电堆型高温热流传感器包括：衬底，衬底内形成有隔热腔体；复合介质膜，位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面；电阻块，位于复合介质膜的上表面，且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方；绝缘介质层，覆盖电阻块的表面；金属图层，包括电极及引线，电极位于绝缘介质层的上表面，引线位于绝缘介质层内，电极经由引线与所述电阻块电连接。本发明的热电堆型高温热流传感器的结构简单，热偶对数降低至1至2对，可以承受高温热流冲击，实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量，在高温环境中工作稳定，可靠性强。
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