公开(公告)号：CN112164725B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202011036591.X

申请日：2020-09-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张弛 ,  辛树轩 ,  李胜 ,  钱乐 ,  葛晨 ,  刘斯扬 ,  时龙兴

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/06 ,  H01L21/338

Abstract: 本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极；复合柱体是通过在漂移区上依次淀积p型半导体层和n型半导体层而后对其进行刻蚀形成；沟道层和钝化层依次通过淀积形成；由此以上器件被划分为元胞区和终端区，介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极仅存在于元胞区，终端区的钝化层向上延伸并包裹于沟道层外侧。该结构可以提高器件阈值电压、提高器件阻断特性、降低栅电容大小。

公开(公告)号：CN112259605A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011143648.6

申请日：2020-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  钱乐 ,  张弛 ,  李胜 ,  辛树轩 ,  葛晨 ,  刘斯扬 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底中设有衬底电阻区，在衬底上依次设有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体区，第二半导体层与第三半导体层接触形成电子沟道层，在衬底电阻区上依次设有第一介质区、金属区、第二介质区，在第三半导体层上设有第一金属电极、第三金属电极，在第四半导体区上设有第二金属电极，在衬底下方设有第四金属电极，第一介质区、第二介质区、半导体层呈交替分布，该结构可以提高器件耐瞬时电流冲击的能力，在器件承受瞬时大电流时，对器件起到一定的保护作用。

公开(公告)号：CN109212401B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201811024283.8

申请日：2018-09-03

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  吴其祥 ,  童鑫 ,  卢丽 ,  钊雪会 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/265 ,  G01N25/20

Abstract: 基于热成像技术的半导体雪崩耐量失效分析的测试方法及装置，本发明主要包括在搭建的测试系统中，开启待测功率器件和功率开关管，电感开始续流，当电感中的电流达到雪崩电流峰值Iav后，关断待测功率器件和功率开关管，电感放电，待测功率器件发生雪崩，在待测功率器件被击穿前开启短路功率器件，待测功率器件被短路并停止雪崩，电感能量通过短路功率器件泄放，此后，重复本操作，使待测器件持续发生雪崩，通过对器件雪崩时间的限制，使得器件在在不损坏的情况下多次进行雪崩过程，在此过程中我们可以通过热成像技术观测器件雪崩过程中发热点位置的变化情况。

公开(公告)号：CN111426927A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201811583501.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘斯扬 ,  李智超 ,  叶然 ,  卢丽 ,  孙伟锋 ,  苏巍 ,  马书嫏 ,  华晓春 ,  顾力晖 ,  林峰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件动态电学应力施加装置，包括：信号发生器、光耦保护模块、栅脉冲驱动模块、高压控制模块和所述n个被测功率半导体器件，其中，所述信号发生器、所述光耦保护模块、所述栅脉冲驱动模块依次串接至所述n个被测功率半导体器件栅极，所述高压控制模块与所述n个被测功率半导体器件漏极相连，所述n个被测功率半导体器件源级接地。本发明还涉及一种功率半导体器件动态电学应力测试方法。本发明能够同时完成对一个或多个被测功率半导体器件进行动态电学应力的施加，通过光耦保护模块实现了信号发生器与高压电路的光电隔离，方便对被测功率半导体器件退化参数的监测，提高了动态电学应力条件下热载流子可靠性测试的效率。

公开(公告)号：CN110808287A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911058197.3

申请日：2019-10-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  杨玲 ,  叶然 ,  卢丽 ,  王琪朝 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有N型区，在N型区的上方有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在N型漂移区内设有N型漏区，在N型漏区、N型源区和P型区上设有金属接触，在N型区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅场板，在栅氧化层和N型漏区之间设有场氧层，在场氧层上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板和高位源级场板组成，高位源级场板与N型漂移区之间的距离大于低位源级场板与N型漂移区之间的距离。本发明可在击穿电压基本不变的基础上，获得较优的品质因数。

公开(公告)号：CN110784112A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910988630.7

申请日：2019-10-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  郑敏 ,  刘琦 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M3/335 ,  H02M3/158 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明提出升降压谐振变换器副边电流不对称的控制系统及控制方法，属于谐振变换器控制技术领域。控制系统包括：第一电流采样电路、第二电流采样电路、以MCU为核心的控制电路、隔离驱动电路。在原边电流畸变情况下，在经历多个工作周期的采样后，获得变换器副边整流网络的上半周期和下半周期的电流峰值平均值之间的差值，以该差值与设定值进行逻辑比较，通过调整变换器原边的前级功率管的导通时间，使得变换器副边电流对称。控制系统结构简单，控制方法易于实现。使变压器副边电流对称，减小了热损耗，提高了效率。

公开(公告)号：CN110729346A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910937475.6

申请日：2019-09-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 魏家行 ,  陶心怡 ,  李宁波 ,  李胜 ,  张弛 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻高耐压能力的宽禁带半导体整流器件，包括：第一金属电极,位于第一金属电极上依次设有重掺杂第一导电类型导电层和轻掺杂第一导电类型导电层，所述轻掺杂第一导电类型导电层内设有深沟槽结构，在所述深沟槽结构槽底设有第二导电类型区，在所述轻掺杂第一导电类型导电层上表面设有上设有第二金属电极，在深沟槽结构之间及其外侧设有电子导电沟道结构，所述深沟槽结构及电子导电沟道结构相互平行且间隔相等，本发明通过在深沟槽结构之间增设电子导电沟道结构，有效的增加了正向导通电流密度，降低了导通电阻，减小了器件的功率损耗，同时由于深沟槽结构外壁设有的氮化铝镓，可以有效的提升临界击穿电压。

公开(公告)号：CN106206711B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201610704134.0

申请日：2016-08-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈欣 ,  魏家行 ,  杨翰琪 ,  任晓飞 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种P型埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成AlN成核层，在AlN成核层上形成本征GaN层，在本征GaN层上形成AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅氧化层，在栅氧化层上表面形成栅极，在AlGaN掺杂层和栅极上覆盖钝化层，在栅极一侧形成源极，在栅极另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于本征GaN层的上部、贯穿AlGaN掺杂层并止于钝化层内，其特征在于，在AlN成核层中形成有P型AlGaN掺杂区埋层，所述P型AlGaN掺杂区埋层上表面与本征GaN层下表面相接触，P型AlGaN掺杂区埋层的一个边界位于栅极下方，另一个边界位于栅极和漏极之间区域的下方。

公开(公告)号：CN109545839A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811343651.5

申请日：2018-11-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  钊雪会 ,  徐浩 ,  童鑫 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种双向耐压VDMOS器件及其制备方法，包括：N型漏极，其上设有第一N型外延层，在第一N型外延层内设有第一P型体区，在第一P型体区两侧设有第二P型体区，其上设有第二N型外延层，在第二N型外延层上设有重掺杂N型源极，其上连接有源极金属层，在第一N型外延层、第二P型体区、第二N型外延层及N型源极内设有栅极沟槽，栅极沟槽起始于N型源极，止于第一N型外延层内，栅极沟槽底部及侧壁设有栅极氧化层，内部设有栅极多晶硅，在栅极多晶硅顶部至N型源极表面之间设有氧化层。本发明简化了传统双向开关器件的结构，大大降低了导通电阻以及损耗，提高器件的电流能力和双向耐压能力，同时其制备方法简单，成本较低。

公开(公告)号：CN109212401A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811024283.8

申请日：2018-09-03

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  吴其祥 ,  童鑫 ,  卢丽 ,  钊雪会 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26 ,  G01N25/20

Abstract: 基于热成像技术的半导体雪崩耐量失效分析的测试方法及装置，本发明主要包括在搭建的测试系统中，开启待测功率器件和功率开关管，电感开始续流，当电感中的电流达到雪崩电流峰值Iav后，关断待测功率器件和功率开关管，电感放电，待测功率器件发生雪崩，在待测功率器件被击穿前开启短路功率器件，待测功率器件被短路并停止雪崩，电感能量通过短路功率器件泄放，此后，重复本操作，使待测器件持续发生雪崩，通过对器件雪崩时间的限制，使得器件在在不损坏的情况下多次进行雪崩过程，在此过程中我们可以通过热成像技术观测器件雪崩过程中发热点位置的变化情况。