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公开(公告)号：CN102832232B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210289462.0
申请日：2012-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。
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公开(公告)号：CN102769453B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210224751.2
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提供了一种可抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平移位电路、差模噪声消除电路、RS触发器、输出驱动级电路，高压电平移位电路将低侧的脉冲信号转换为高压脉冲信号输出，在高压电平移位电路的输出与差模噪声消除电路的输入之间连接有共模噪声消除电路，共模噪声消除电路用来消除应用中产生的共模噪声信号，差模噪声消除电路消除由于工艺偏差引入的差模噪声，输出正常的脉冲信号，经过RS触发器还原为正常的方波信号后进入输出驱动级电路后输出方波信号，驱动外部高侧功率管。
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公开(公告)号：CN102769038B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210223901.8
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型源区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型源区、多晶硅栅和N型漏区的表面设有钝化层，其特征在于，在浅P型阱区正下方还设有与其共用一块光刻板但采用高能量离子注入形成的深P型阱区，该区域有效地减小了体区的导通电阻，提高器件的电流能力的同时，降低了工作过程中发生闩锁的风险。
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公开(公告)号：CN102608511B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210059502.2
申请日：2012-03-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，给待测器件漏源两端施加直流电压，在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏源两端的电流，撤去栅极上的直流工作电压，再在栅极上施加方波脉冲电压，逐渐增加温度控制箱内部的温度，最高温度不超过测试器件结温，不断地测量待测器件漏源两端的漏电流，当测得的待测器件漏源两端的漏电流与待测器件漏源两端的电流相等时，以此时的温度控制箱内部温度作为等效结温，计算待测器件的热阻值。
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公开(公告)号：CN102201661B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110143100.6
申请日：2011-05-30
Applicant: 东南大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，保护电路包括电压探测电路，电流探测电路，软关断保护电路，降栅压保护电路，其中，电压探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件，电压探测电路反馈信号与一路电流探测电路反馈信号采用一对背靠背二极管隔离后接至降栅压电路，避免了相互干扰，另一路电流探测信号直接反馈至软关断电路，本发明只需要简单的电阻、电容、场效应管、二极管、齐纳管就能实现，使的短路保护结构非常简单，且响应及时、可靠，大大降低了成本，便于集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103618455A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310666465.6
申请日：2013-12-10
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/157
Abstract: 一种减小单电感双输出变换器输出电压稳态误差的方法，当主环误差放大器采用无大电容补偿时，在主环中增设一个电流采样保持电路，其输出的直流电平Vdc与斜坡电压Vramp1叠加求和后产生新的斜坡电压Vramp2再与采样的电感电流信号叠加求和后作为比较器同相输入端的输入电压Vsense，同时将误差放大器的输出Vc叠加上一个直流电平Vdc0得到比较器的反相端输入信号Ve，Ve也是电流采样保持电路的另一个输入信号，此时比较器输出的主级开关控制信号，能够给变换器电感足够的充电时间，从而减小变换器输出电压的稳态误差。
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公开(公告)号：CN103607110A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310535825.9
申请日：2013-11-01
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/36
Abstract: 一种辅助绕组供电的快速开启开关电源，PWM控制电路采用5810芯片并增设补偿电路，补偿电路包括电阻R9与电容C6串联，开关采样电路包NPMOS管Q1、电阻R2、R4和R8，NMOS管Q1的漏极作为开关采样电路的输入端连接变压器主级，Q1的栅极分别连接电阻R2及R4的一端，电阻R2的另一端连接5810芯片的驱动端口，电阻R4的另一端分别连接Q1的源极、电阻R8的一端以及5810芯片的电流采样端口，电阻R8的另一端连接5810芯片的地端口；辅助充电电路包括电阻R6、R7、R10，二极管D3、D4、D5、电容C5及两个与变压器主级同侧的辅助绕组NA1、NA2。
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公开(公告)号：CN102867845A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210366193.3
申请日：2012-09-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N-漂移区及P型体区，且P型硅衬底的上表面为N-漂移区及P型体区覆盖，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在N-漂移区上方设有N型缓冲层，在N型缓冲层上方设有N型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、多晶硅栅、N-漂移区、N型漏区上方设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，N型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在P型硅衬底上设有超结结构，超结结构由连接漏区及衬底方向相间分布的N型区和P型区构成。
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公开(公告)号：CN102832232A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210289462.0
申请日：2012-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。
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公开(公告)号：CN102769454A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210224755.0
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提供了一种可抗噪声干扰的高侧栅驱动电路，主要包括可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路，脉冲滤波电路，RS触发器，输出驱动级电路，其中，可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路将低侧的脉冲产生信号转换成高侧的高压脉冲信号，并消除在应用中产生的共模噪声，脉冲滤波电路滤除剩余的差模噪声成分，只留下正常工作的脉冲信号，经过RS触发器还原为正常信号并经过输出驱动级电路后输出方波信号，驱动外部的高侧功率管。
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