公开(公告)号：CN102385919B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201110248599.7

申请日：2011-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹治元 ,  蔡东赫 ,  朴宰佑 ,  南尚完

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C16/16

CPC classification number: G11C16/3445 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/16 ,  H01L29/792

Abstract: 一种操作非易失性存储器件的方法包括：对与多个串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，所述与多个SSL相关联的存储单元构成存储块；以及在验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作之后，验证对与第二SSL相关联的第二存储单元的擦除操作。

公开(公告)号：CN105575424A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510716402.6

申请日：2015-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹治元 ,  朴贤国 ,  边大锡

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C7/04 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092

Abstract: 本公开涉及电阻式存储器件及其操作方法。操作存储器件的方法包括：通过在第一置位写间隔期间向连接至所选择的存储单元的第一信号线施加第一电压和向连接至所选择的存储单元的第二信号线施加第二电压，来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平；并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。

公开(公告)号：CN102376357A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110227178.6

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎 ,  姜京花 ,  尹治元 ,  南尚完 ,  尹盛远

IPC: G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/3454 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。