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公开(公告)号：CN118077313A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280068174.4
申请日：2022-10-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种发光效率高的发光装置。该发光装置包括发光器件A及发光器件B，上述发光器件A包括第一电极A、第二电极A、位于上述第一电极A与上述第二电极A间的发光层A、位于上述第一电极A与上述发光层A间的第一层A以及位于上述第一层A与上述发光层A间的第二层A，上述发光器件B包括第一电极B、第二电极B、位于上述第一电极B与上述第二电极B间的发光层B、位于上述第一电极B与上述发光层B间的第一层B、位于上述第一层B与上述发光层B间的第二层B以及位于上述第一电极B与上述发光层B间的第三层B，上述发光层A包含发光物质A，上述发光层B包含发光物质B，上述发光物质A的发光峰波长与上述发光物质B的发光峰波长相比为短波长，上述第一层A与上述第一层B、上述第二层A与上述第二层B分别包含同一材料，上述第一层A的对于上述发光物质A的发光峰波长的寻常光折射率高于上述第二层A的寻常光折射率，上述第一层B的对于上述发光物质B的发光峰波长的寻常光折射率高于上述第二层B的寻常光折射率，上述第三层B位于上述第一电极B与上述第一层B间、上述第一层B与上述第二层B间以及上述第二层B与上述发光层B间中的任一个。
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公开(公告)号：CN118043726A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280066764.3
申请日：2022-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02B27/02 , H04N5/64 , H04N13/344 , H04N13/383
Abstract: 本发明的光学装置包括显示装置(10)及光学系统(12)，显示装置(10)包括显示区域(60)及传感器区域(52)，光学系统(12)包括第一镜子(21)及第二镜子(22)，第一镜子(21)包括第一面及第二面，显示区域(60)具有发射第一光(31)的功能，第一镜子(21)设置在第一光(31)的光路上且具有使入射到第一面的第一光(31)透射到第二面的功能以及反射入射到第二面的第二光(33)的功能，第二镜子(22)设置在第二光(33)的光路上且具有反射第二光(33)的功能，传感器区域(52)具有通过第一镜子(21)及第二镜子(22)检测第二光(33)的功能。
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公开(公告)号：CN110088115B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201780077724.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种发光效率高的新颖有机金属配合物。以通式(G1)表示的有机金属配合物包括铱及在苯并咪唑骨架的1位具有含有氰基的芳基且在该苯并咪唑骨架的2位具有苯基的配体。(在通式(G1)中，Ar1表示具有一个以上的取代基的碳原子数为6至13的芳基，Ar1具有至少一个氰基作为该取代基。R1至R8分别独立地表示氢、取代或未取代的碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为3至6的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至13的芳基、取代或未取代的碳原子数为3至12的杂芳基或者氰基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117999598A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280064708.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/33 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62
Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层以及填充层。第一发光器件包括第一电极、第一电极上的第一半导体层及第一半导体层上的公共电极。第二发光器件包括第二电极、第二电极上的第二半导体层及第二半导体层上的公共电极。第一绝缘层具有与第一半导体层的侧面及第二半导体层的侧面接触的区域。填充层具有隔着第一绝缘层与第一半导体层的侧面及第二半导体层的侧面重叠的区域。公共电极具有与填充层的顶面接触的区域。
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公开(公告)号：CN117998881A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311437714.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种高效的发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种发光器件，包括第一电极与第二电极之间的发光层，其中，发光层至少包含发光物质及第一物质，发光物质的发射光谱的半宽为0.35eV以下，由于第一物质的光激发产生的延迟荧光的第一温度下的发光寿命比第二温度下的发光寿命短，第一温度比第二温度低，第一温度及第二温度都为10K以上且300K以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117957934A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280060880.4
申请日：2022-09-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种发光效率高的发光装置。提供一种发光装置，该发光装置包括具有阳极、阴极、EL层的发光器件A及B，其中，EL层A包括第一层A至第三层A及发光层A，EL层B包括第一层B至第四层B及发光层B，发光层A包含发光物质A，发光层B包含发光物质B，发光物质A的发光峰波长(波长A)比发光物质B的发光峰波长(波长B)短，第一层A与B、第二层A与B及第三层A与B分别具有相同的结构，波长A处的第一层A及第三层A的寻常光折射率(no)比第二层A的no低，波长B处的第一层B及第三层B的no比第二层B的no低，第四层B位于阳极B与第一层B间、第一层B与第二层B间、第一层B与第三层B间和第三层B与发光层B间中的任意位置。
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公开(公告)号：CN117957598A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063044.1
申请日：2022-09-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有摄像功能的显示装置。降低拍摄时的噪声。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一有机层、第二有机层、公共电极、间隔物、保护层及遮光层。第一有机层设置于第一像素电极上。第二有机层设置于第二像素电极上。公共电极具有隔着第一有机层与第一像素电极重叠的部分及隔着第二有机层与第二像素电极重叠的部分。保护层覆盖公共电极。间隔物对可见光具有透光性且具有隔着保护层、公共电极及第一有机层与第一像素电极重叠的部分。遮光层设置于间隔物上且具有与第二像素电极重叠的开口。第一有机层包含光电转换层，第二有机层包含发光层。
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公开(公告)号：CN117946176A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311354621.5
申请日：2023-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖有机金属配合物及发光器件。提供一种由通式(G2)表示的有机金属配合物。在通式(G2)中，R1至R6、R8至R22及R31至R34分别独立地表示氢(包括氘)、碳原子数为1至10的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基且R31至R34中的至少一个表示碳原子数为1至10的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基，并且n为1至4的整数。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110998808B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201880050764.8
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H10B41/00 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。
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公开(公告)号：CN117941483A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061607.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B61/00 , G11C11/16 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/82 , H10N50/10
Abstract: 提供一种存储容量大且功耗低的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三导电体、第一、第二晶体管以及MTJ元件。MTJ元件包括自由层以及固定层。在半导体装置中，从下方依次设置有第一导电体、第二导电体、自由层、固定层、第一及第二晶体管以及第三导电体。尤其是，在俯视时，第三导电体位于与第一导电体重叠的区域。第一导电体与第二导电体电连接，第二导电体与自由层及第一晶体管的第一端子电连接。固定层与第二晶体管的第一端子电连接，第一晶体管的第二端子与第二晶体管的第二端子及第三导电体电连接。此外，第一晶体管及第二晶体管都在沟道形成区域中包含金属氧化物。
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