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公开(公告)号：CN110998885B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201880051429.X
申请日：2018-08-08
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 描述的示例包括压电传感器(10)，其具有：(a)电容元件(30)，所述电容元件包括压电材料；(b)预调节电路(20)，所述预调节电路包括用于在极化模式下建立所述电容元件(30)的极化的电路；以及(c)信号放大电路(42)，所述信号放大电路用于在感测模式下响应于穿过所述电容元件(30)的电荷而提供压电响应输出信号。
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公开(公告)号：CN117096114A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310572702.6
申请日：2023-05-19
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请题为“具有可堆叠的基于金属的加热器和传感器的热测试芯片”。一种电子器件，所述电子器件包括封装结构、部分地暴露在封装结构外的导电引线、以及具有半导体层和多层级金属化结构的半导体，其中半导体被封装结构围封，并且多层级金属化结构包括加热电阻器、感测电阻器、以及电耦合到加热电阻器和感测电阻器的相应端子的导电金属特征，其中导电金属特征电耦合到导电引线中的相应导电引线。
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公开(公告)号：CN110998551B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880010824.3
申请日：2018-02-08
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G06F12/1081 , G06F13/28
Abstract: 地址空间字段(ASEL)与正常地址字段(Axx‑A00)结合使用，以允许指示用于特定地址值的地址空间。在一个实例中，一个地址空间值用于指示绕过在地址空间(408、410、412)之间使用的地址转换。针对常规操作指定不同的地址空间值，其中执行地址转换(408、410、412)。其他地址空间值用于指定地址值或数据的不同变换。该技术提供了用于处理具有不同地址空间的不同装置之间的地址值等的简化格式，简化了整体计算机系统设计和操作。
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公开(公告)号：CN116982258A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280019546.4
申请日：2022-03-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： B·K·普拉丹 , P·C·A·塔德帕啼 , M·文卡茨瓦兰 , V·韦迪亚尔 , S·马塔帕蒂
IPC: H03F3/217
Abstract: 一种控制器(102)，该控制器包括：脉冲宽度调制(PWM)电路(104)；控制回路(110)；以及参考电压控制器(120)。控制回路(110)具有：反馈输入端(111)，该反馈输入端被适配成耦合到功率级(130)的输出电压(VOUT)；控制回路输出端(119)，该控制回路输出端耦合到PWM控制输入端(105)；以及运算放大器(112)，该运算放大器具有第一反馈输入端(114)、第一参考输入端(116)和放大器输出端(118)，第一反馈输入端(114)连接到反馈输入端(111)，并且放大器输出端(118)耦合到PWM控制输入端(105)。参考电压控制器(120)具有耦合到第一参考输入端(116)的参考电压输出端(129)，参考电压控制器(120)被配置为响应于基于运算放大器(112)中的误差的动态误差估计来调整提供给参考电压输出端(129)的参考电压(VREF)。
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公开(公告)号：CN116979903A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310485523.9
申请日：2023-04-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： S·樱井
Abstract: 本申请公开了电路的温度容忍性输入级。电路的输入级(102、104)的示例被配置为降低其中的PMOS晶体管中的负偏置温度不稳定性(NBTI)和正偏置温度不稳定性(PBTI)两者。电流开关PMOS源极跟随器晶体管M3、M5和低侧NMOS差分对M7、M8用于处理电路的轨到轨输入信号范围的较低范围。PMOS源极跟随器M3设置在电路的正输入和低侧NMOS差分对M7、M8的正输入之间。另一个PMOS源极跟随器M5设置在电路的负输入和低侧NMOS差分对M7、M8的负输入之间。提供各种布置以生成和维持两个PMOS源极跟随器M3、M5的偏置电流在整个较低输入信号范围内近似相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116978672A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310473648.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01F27/28
Abstract: 一种设备包括基底。第一导电层在基底上。第一导电层包括第一组导电段(430a、430b)和第二组导电段(430c、430d)。第二导电层在第一导电层上与基底相对。第二金属层包括第三组导电段(420a‑420c)和第四组导电段(420d‑420f)。第一组通孔(410a‑410d)在第一组导电段(430a、430b)和第三组导电段(420a‑420c)之间。第一组导电段、第三组导电段和第一组通孔形成第一变压器绕组。第二组通孔(410e‑410h)在第二组导电段和第四组导电段之间。第二组导电段、第四组导电段和第二组通孔形成第二变压器绕组。
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公开(公告)号：CN116895624A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310320204.2
申请日：2023-03-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： R·J·L·格瓦拉
IPC: H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了倒装芯片封装组件。所描述的示例包括：半导体管芯(图4H，402)，该半导体管芯具有在器件侧表面上的键合焊盘(408)；钝化层(411)，该钝化层叠置在半导体管芯的器件侧表面上，其中在钝化层中有开口，该钝化层具有背离半导体管芯的器件侧表面的平坦表面(409)；柱形连接件(414)，这些柱形连接件形成在键合焊盘上和钝化层中的开口中，柱形连接件具有在键合焊盘上的近端并且从键合焊盘延伸到位于钝化层的平坦表面之下的远端(413)；焊料(416)，该焊料位于柱形连接件的远端处并且接触钝化层中的开口的侧壁；以及焊点，这些焊点形成于柱形连接件的远端处的焊料与封装衬底之间，半导体管芯的器件侧表面面向封装衬底。
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公开(公告)号：CN111033718B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880055813.7
申请日：2018-07-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/70 , H01C17/075
Abstract: 在一种制造集成电路(IC)芯片的方法中，该方法包括在第一层间电介质(ILD)层(114)上沉积第一薄膜电阻器材料；覆盖第一薄膜电阻器材料沉积蚀刻阻滞剂层(118)；以及图案化并蚀刻该蚀刻阻滞剂层(118)和第一薄膜电阻器材料，以形成第一电阻器(116)。该方法继续：覆盖第一电阻器(116)沉积第二ILD层(120)；以及使用第一蚀刻化学过程图案化和蚀刻第二ILD层(120)，以形成穿过第二ILD(120)层和蚀刻阻滞剂层(118)到第一电阻器(116)的通孔(122C，122D)。蚀刻阻滞剂层(118)对第一蚀刻化学过程具有选择性，并且蚀刻阻滞剂层(118)的厚度使得通孔蚀刻过程去除蚀刻阻滞剂层(118)的基本上所有暴露部分并且基本上防止下面第一薄膜电阻器材料的消耗。
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公开(公告)号：CN116817993A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310776907.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请涉及具有集成校准机制的方法和传感器系统。一种基于至少一个物理量生成电信号的系统(100)，包括传感器单元(104)，每个传感器单元响应于至少一个物理量生成单独的电信号；选择单元(114)，其从传感器单元(104)中选择第一数量的传感器单元(104)并基于第一数量的传感器单元(104)输出第一组合的电信号；和校准单元(140)，其基于第一组合的电信号来确定将要选择的第二数量的传感器单元(104)。还涉及一种用于校准系统(100)的方法。
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