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公开(公告)号：CN110678768A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880035561.1
申请日：2018-04-06
申请人： 昭和电工株式会社
发明人： 远藤大三
摘要： 磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体构成，并且在面内方向上具有磁各向异性；感应部30，其具备感应磁场变化的感应元件31，所述感应元件31由软磁体构成，并且与薄膜磁铁20相对配置，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，长边方向为薄膜磁铁产生的磁通量穿过的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性；和控制层102，其相对于薄膜磁铁20被配置在设置有感应元件31这侧的相反侧，并将薄膜磁铁20的磁各向异性控制在面内方向。
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公开(公告)号：CN105322089B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510459661.5
申请日：2015-07-30
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。
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公开(公告)号：CN107591477A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201610533243.0
申请日：2016-07-06
申请人： 中电海康集团有限公司
摘要： 本发明涉及一种改变源极金属连线方向的磁性随机存取存储器，该发明提供一种将源极的金属层方向与位线垂直，规避源漏金属连线平行放置时所需要满足金属间的设计规范而牺牲的面积，来提高MRAM存储密度的方法。本发明避免了源漏极金属平行走线，可以基于最小设计规范尺寸，避免了由金属间以及金属和孔之间的最小设计规范而损失的面积。
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公开(公告)号：CN105789432A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610248539.8
申请日：2016-04-17
申请人： 重庆科技学院
摘要： 本发明针对高性能微纳米磁电耦合器件不容易进行可控制备的问题，提出了一种通过压电力响应显微技术对铁电薄膜进行图形化+Z和?Z铁电畴加工，再通过光化学沉积法在铁电畴表面极化自组装磁性金属纳米颗粒，制备出具有铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件。该器件包括铁电薄膜层，支撑铁电薄膜的导电基底，以及在铁电薄膜层上自组装形成的磁性纳米颗粒结构。本发明利用压电力响应显微技术加工微纳米级按任意图形极化分布的PZT铁电畴，通过光化学沉积法自组装磁性金属纳米颗粒结构，生产工艺简单，适宜于微纳米磁电耦合器件的集成化制备。
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公开(公告)号：CN105493292A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380079248.5
申请日：2013-09-30
申请人： 英特尔公司
摘要： 实施例包括被实施为自旋逻辑器件的C元件逻辑门，所述C元件逻辑门通过利用自旋电子技术实施C元件来提供异步逻辑的紧凑且低功率的实施方式。实施例包括：包括第一接触部和第一固定磁层的第一纳米柱；包括第二接触部和第二固定磁层的第二纳米柱；以及包括第三接触部、隧道势垒和第三固定磁层的第三纳米柱；其中，(a)所述第一纳米柱、所述第二纳米柱和所述第三纳米柱都形成在自由层之上，(b)所述第三固定磁层、所述隧道势垒和所述自由磁层形成磁隧道结(MTJ)。本文描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN105470383A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201511028781.6
申请日：2015-12-31
申请人： 江苏森尼克电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺，通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极，并使电极部分被InSb薄膜覆盖，部分露出，打线时则在电极的裸露部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。
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公开(公告)号：CN105322089A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510459661.5
申请日：2015-07-30
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/12
摘要： 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。
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公开(公告)号：CN103268915B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310182434.3
申请日：2013-05-15
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明提供了一种新型结构的柔性多铁性器件。该器件包括柔性多铁材料与支撑体；其中，支撑体与柔性多铁材料的接触面分布在柔性多铁材料的底部边缘，并且柔性多铁材料以该接触面为支撑呈悬空状。实验证实，这种结构一方面保证了该器件的“自支撑性”，从而能够避免柔性多铁材料底面直接置于其他刚性支撑体等表面而导致受到钉扎束缚作用大大减弱磁电耦合效应；另一方面保证了该器件的“柔性”，由于柔性多铁材料大部分呈悬空状，使磁电耦合过程中产生的震动被尽可能放大，从而能够实现较大的磁电耦合效应，因此，该器件在磁传感器和能量收集等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104900799A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410077376.2
申请日：2014-03-04
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明提供了一种交换偏置场可调控的结构单元。该结构单元包括衬底、金属缓冲层、铁磁层、反铁磁层与保护层，其中衬底采用具有各向异性热膨胀系数与压电效应的柔性衬底，铁磁层具有磁致伸缩效应，从而对应力敏感。当温度、电场导致应力变化时，该结构单元的交换偏置场发生变化，因此能够通过温度、电场调控其交换偏置场。与现有技术相比，该结构单元具有柔韧性，其交换偏置场的调控手段灵活，调控方便易行，在传感、信息、医疗、军事等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103424719B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310288266.6
申请日：2013-07-10
申请人： 中北大学
摘要： 本发明涉及微型磁传感器，具体是一种基于纳米磁颗粒的磁矢量敏感元件及其制造方法。本发明解决了现有微型磁传感器不适用于深空、深海、深地的磁场矢量信息测量的问题。一种基于纳米磁颗粒的磁矢量敏感元件包括SiO2基底、下金属电极板、磁敏材料层、上金属电极板；其中，磁敏材料层由N个Fe3O4纳米颗粒层与N+1个聚合物层交替层叠构成，N为正整数；下金属电极板层叠于SiO2基底的上表面；磁敏材料层层叠于下金属电极板的上表面；上金属电极板层叠于磁敏材料层的上表面。本发明适用于各种场合的磁场矢量信息测量，尤其适用于深空、深海、深地的磁场矢量信息测量。
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