公开(公告)号：CN105789432B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201610248539.8

申请日：2016-04-17

申请人： 重庆科技学院

发明人： 刘晓燕 ,  邸永江 ,  李江宇 ,  谢淑红

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： 本发明针对高性能微纳米磁电耦合器件不容易进行可控制备的问题，提出了一种通过压电力响应显微技术对铁电薄膜进行图形化+Z和‑Z铁电畴加工，再通过光化学沉积法在铁电畴表面极化自组装磁性金属纳米颗粒，制备出具有铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件。该器件包括铁电薄膜层，支撑铁电薄膜的导电基底，以及在铁电薄膜层上自组装形成的磁性纳米颗粒结构。本发明利用压电力响应显微技术加工微纳米级按任意图形极化分布的PZT铁电畴，通过光化学沉积法自组装磁性金属纳米颗粒结构，生产工艺简单，适宜于微纳米磁电耦合器件的集成化制备。

公开(公告)号：CN105789432A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610248539.8

申请日：2016-04-17

申请人： 重庆科技学院

发明人： 刘晓燕 ,  邸永江 ,  李江宇 ,  谢淑红

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： 本发明针对高性能微纳米磁电耦合器件不容易进行可控制备的问题，提出了一种通过压电力响应显微技术对铁电薄膜进行图形化+Z和?Z铁电畴加工，再通过光化学沉积法在铁电畴表面极化自组装磁性金属纳米颗粒，制备出具有铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件。该器件包括铁电薄膜层，支撑铁电薄膜的导电基底，以及在铁电薄膜层上自组装形成的磁性纳米颗粒结构。本发明利用压电力响应显微技术加工微纳米级按任意图形极化分布的PZT铁电畴，通过光化学沉积法自组装磁性金属纳米颗粒结构，生产工艺简单，适宜于微纳米磁电耦合器件的集成化制备。

公开(公告)号：CN205657088U

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201620338942.5

申请日：2016-04-17

申请人： 重庆科技学院

发明人： 刘晓燕 ,  邸永江 ,  李江宇 ,  谢淑红

IPC分类号： H01L43/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： 本实用新型针对高性能微纳米磁电耦合器件不容易进行可控制备的问题，提出了一种通过压电力响应显微技术对铁电薄膜进行图形化+Z和‑Z铁电畴加工，再通过光化学沉积法在铁电畴表面极化自组装磁性金属纳米颗粒，制备出具有铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件。该器件包括铁电薄膜层，支撑铁电薄膜的导电基底，以及在铁电薄膜层上自组装形成的磁性纳米颗粒结构。本实用新型利用压电力响应显微技术加工微纳米级按任意图形极化分布的PZT铁电畴，通过光化学沉积法自组装磁性金属纳米颗粒结构，生产工艺简单，适宜于微纳米磁电耦合器件的集成化制备。