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公开(公告)号:CN101740647A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200910223615.X
申请日:2009-11-13
Applicant: 安科太阳能公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/06875 , H01L31/078 , H01L31/1844 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本申请案涉及一种具有两个变质层的四结倒置变质多结太阳能电池。本发明提供一种多结太阳能电池,其包含:上部第一太阳能子电池,其具有第一能带隙;第二太阳能子电池,其邻近于所述第一太阳能子电池且具有比所述第一能带隙小的第二能带隙;第一经分级夹层,其邻近于所述第二太阳能子电池;所述第一经分级夹层具有比所述第二能带隙大的第三能带隙;以及第三太阳能子电池,其邻近于所述第一经分级夹层,所述第三子电池具有比所述第二能带隙小的第四能带隙,使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配。邻近于所述第三太阳能子电池提供第二经分级夹层;所述第二经分级夹层具有比所述第四能带隙大的第五能带隙;且邻近于所述第二经分级夹层提供下部第四太阳能子电池,所述下部第四子电池具有比所述第四能带隙小的第六能带隙,使得所述第四子电池相对于所述第三子电池晶格失配。
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公开(公告)号:CN101221992A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200810002975.2
申请日:2008-01-11
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/078 , Y02E10/544 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/76 , Y10S977/948 , Y10S977/954
Abstract: 一种光生伏打器件,包括具有至少两个表面的基片和设置在基片的至少一个表面的至少一部分上的多层膜。伸长型纳米结构设置在该多层膜上。该器件结合该多层膜的与伸长型纳米结构接触的顶层,所述顶层作为隧道结。该器件具有沉积在伸长型纳米结构上方的至少一层,所述至少一层限定感光结的一部分。太阳能电池板包括至少一个光生伏打器件。该太阳能电池板使各个上述器件与围绕它的大气环境中隔离开并使得可以产生电力。
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公开(公告)号:CN101197398A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200710088105.7
申请日:2007-03-15
Applicant: 海德威电子工业股份有限公司 , 禧通科技股份有限公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/0376 , H01L51/42
CPC classification number: H01L31/078 , H01G9/2072 , Y02E10/542
Abstract: 一种串叠式太阳能电池结构,包含一非晶硅基太阳能电池设置在一非硅太阳能电池之上,非晶硅基太阳能电池作为抗反射表层并吸收短波长入射光。本发明的非晶硅太阳能电池具有较高的开路电压及低电流,相对捕捉太阳光谱中波长范围介于400至900纳米(nm)间的光波并转换为电力。本发明设在底层太阳能电池上的非晶硅层对于光能介于2.7到4电子伏特(eV)具有较佳的效果。
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公开(公告)号:CN1049426A
公开(公告)日:1991-02-20
申请号:CN90104925.5
申请日:1990-06-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/036 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L31/03529 , H01L31/03921 , H01L31/078 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种光致电压器件包括:一具有被一绝缘层包围着的多个导电表面的基片,设置有覆盖所述那些导电表面的多个单晶层区域的、多个第一光致电压单元,以及设置有一个覆盖着所述多个第一光致电压单元的第二光致电压单元。上述各单晶层区域是彼此隔离设置的。
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公开(公告)号:CN204651337U
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201390000632.7
申请日:2013-05-29
Applicant: 新加坡国立大学
IPC: H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/078 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 提供了混合太阳能电池,包括:产生过量电荷载流子的吸收层;同质结接触部,其形成在吸收层的第一侧上;钝化层,其形成在吸收层的与第一侧相对的第二侧上;以及掺杂异质结接触部,其形成在吸收层的第二侧上在钝化层之上,钝化层包括一个或多个接触部开口,并且掺杂异质结接触部包括沉积在钝化层之上的掺杂异质结层,掺杂异质结层包括分别在一个或多个接触部开口内形成的一个或多个异质结突起接触部,并且钝化吸收层的表面的异质结突起接触部的表面区域与钝化吸收层的表面的整个表面区域的百分比是3%至20%。
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公开(公告)号:CN203707143U
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201090001501.7
申请日:2010-12-21
Applicant: 太阳结公司
Inventor: 丽贝卡·伊丽莎白·琼斯 , 侯曼·伯纳德·禺恩 , 刘楟 , 普拉诺·米萨
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/03048 , C22C28/00 , C22C30/00 , C30B23/025 , C30B23/066 , C30B29/40 , C30B33/02 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/036 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/078 , H01L31/1844 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , Y10T428/12
Abstract: 本实用新型提供了一种多结太阳能电池,其包括第一子电池、第二子电池、GaInNAsSb子电池和基底。GaInNAsSb子电池与基底相邻,并且依次包括:前表面场层、发射体层、GaInNAsSb基座层以及背表面场层。通过本实用新型的多结太阳能电池,可以不需要相对厚的缓冲层来适应各种材料的晶格常数的差异。
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公开(公告)号:CN203351629U
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201220602373.2
申请日:2012-11-15
Applicant: 太阳光电公司
Inventor: 丽贝卡·琼斯-阿尔伯特 , 伯拉诺布·米斯拉 , 迈克尔·J··谢尔登 , 霍曼·B··袁 , 刘婷 , 丹尼尔·德卡克斯 , 薇吉特·萨伯尼斯 , 迈克尔·W··威梅尔 , 费兰·苏亚雷斯
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0328 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/028 , H01L31/03048 , H01L31/06 , H01L31/0693 , H01L31/078 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L31/1876 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种光伏电池和光伏系统,属于太阳能电池领域。特别地,本实用新型提供一种光伏电池,包含:至少四个亚电池,所述亚电池的至少一个具有由合金GaInNAsSb形成的基极层;以及所述至少四个亚电池中的每一个与其它亚电池的每一个是基本上晶格匹配的。本实用新型还提供一种光伏系统,其包含至少一个如上所述的光伏电池。
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